Прибор для исследования физико-химических и газодинамических процессов

Номер патента: 990918

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Бирбровер, Богдан, Гришина, Гугнина, Добрынин, Журавель, Зарудская, Зонов, Кондратенко, Молодцов, Снимщиков

МПК: D21C 9/10

Метки: отбелки, процессе, раствор, целлюлозы

...мас,:тЕдкий натр 6,0Гемицеллюлоэы 0,2Три натри йфосфат 0,01Вода 93,79На первой и второй ступенях гипохлоритной отбелки используют раст"вор гипохлорита натрия, приготовленный путем пропускания хлора через щелочной раствор, предлагаемого сос"тава, Результаты представлены в)табл.г(опыт 3),Для сравнения эту же целлюлозуотбеливают по той же схеме отбелки,используя для щелочных обработок из"вестный состав, содержащий свежийраствор едкого натра при соотноше"нии компонентов) мдсйв.Едкий натр, 6,0ВодаГипохлорит натрия приготавливаютпропусканием газообразного хлора через свежий раствор едкого натра, указанного состава (табл, 2, опыт 1),Эту же целлюлозу также отбелиааютЗО по указанной схеме о 1 белки) исполь-.зуя для щелочных обработок...

Номер патента: 1098664

Опубликовано: 23.06.1984

Автор: Мухин

МПК: B23B 1/00

Метки: автоматической, механической, наплавки, процессе

...точек от середины наплавляемой полосы (точка К) интенсивность охлаждения возрастает, кривыеохлаждения точек Ж, М, И (фиг. 4 не45показаны) через некоторое время располагаются между кривыми А и В. Дпякаждого обрабатываемого материаларанее определяют оптимальные режимыобработки, в том числе температурузаготовки ( 9. Зная эту темпера 50туру, по конкретному графику 8 э,ц. 4 Ь=,строчки, наплавляются последователь"но, начало охлаждения для них будетотличаться на время, необходимое электвремя продольного хода наплавочного электрода, с; время остановки электрода в конце хода на перемещение заготовки на шаг наплавки, с;время прохождения электродом расстояния между точками Б и Д, также Б и Л,с; время на охлаждение соот-ветствующей точки (например,...

Номер патента: 135338

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Зюскин

МПК: G03C 5/26

Метки: водопроницаемой, подложке, подложки, слоев, фотографических

...же образом можно оорабатывать пакеты, состоящие из нескольких слоев толстостенной эмульсии.При процессах фиксирования в катодное пространство заливают раствор тиосульфата натрия с концентрацией 5 г/л, а в анодное - раствор сульфита натрия с концентрацией 5 г/л. В этом случае плотность тока на поверхности эмульсии должна составлять 2 а/дл- "при напряже нии ня электродах в 6 - 8 вольт. При смене растворов через каждый час фиксирование эмульсионного слоя типа Р тол 1 циной 900 лк заканчивается через 6 часов 30 минут.При обрабоп(е фотографической светочувствительной бумаги пос 1 сднюО помещают подложкой к аноду, в катодное Отделение за.ивЮт раствор сульфита натрия 5 г/л, я в янодное - раствор метоля 5 г/л и сульфита натрия 5 г/л.При 11...

Номер патента: 355989

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Мальцев, Мурзинов, Научно

МПК: B05C 13/02, B05C 9/08

Метки: процессе, транспортирования

...концах которых шарнирно закреплены ролики 1 б и 17, имеющие возможность опираться на торцы копиров 18 - 21, жестко закрепленных на станиие 3, Для предотвращения подъема цепи б на участках размещения копиров, установка снабжена ограничителями 22, жеспко закрепленными на станине 3.Каждый из рычагов 14 и 15 содержит фиксирующий штифт 23, входящий в пазы, выполненные в каждой из втулок 10 и 11.С целью поворота Г-обрааного рычага 15вокрутг вертикальной оси на 90 пазы во втулке 11 выполнены фвгурными, а опора 24 рычага 15 имеет возможность поворота вокруг стойки 25 ролика 17. Втулка 10 имеет ограничитель 26, служащий для установки фрипсционной накладки н тормозной колодки.Установка работает следующим образом. Впслючается конвейер 2, при...

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...