Составной транзистор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИА ЛИСТ ИЧЕСНРЕСПУБЛИК(191 (1 03 Р 3/1 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ: ОПИСА СТВУ А.Мусаелян,В26И. оставой сим- илиза- Элекитель в ста ис 3 в ОРтся к усилизобретения - мкости между(54) СОСТАВН (57) Изобрет тельной техн уменьшение п ТРАНЗ е отнЦел К АВТОРСКОМУ СВ(56) Заявка Великобританкл. Н 03 Г 3/30, опубликДодик С.Д Штильманные транзисторы с дополнметрией и их применениеторах напряжения и фильттросвязь, 1973, .Мф 4, с. базой и коллектором составного транзистора (Т) и повышение его устойчивости. Составной Т содержит четыреТ 1, 2, 3 и 5, резистор 4, элемент6 смещения, элемент 7 стабилизациии две корректирующие цепи (КЦ) 8 и 9.Введение Т 5 и элементов 6 и 7 в сос"тавной Т значительно уменьшает составляющую тока через емкость перехода база-коллектор Т 1, что эквивалентно существенному уменьшению паразитной емкости база - коллектор составного Т. Составной Т по п,2 ф-лыотличается введением КЦ 8 и 9, представляющих собой комбинации резисторов и конденсаторов, с помощью которых увеличивается устойчивость схемна составном Т. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.где Б 0 1= В 1,;ПРэ.къ 8 г4 Изобретение относится к усилительной технике и может быть использовано в качестве усилительного элементадля построения инерционных звеньеввторого порядка.Целью изобретения является уменьшение паразитной емкости между базойи коллектором составного транзистора,а также повышение устойчивости.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема составного транзистора,Составной транзистор содержит пер"вый, второй и третий транзисторы 1-3,резистор 4, четвертый транзистор 5,элемент б смещения, элемент 7 стабилизации, первую и вторую корректирующие цепи 8 и 9.Составной транзистор работает следующим образом,Эмиттерный ток составного транзистора 1 з, задаваемый внешними элементами смещения, перераспределяется всоответствии с соотношением 1 =Е +1 + - - - ф 13 Еээ э4 где 11 - эмиттерные токи первого 1 и второго 2 транзисторов,- прямое падение напряжения на переходе ба"за - эмиттер второготранзистора 2;Кд - сопротивление резистора 4.Ток коллектора третьего транзистора 3 связан с током 1, коллектора первого транзистора 1 и с базовым током 1 второго транзистора 2, соответственно, следующими формулами: где Вэ - коэффициент передачи токабазы третьего транзистора 3.Элемент 7 стабилизации обеспечивает стабильность включения составного транзистора., задавая некий начальный (незначительный) ток в базу четвертого транзистора 5 при включении источника питания. Элемент 7 может быть выполнен, например, в виде резистора.Величина коллекторного потенциала первого транзистора 1 может быть записана в виде соотношенияк Р Вэ э см Бэ 4 ф потенциал на базепервого транзистора 1;прямые падения напряжения на переходахбаза - эмиттер, соответственно, первогои четвертого транзисторов 1 и 5;падение напряженияна элементе б смещения (в качестве элемента б может быть 5 использован, например, диод или стабилитрон).Учитывая, что прямое падение напряжения на переходе база - эмиттер20 транзистора меняется незначительно сизменением режимного тока, считается,что изменения потенциала на базе составного транзистора практически точно повторяются на коллекторе первого25 транзистора 1. При этом значительноуменьшается составляющая тока череземкость перехода база - коллекторпервого транзистора 1, что эквивалентно существенному уменьшению пара 30 зитной"емкости база - коллектор составного транзистора. Кроме того, изза фиксации напряжения коллектор -эмиттер первого транзистора 1 возрастает дифференциальное сопротивлениеего коллекторного перехода и соответ 35ствующее сопротивление составноготранзистора, В результате при использовании составного транзистора в схеме с общим коллектором существенно40 повышается входной импеданс повторителя напряжения, а в схеме с общимэмиттером - коэффициент усиления понапряжению,Для увеличения устойчивости схем45 на составном транзисторе в него введены первая и вторая корректирующиецепи 8 и 9, которые представляют собой, как правило, ту или иную комбинацию резисторов и конденсаторов. Впростейшем случае одна корректирующая цепь может быть выполнена в видепоследовательной КС-цепи, тогда другая - в видеинтегрирующего конденсатора. В частности, при использовании составного транзистора в звеньях второгопорядка первая 8 и вторая 9 корректирующие цепи обеспечивают получение двухполюсной передаточной функ"ции схемы.1293826 Формула изобретения Составитель П.Дик Техред Л.Сердюкова Корректор Г. Решетник Редактор Л.Повхан Тираж 902 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 395/58 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1. Составной транзистор, содержащийпервый и второй транзисторы одной структуры и третий транзистор другой структуры, при этом база и эмиттер первого транзистора, являются соответственно базой и эмиттером, а коллектор второго - коллектором составного транзистора, эмиттеры первого и третьего транзисторов соединены соответственно с эмиттером и коллектором второго транзистора, между базой и эмиттером второго транзистора включен резистор, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью уменьшения паразитной емкости между базой и коллектором составного транзистора, в него введен четвертый транзистор, структура которого совпадает со структурой первого транзистора, причем эмиттер и база четвертого транзистора соединены соответственно сколлектором первого и коллекторомтретьего транзисторов, коллекторчетвертого транзистора соединен сбазой третьего транзистора, междубазами второго и четвертого транзисторов включен элемент смещения, а 10 между базой четвертого и коллекторомвторого - элемент стабилизации. 2. Транзистор по и.1, о т л и -ч а в щ и й с я тем, что, с цельюповышения устойчивости, между базой,и эмиттером второго транзистора включена первая корректирующая цепь, амежду базой и эмиттером третьеготранзистора - вторая корректирующая 20 чепь.