Шихта для получения керамического диэлектрического материала

Номер патента: 1268544

Авторы: Балашова, Колчин, Михайлова, Сазонова

ZIP архив

Текст

1268544 61,07-62,38 23,67-26,542,62-2,73 0,55-0,58 6,37-6,64 0,20-0,21 0,10-0,11 2,54-3,96 Таблица 1 Содержание компонентов, мас.% ;в шихте состава Компоненты шихты1 2 3 4 5 62,38 61,07 61,07 61,13 62,21 Васо,ВаС 1 2,54 2,54 3,96 2,69 Т 10 г 25,24 26,54 24,70 23,67 26,3 2,73 2,62 2,62 2,70 2,64 СаО 0,58 0,55 0,58 0,56 ггог 6,38 6,37 6,37 6,64 6,62 ЯпОг 0,21 В 2.гОз Яш Оэ 0,20 0,20 0,20 0,20 0,10 0,11 0,11 О 10 Изобретение относится к составамдля производства керамических диэлектрических материалов на основесистемы титанат бария - станнаткальция - цирконат кальция, пригодных для изготовления силовых малогабаритных конденсаторов,.Цель изобретения - повышениедиэлектрической проницаемости, снижение температуры синтеза материалаи температуры обжига изделий,П р и м е р 1. Пихту готовятпутем измельчения исходных компонентов с барийсодержащим компонентом,состоящим из 96% углекислого барияи 4% хлористого бария, в шаровоймельнице методом мокрого помола присоотношении материал : шары ; вода1 ; 1 : 0,8, после чего полученную смесь сушат и синтезируют при1260 С в течение 2 ч,Затем спек дробят и пластифицируют поливиниловым спиртом Из полученного пресс-порошка прессуютизделия, сушат их и обжигают при1315 С в течение 2 ч,П р и м е р 2. Шихту готовятпутем измельчения исходных компонен;тов с барийсодержащим компонентом,состоящим из 94% углекислого барияи 6% хлористого бария в шаровой1мельнице, Остальные технологическиеоперации аналогичны примеру 1, Обжигизделий ведут при 1315 С в течеоние 2 ч,2П р и м е р 3. Шихту готовятпутем измельчения исходных компонентов с барийсодержащим компонентом,состоящим из 95% углекислого бария5 и 5% хлористого бария, Все последующие технологические операции аналогичны приведенным в примере 1. Темопература обжига изделий 1315 С.В табл, 1 приведены составы пред 10 лагаемой шихты,В табл, 2 приведены основные характеристики образцов, изготовленныхиз предлагаемой шихты,15 Формула изобретения Шихта для получения керамическогодиэлектрического материала, включающая углекислый барий, оксиды титана, 20 кальция, циркония, олова, висмутаи самария, о т л и ч а ю щ а я с ятем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и снижениятемпературы синтеза материала и температуры обжига изделий, она дополнительно содержит хлорид бария приследующем соотношении компонентов,мас,%;Углекислый барий30 Оксид титанаОксид кальцияОксид цирконияОксид оловаОксид висмутаЗ 5 Оксид самарияХлорид бария1268544 Таблица 2 Показатели для состава свойства Диэлектрическаяпроницаемость 11000 11500 10500 13000 10000 Тангенс угладиэлектрических потерь 0,005 0,006 0,005 -; 0,006 0,008 1 о1 ОЗаказ 5988/22 Тирак 640 Поднасное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытнй 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5

Смотреть

Заявка

3837457, 28.11.1984

ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ПРОЕКТНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОКЕРАМИКИ

КОЛЧИН ВЛАДИМИР ВЛАДИМИРОВИЧ, МИХАЙЛОВА НАДЕЖДА КОНСТАНТИНОВНА, БАЛАШОВА ЕЛЕНА МИХАЙЛОВНА, САЗОНОВА ИННА СЕРГЕЕВНА

МПК / Метки

МПК: C04B 35/46, C04B 35/468

Метки: диэлектрического, керамического, шихта

Опубликовано: 07.11.1986

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1268544-shikhta-dlya-polucheniya-keramicheskogo-diehlektricheskogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для получения керамического диэлектрического материала</a>

Похожие патенты