Усилитель

(51) 4 Н ГОСУДАРСТВЕ ПО ДЕЛАМ ИЗ. М ЩЦг АНИЕ ИЗОБРЕТЕ телой н ия между всеми т воляет снизить 5 делителем 2 последовательнн нешун ранзисторовжность усили тудах выход на быстрод и сохранителя при соединенных высокую над больших амп(54) УС ых сигналов.ствие схе-, Ж М влияни емени в а и-го оказывает постоянная ысокоомно ранзистор пи коллект 1 ил. ЫЙ НОМИТЕТ СССР ОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(57) Изобретение м.б. использовано вкачестве широкополосного высоковольтного усилителя. Цель изобретения -повышение надежности путем равномерного распределения напряжений между транзисторами и у действия. Усили зисторов 1 перв тивный делитель 2 шину 3 и шину 4 и нагрузку 5, резис торов 7 второй ст 2 выполнен весьма сохранении высоко ности распределен эисторами, что по тирование нагрузк увеличить число и еличение быстроь содержит и транструктуры, реэиснапряжения, общуюточника питания,ор 6 и и транэисуктуры. Делительвысокоомным пристепени равномерИзобретение относится к усилительной техникеи может быть использова-.,но в качестве широкополосного высоковольтного усилителя.Цель изобретения - повышение надежности путем более равномерного распределечия напряжений между транзисторами и увеличение быстродействия. 10На чертеже представлена принципиальная электрическая схема усилителя.Усилитель содержит п транзисторов 1 первой структуры, резистивный делитель 2 напряжения, общую шину 3 и шину 4 источника питания, нагрузку 5, резистор 6 и и транзисторов 7 второй структуры.Усилитель работает следующим образом. 20Для обеспечения линейного режима работы усилит ля на его вход (в эмиттерную цепь первого транзистора первой структуры) задается некоторый ток смещения, который протекает от 25 шины 4 источника питания через резистор 6 и через транзисторь 1 первой структуры. Режимные токи всех и транзисторов 1 практически совпадают с точностью до базовых токов, На пряжение на коллекторе и-го транзистора первой структуры, равное произведению тока смещения (или входного тока) на сопротивление резистора 6, передается на нагрузку 5 усилителя и-м транзистором второй структуры, который выполняет Функции эмиттерного повторителя. Выходной потенциал равномерно распределяется между всеми и транзисторами 1 и 7 первой и второй структуры с помощью резистивного делителя 2 напряжения, Через резистивный делитель 2 протекают токи, определяемые как разность базовых токов транзисторов противоположной структуры, и при соответствующем выборе режимных токов транзисторов 1 и 7 с учетом их коэффициентов усиления по току указанные разностные токи оказываются существенно меньше соб ственно базовых токов транзисторов. В результате резистивный делитель 2 может быть выполнен высокоомным при сохранении высокой степени равномерности распределения напряжений между всеми транзисторами. Это позволяет снизить шунтирование нагрузки 5 ре-. зистивным делителем 2, увеличить число а последовательно соединенных транзисторов и сохранить высокую надежность усилителя при относительнобольших амплитудах выходных сигналов,Импульсные или высокочастотныесигналы, поданные на вход усилителя,усиливаются по напряжению транзисторами 1 первой структуры и далее претерпевают усиление по току транзисторами 7 второй структуры. Максимальное влияние на быстродействие схемыоказывает постоянная времени в высокоомной цепи коллектора и-го транзисгора первой структуры. Использование цепочек из и транзисторов позволяет снизить влияние емкостей коллектор - эмиттер и коллектор - база ви раэ, поскольку указанные емкоститранзисторов первой структуры включены последовательно, и утечка высокочастотного сигнала через указанныеемкости на общую шину 3 незначительна, Благодаря применению цепочкитранзисторов 7 влияние емкости нагрузки на указанную постоянную времени снижается пропорционально коэффициенту усиления по току транзисторов7 второй структурыВлияние емкости база - коллектори-го транзистора второй структуры может быть нейтрализовано введением дополнительного высокоомного резисторамежду (и)-м отводом резистивногоделителя 2 и базой (и)-го транзистора второй структуры, а также конденсатора между базой того же транзистора и выходом усилителя: в этомслучае изменения напряжения на переходе база - коллектор п-го транзистора второй структуры практическиотсутствуют и эффективное значениеего емкости коллекторной стремитсяк нугпо. Однако при этом оказываетсязафиксировано и напряжение коллектор - эмиттер г;го транзистора второй структуры, поэтому в определенной мере нарушается равномерностьраспределения напряжений между коллекторами и эмиттерами транзисторов1 и 7,Формула изобретенияУсилитель, содержащий и транзисторов первой структуры и резистивный делитель напряжения, имеющий п- отводов, первый вывод резистивного делителя напряжения соединен с базой первото транзистора первой структуЗаказ 5297/56 Тираж 900 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Производственно-полиграфическое предприятие,г.ужгород,ул.Проектная,4 ры и с общей шиной, между вторым выводом резистивного делителя напряжения и шиной источника питания включена нагрузка, коллектор ь-го транзисТора первой структуры соединен сэмиттером (д+1)-го транзистора, база которого соединена с д-м отводомрезистивного делителя напряжения(=1,п), эмиттер первого транзистора является входом усилителя,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения надежности путемболее равномерного распределения напряжений между транзисторами и увеличения быстродействия, введены резистор и и транзисторов второй структуры, причем коллектор первого транзистора второй структуры соединен собщей шиной, эмиттер п-го транзисто ра - с вторым выводом резистивногоделителя напряжения, база и эмиттер-го транзистора второй структурысоединены соответственно с базой(+1)-го транзистора первой структу"ры и с коллектором (+1)-го транзистора второй структуры, база и-готранзистора второй структуры соединена с коллектором и-го транзисторапервой структуры, между шиной источника питания и коллектором п-го транзистора первой структуры включе .резистор.