Способ контроля качества поверхности электропроводящих объектов

(51)4 с й .; 27/82 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИжжРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ПЮТ СССР(71) Омский институт инженеровжелезнодорожного транспорта(56) Авторское свидетельство СССРЮ 949484, кл, С 01 И 27/82, 1982,Авторское свидетельство СССР1224707, кл, С О 1 27/90, 1986.Блинов Л,И, Электро- и магнитооптика жидких кристаллов. Н., 198,с.100"288,Авторское свидетельство СССРй 781687, кл. С 01 И 27/24, 1969.(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ОБЪЕКТОВ(57) Изобретение относится к нераэрушающему контролю качества материалов и может быть использовано для,801525559 А 1 2обнаружения дефектов в поверхностном слое обьекта. Цель изобретения - повышение достоверности контроля за счет использования холестерических жидких кристаллов в качестве магнитоуправляемой дифракционной решетки, Цель достигается тем, что регистра" ция параметров результирующего электромагнитного поля, несущего информацию о качестве поверхности контролируемого обьета 5, осуществляют при помощи определения параметров дифракционной картины, ",олучаемой при магниты " анизотро гней помещенного в результирующее электромагнитное поле так, чтобы ось холестерической спирали была перпендикулярна магнитным силовым линиям поля, параллельным пучкам монохроматческого светэ, под углом, ствечающим условию селективного его отражения,Изобретение относится к неразрушающему контролю качества материалов и может быть использовано для обнаружения дефектов в поверхностном слое объектов.Цель изобретения - повышение достоверности контроля эа счет использования холестерических жидких кристаллов в качестве магнитоуправляемой дифракционной решетки.На фиг. 1 изображено устройство для реализации способа; на фиг. 2 сравнительная картина расположения и интенсивность дифракционных максимумов над беэдефектным (кривая 1) и дефектным (кривая 2) участками контроля; на фиг. За,б,в - схематическое изображение раскручивания холестерической спирали под действием внешнего поля (а - при отсутствии приложенноЖ го электромагнитного поля; б - в приложенном поле, меньшем критического; в - в поле, большем критического).Устройство для осуществления спо соба содержит источник электромагнитного поля в виде вихретокового преобразователя 1, слой 2 холестерического жидкого кристалла с положительной диамагнитной анизотропией, расположенной так, чтобы ось 2 его холестерической спирали была перпендикулярна магнитным силовым линиям поля Н, источник 3 параллельного пучка монохроматического света, имеющий воэможность регулировать угол паде" ния пучка, приемно-регистрирующий блок 4, выполненный с воэможностью регулировки угла приема отраженного от поверхности слоя 2 жидкого кристалла пучка монохроматического света, Слой 2 жидкого кристалла размещается над объектом 5. На фиг. 2 обозначено;1 - интенсивность дифракционно 9го максимума на бездефектном участкеили на воздухе;1 - интенсивность дифракционной9картины в точке фиксации положениядифракционного максимума при наличии50дефекта;- длина волны падающего монохроматического света;Р - период спирали жидкого крис 9талла при отсутствии дефекта;Р - период спирали жидкого крис 9талла при наличии дефекта;5 - угол дифракции; 2 - ось холестерической спирали жидкого кристалла.Способ осуществляют следующим образом.В объекте 5 контроля при помощи вихретокового преобразователя 1 возбуждают вихревые токи, В результирующее электромагнитное поле, несущее информацию о состоянии поверхности объекта контроля, помещают слой 2 холестерического жидкого кристалла с положительной диамагнитной анизотропией так, чтобы ось 2 его холестерической спирали была перпендикулярная магнитным силовым линиям поля Н, Освещают под углом поверхность слоя 2 холестерического жидкого кристалла параллельным пучком монохроматического света от источника 3 света, добиваются селективного отражения и при помощи приемно-регистрирующего блока 4 фиксируют возникающую дифракционную картину в отраженных лучах. Определяют положение и интенсивность дифракционных максимумов, сканируя устройство вдоль поверхности объекта 5 контроля, которые используют в качестве информативных параметров состояния жидкокристаллической ячейки. По состоянию жидкого кристалла определяют качество поверхности.Способ позволяет проводить оценку качества электропроводящих объектов сложной формы при значительно меньшем влиянии на результаты контроля внешних полей, автоматизировать процесс регистрации картины на жидком кристалле, упростить технологию контроля.формула изобретенияСпособ контроля качества поверхности электропроводящих объектов; заключающийся в том, что контролируемый объект с размещенной на его поверхности жидкокристаллической ячейкой помещают в электромагнитное поле и определяют состояние жидкого кристалла, по которому определяют качество поверхности, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения достоверности контроля, контролируемый объект размещают перпендикулярно си" ловым линиям электромагнитного поля, в качестве жидкокристаллической ячейки используют слой холестерического жидкого кристалла с положительной.Коро Редактор М.П ре 15/38 Тираж 789осударственного комитет113035, Москва,Заказ ВНИИП одпи КНТ ССС озобретениям и открытиям при35, Раушская наб д. М/5 вечно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,10 оиз диамагнитной анизотропией, которыйориентируют в электромагнитном полетак, чтобы ось холестерической спирали была перпендикулярна силовым линиям поля, поверхность слоя холестерического жидкого кристалла освещаютпараллельным пучком монохроматического света, направленным под углом падения лучей, соответствующим се"лективному отражению, фиксируют вотраженных лучах возникающую дифрак"ционную картину, определяют положение и интенсивность дифракционныхмаксимумов, которые используют в качестве информативных параметров состояния жидкокристаллической ячейки,