Способ изготовления сорбционного влагообменного датчика матричного потенциала воды

(51)5 С 01 Б 25/ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТПРИ ГННТ СССР ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМУ СВ ТВУ сследо лобус ци ла ов от гипсотрудов поФИ,1977,РБ982. Ю М способамсорбционенциала Изобретение относи изготовления влагообменнных датчиков матричногои влажности и может бытьно при изготовлении теплрезистивных и емкостных гипса и преи проводя ивая до ок месь рительно наг криснчани в аллизацко,процесса у указанной температуре оды.пользо ер вых,атчи крист смеси предв укализации темп остояннои, равноиительно нагретой в занного- расширение диатчика в сторонуи повышение круи преобразования соких потенциароизводимости хав при их изготовизобретенияизмерений да ертеже предстапреобразованнного теплосоп ены характе(зависимость пазона высокихтизны датчикисти потенциалов рактеристик в области в прив ед сорбен потенцизгото отивлен атричногодля датчиковпературах датчика от ла (р) воды енных при те ьяцение во о о стик да акт 71,кривые8,ниюи и ия сорбционногка матричного соб изготовл бменного дат пзвестновлаг(71) АгроФизический научновательский институт ВАСХНИ(56) Пяро З.И Степанов ЛЗависимость пористости гиппреобразователей влажностиводного Фактора - Сборникагроном, Физике, 1 ъ 42, Л., Ас. 147-149,Авторское свидетельствоИф 31750, кл, С 01 И 25/56,(54) .СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОРБЦИОННОГО ВЛАГООБМЕННОГО ДАТЧИКА МАТРИЧНОГО ПОТЕНЦИАЛА ВОДЫ(57) Изобретение относится к способам изготовления влагообменных сорбонных датчиков матричного потенциаи влажности и может быть использовано при изготовлении тепловыхэлектрорезистивных и емкостных датчиков указанного типа, Цель изобретения - расширение диапазона измеренийи повышение крутизны характеристикипреобразования датчика, Зонд датчика заливают смесью гипса и предварительно подогретой воды. Кристаллизацию проводят, поддерживая температуру смеси гипса и воды постоянной,Этатемпература должна быть равна температуре предварительно нагретой воды,1 ил,потенциала воды заключается в томчто осушествляют заливку зондаму способу - кривые 6 - О,соответственно.Способ изготовления сорбционного влагообменного датчика матричного потенциала воды состоит в следующем.Подготавливают дистиллированную воду (вода и ЧДА, СаБО0,5 НО, гипс) в количестве, соответствующем предварительному расчету. Соотношение между количеством воды и гипса, так называемый водно-гипсовый фактор (ВФ), можно варьировать в определенных пределах, Крайние значения ВФ лежат в пределах 0,9 - 2,4 и связаны, с одной стороны, тем, что при ВФ 0,9 не удается получить однородную массу суспензии, так как время начала кристаллизации меньше времени, необходимого для равномерного перемешивания суспензии. С другой стороны, при ВФ Ъ 2,4 при заливке сус пензии происходит расслоение гипса и воды под действием гравитации.Предварительный на рев воды осуществляют в термоста" г, куда также помещают гипс и форму с зондом при заданной температуре в диапазоне 31 - 88"С и выдерживают до установления температурного равновесия. Время выбирают в зависимости от коли чества (массы) компоненто:в.После установления температурного равновесия смешивают гипс с водой, перемешивают до получения однородной смеси и заливают последнюю в форму, находящуюся по-прежнему. в термостате. Процесс кристаллизации проводят при постоянной температуре, равной температуре предварительно нагретой воды, Время выдерживания в термостате составляет не менее 2 ч, что достаточно для завершения процесса кристаллизации для датчиков с применяемыми на практике размерами, После завершения процесса кристаллизации датчики извлекают из термостата, естественно охлаждают при комнатной температуре и окойчатсльно высушивают до воздушно-сухого состояния.Границы температурного диапазона предварительного нагрева воды и крис таплизации обусловлены следующими причинами, При 1 ( 31 С величина тем - пературного воздействия на порообразование становится несущественной, При 88 С резко уменьшаютсявоспроизводимости порового пространствасорбента и показаний датчика,изго-товленного из этого сорбента принизких значениях матричного потенциала,П р и м е р. Для изготовлениятепловых сорбционных датчиков матричного потенциала воды с цилиндрическим пористым блоком диаметром 28 мми высотой б мм, в котором находитсякольцевой проволочный зонд диаметром 14 мм, подготавливают для каждой температуры изготовления 50 гдистиллированной воды и 25 г СаЯОх 0,5 НО ЧДА, Затем воду, гипс,Формы (3 шт, для каждой температуры)в крепежной арматуре выдерживают втечение 2 ч в термостате при температуре1 = 31 + 095 С, С= 40 ++0,5 С и 1= 880,5 С. После этого при этих же температурах приготавливают гипсоводную суспенэию путемтщательного перемешивания исходныхкомпонент в течение 30 с. Затем полученные суспензии разливают в Формыпри температурах ", ф ф фэ фС соответственно, Через 2 ч послеокончания процесса кристаллизациидатчики извлекают из термостата,освобождают от крепежной арматуры и оставляют на окончательное просушивание в помещении лаборатории при температуре возцуха 1, = 19+2 С для всехвариантов до воздушно-сухого состояния сорбента.Тепловые датчики, помещенные висследуемую среду, через характерное время 24 ч приходят с нейв равновесие по матричному потенциалу. Для измерения через тормозондпропускают ток и определяют скорость изменения температуры термоэонда, которая зависит от влагосодержания сорбента и соответствующего емуматричного потенциала окружающейсреды, Указанный темп роста температуры является мерой величины потенциала,15 Способ изготовления сорбционного влагообменного датчика матричного потенциала воды, включающий заливку зонда смесью гипса и предварительно нагретой воды, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения диапазона. измерений датчика в сторо 55 50 Формул а изобретения5 536287 6 ну высоких потенциалов и повышения держивая до окончания процесса крис- крутизны характеристики преобразова- таллизации температуру указанной ния датчика в области высоких потек- смеси постоянной, равной температуциалов, кристаллизацию проводят,под- ре предварительно нагретой воды5Ц Составитель В.Екаев Редактор И,Касарда Техред М.Ходанич Корректор Н,КоролЗаказ ВНИИП при ГКНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г,упгород, ул. Гагарина,10 04 Государственног 113035Тирад 489 Подписное комитета по изобретениям и открытия Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5