Преобразователь уровня для усилителя считывания

(5 4 (. 1С 7/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 16 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ П(НТ СССР(56) Авторское свидетельство СССГ(57) 1 гобретение относится к вычис -лительной технике и может быть ис -польэовано 11 ри создании лолупроводпиковых интегральньгх схем. 1 ельи. бретения - поньпнение быстр действия. 1 реобраэователь уровня содержитпять элем итон 1-5 задания режимана резисторах, два токоэадающих элемента 6,7 на транзисторах, дна усилительных элемента 8,9 на транзисторах, два нагру зочных элемента 10,11 на двухэмиттерных транзисторах.Поставленная пель достигается .эасчет добанления входного ЭСЛ-логическоо каскада. 1 илПри смен входных сигналов с 1на входе 12 иа "0" и с "0" на входе13 на "1" игГразватеь переключается в иерноияча.пьне состояние, При этом в гвяэивключением резисторачерез перкрестную гвязь к первому эмиттер, двухэмиттерного транзистора 10, напряжение на выходе 14, во-первых, сложится с логическим переия;и на входах (поэтому уменьшяютгя иотявные времен иере 50 55 1 зобртгниг отногитгя к Вьлиги -тельнй з ехникс и может Гыть игис льзовяно при г здании полупроводниковых интегральных схем,1,ель изобретегпя - повышение быгтрдействия преобразователя уровня,11 а чертеже представлена принципиальная гхема предлагаемого преобрязовате.я уровня лля усилителя 1 Осчитьпалия,ПреГ 1 язовятепь уровня содержитпять элементов запания режима нарезигторах 1-5, два токозадяюшихэлемента на транзисторах 6 и 7,днаусилительных элемента на транзисторах 8 и 9, два нагрузочных элемента.ня двухэмиттерных транзисторах 10и 11, информационные входы пребразвятеля уровня 12 и 13, информацигнные выходы 14 и 15, цина 16 пита -ния, ценя 17 нулевого потенциала.Предлагаемый преобразователь работает гледукшимбрязоы.Когда на вход 12 уровень входно 11го сигнала равен логической 1 , аня вход 13 - 0 , ток, идущий изшины 16 питания, в обоих плечах, пробразовятеля определяется токомисточника оирнонапряжения наЗОтранзисторах 10, 6, 8 и резисторе1, Б .том г.пуя( тянзигтор 7ключен, чтпривдит к тому, что напряжение на базе транзистора 8 задает анялгичный ток в цепи транзистора 9, Так кяк нагрузка в коллекторахтранзисторов 8 и 9 одинакова, этоприводит к гму, ч 1 о на нагрузочнсмрезистреньяи ляется напряжение,аналогичное наиряженик на резисторе1, поэтому напряжение на базе транзистора 7 мньше, н будет выключен,а на базе трязигтра 6 больше, онбудет вклкен и через него потечетток, опреде:ямый резистором 5,вспедствие че напряжение на выходе 4514. будет низким, я ня входе 15высоким. заряда выходных паразитных емкостей резистора коллектор-база и коллектор- подложка), во-вторых, процесс переэаряда начинается раньне, нс доюдаясь переключения ключевых и усилительных транзисторов, что сушественно повысит быстродействие схемы,Дополнительное повышение быстродействия происходит за счет того, что в этом случае меньше номинал резисторов 3 и 2, а также их паразитная емкость, что уменьшает постоянные времен при переключении.Таким образом, добавление входи- го ЭСЛ-логического каскада к выходному перепаду с помощью перекрестных связей позволяет увеличить Гыстродействие преобразования в выходный уровень, привязанный к шине нулевого потенциала,Ф о р м у л а и 3 о б р е т е н и яПреобразователь уровня для усилителя считывания, содержащий пять элементов задания режима на резисторах, два токозадающих элемента на транзисторах и два усилительных элемента на транзисторах, первый вывод резистора первого элемента задания режима соединен с базой транзистора первого токозадающего элемента и коллектором транзистора первого усилительного элемента, эмиттер которого соединен с одним выводом резистора пятого элемента задания режима, эмиттером транзистора второго усилительного элемента и шиной нулевого потенциала, базы транзисторов усилительных элементов соединены с вторым выводом резистора пятого элемента задания режима и эхттерями транзисторов токозадающих элементов, база транзистора второго токоэадающего элемента соединена с коллектором транзистора второго усилительного элемента и первым выводом резистора четвертого элемента задания режима, коллекторы транзисторов первого и второго токозадающих элементов соединены с первыми выводами резисторов соответственно второго и третьего элементов задания режима и являются информационными выходами преобразователя уровня, отличающий с я тем, что, с целью повышения быстродействия преобразователя, он содер1 Ч 2381 рс и эми 1 гор - с нт рым вывод и резистора третьего элем нта эа. анч ч режима, нерныи эми гтер двух итте,. -ного транзистора второго нагрузочного элемента соединен с вторым вы 10 козадаюшег элемента Составитель В,ГордановаТехред Л.Сердюкова Корректор С.11 екмар Редактор С.Патрушева Заказ 3883/52 Тираж 558 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 жит два нагрузочных элемента надвухэмиттерных транзисторах, базыкоторых являются информационнымивходами преобразователя, коллекторыподключены к шине питания, первыйэмиттер двухэмиттерного транзисторапервого нагрузочного элемента соединен с вторым выводом резистора первого элемента задания режима, втодом резистс ра четвертогоосментазадания режима, второй эмиттер - свторым выводом резистора второго то е