153933

Номер патента: 149048

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дьяков, Соснин, Шахов

МПК: G08B 5/36

Метки: включения, индикаторных, ламп, неоновых, пересчетных, схема, устройствах

...включением неоновой лампы междламп.Неоновая лампа должна зажигаться при запертой лампе Л, и открытых лампах Лз и Лз (фиг. 1) или Ль Лз и Л 4 (фиг. 2) и гаснуть при запирании любой из ламп Л Л, или Л 4, В,случае, когда открыта только одна из ламп Л Лз или Л 4, напряжение в точке б определяется промежуточным. значением напряжения открывания или запирания всех ламп; что снижает величину управляющего перепада (-.Для более надежной работы желательно, чтобы напряженне в точке б имело только два значения, соответствующие запиранию и отпиранию ламп Л Лз и Л 4. Для этой цели предлагается использовать,схемы совпадения, Напряжение в точке б (фиг. 3) понижается до потенциала открытой лампы только в случае отпирания обеих ламп Лз.и Лз ных декадах...

Номер патента: 665350

Опубликовано: 30.05.1979

Авторы: Альфред, Бригитте, Еренфрид, Клаус, Конрад, Райнер, Флориан

МПК: H01L 29/20

Метки: диод, электролюминесцентный

...диффузии с надлежащей последующей обработкой (отжигом) для более детальной юстировки симметричного поглощающего профиля.Если исходным материалом является ар 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 50 55 60 65 сеццд галлия, то требуются основные при мссц п)5 10 д см -вплоть до концентрации выпадения. В качестве л-основной примеси могут быть свинец, кремний, теллур, в качестве акцептора служит цинк.Изобретение описано на двух примерах выполнения для изготовления двойного слоя р+ на субстрат (подложку) или в самом субстрате на основе арсенида галлия.На фиг. 1 показана структура элементов; на фиг. 2 изображен профиль примесей; на фиг. 3 - поглощающий профиль; ца фиг.4 приведены интенсивность и однородность времени задержки в зависимости ширины полосы...

Номер патента: 145063

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Хорст

МПК: G09G 3/10

Метки: включения, индикаторной, лампы, разряда, схема, тлеющего

...и в точках 3 и 4 низкого потенциалов. При этом ток тле.ошего разряда отдельных элементов переключения вызывает падение напряжения на предохранительных сопротивлениях 5 и критические напряжения (одно из котсрых присутствует в режиме - высокий потенциал в точке 2, низкий в точке 3 и высокий в точке 4 или высокий в точке 4 и низкий в точке 3, а другое - при низком потенциале в точке 2 и низком потенциале в точках 3 и 4) рсдуцируются па соответствующие падения напряжения и автоматически становятся некритическими,Третье критическое напряжение (низкий потенциал в точке 2 и высокий потенциал в точках 3 и 4) уменьшается вспомогательной лампой 6 тлекгщего разряда, Вспомогательная и основная лампы имеют общуюМ 145063 Предмет изобретения Схема...

Номер патента: 278800

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Кантор

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема

...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...

Номер патента: 550772

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Литвиненко, Махотенко

МПК: H05B 33/18

Метки: диод, электролюминесцентный

...электронов, через капилляр введен проволочный электрод 4. Электрод 4 выполнен из манганина, не взаимодействующего со сплавом щелочных металлов. Резервуар герметизирован с помощью эпоксидной смолы или парафина. Поверхности пластины 3 отполированы и прозрачны. С противоположной стороны на ней изготовлен невыпрямляющий контакт 5, например из графитовой пасты, нанесенной в виде пленочной маски со светопроницаемыми щелями, или из испаренного в вакууме золота, серебра и т, д. Токоввод 6 может быть выполнен из манганинового или медного провода.При приложенном в прямом направлении электрическом напряжении сплав щелочных металлов является катодом и инжектирует электроны в базу 3, При определенном пороговом напряжениями диод спонтанно...