Поглощающее устройство

Номер патента: 465584

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Бузанева, Денисюк, Стриха

МПК: G01N 27/24

Метки: диэлектрических, изолирующих, полупроводниках, свойств, слоев

...определения средней плотности сквозных дефектов.С целью разработки способа количественной оценки параметров то, Йо, 5 для сквозных дефектов диэлектрика, заполненных металлом, которые позволяют провести полную оценку изолирующих слоев на полупроводниках, измеряют минимальное сопротивление контактов Ь, по величине которого определяются значения й 0, Ь, 5.Сопротивление контакта Я, измеряют при приложении к контакту в прямом направлении импульсов напряжения большой амплитуды и малой длительности. Одновременно можно измерять ток утечки контакта металл - полупроводник.По величине Р, значения Р 0, 5 оп яют сопротивление и толщин котором создают диэлект ния значений Кь то, 5 медефектов удаляют, наприролитического вытравлива465584 .;4...

Номер патента: 769314

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Корндорф, Санько, Широва

МПК: G01B 7/14, G01M 13/04

Метки: диэлектрической, подшипнике, слоя, смазки, толщины

...необходимость разборки подшипника для постановки электродов емкостного датчика.Целью изобретения является неразрушающее измерение. Это достигается тем, что в качестве обкладок емкостного преобразователя используют.кольпа подшипника.Способ осуществляется следующим оо раасом.Подшипник помещают в стенд и раскручивают до номинальной угловой скорости. При вращениями между кольцами и шарикамиподшипника образуется масляная плен ,каналичие которой позволяет,использовать кольца подшнлника в качестве обкладок емкостнаго лреобразователя, преобразующего толщину масляного слоя в элоктрический сигнал.3 Использование в качестве смкостного преобразователя толщины смазочной пленки колец подшипника выгодно отличает известный способ тем, что он...

Номер патента: 1247781

Опубликовано: 30.07.1986

Автор: Пронин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, полупроводниковых, проницаемости, слоев

...8, инвертирующий и неинвертирующий входы сумматора подключены к измерительным электродам 1, расположенным соответственно по обе стороны от исследуемого слоя, а вы 30 ход соединен с входом усилителя 7.Блок 3 измерения расстояния соединен механически с измерительными электродами 1. Блак 4 формирования заряда состоит из коронирующего элек- З 5 трода 9 и контрэлектрода 10, расположенных по разные стороны слоя 5, а также источника 11 высокого напряжения, выход которого соединен с коронирующим электродом 9, Источ ник высокого напряжения и контрэлектрод 10 заземлены.Устройство работает следующим образом.Посредством источника 11 высокогонапряжения электрода 9 и контрэлектрода 10 на поверхность исследуемого слоя 5, обращенную к электроду...

Номер патента: 1390142

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Коншак, Палутке

МПК: B65G 47/14

Метки: длины, мерные, неупорядоченного, одинарный, перевода, проволок, пучка, разрезанных, слой

...пучка проволок с помощью магнитных сцепляющихся колес, которое можно использовать при разных диаметрах проволок. С помощью сцепляющихся колес вьделяются из пучка проволоки, сортированные одновременно в определенном расстоянии, и сбрасываются на транспортное устройство вращающимися транспортными колесами, снабженными захватным приспособлением. Предпосылкой для упорядоченного выделения отдельных проволок является распутывание неупорядоченного пучка проволок. Данную Аункцию выполняет встряхивающее устройство, установленное в пределах залегания5 10 5 20 25 30 35 40 45 5055 пучка проволок, а в результате этого,значительно повышаются затраты навесь комплекс оборудования, Проволоки с овальным сечением, с ребрамина поверхности и с...

Номер патента: 1547915

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Докторов, Олейник

МПК: B21D 5/06

Метки: гнутых, горизонтальных, гофрами, гофрированных, гофров, дополнительными, основных, профилей, стенках

...гофров при этом составлял 0 - 12 - 18 - 24, 5 - 30 - 34, 5 - 39 - 42, 5 - 4649, 552, 5 - 55, 5 - 58, 5 - 61, 5 - 64 - 66.Ширина горизонтальной стенки и шаг между гофрами на этих переходах были завышены по сравнению с заданными иа величину Л = 3 мм. Высота гофра й= 75 мм при заданном угле наклона ооковых стенок и = 66 была получена в переходе ХИ. Затем в переходах ХИ 1. и ХИ 11 ширину горизонтальной стенки и шаг между гофрами уменьшили до заданных значений соответственно 93 и 187 мм за счет временного искривления горизонтальной стенки по дугел 0 с прогибом, равным 10 лм. На последних переходах Х 1 Х и ХХ одновременно отфор;ловывали дополнительные гофры глубиной 7 мм и выпрямляли временно искривленные горизонтальные стенки при неизменном...