-гсо-озная

О П И С А Н И Е 369688ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства347899Заявлено 12.Х,1970 ( 1480482/26-9) Кл. Н 031 с 4/02 рисоединением заявки Приорите Комитет оо делам зебретений и отнрыти ори Совете Министров СССРУДК 621.373.531(088,8) убликовано 08.И.1973. Бюллетень1 та опубликования описания 23.11.1973 Авторыизобретени М. А, А ян и Е. Б, Алексеев Ленина энергетический институт явител осковскии ор ЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛ ЕДОВАТЕЛЪНОСТ ого под- смеще- ианк Предлагаемый генератор относится к области наносекундной импульсной техники и может найти применение при разработке цифровых измерительных приборов, в осциллографах и т. д.5По основному авт. св.347899 известенинформатор импульсной последовательности.Однако известный генератор не обеспечивает возможности формирования ступенчатогонапряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов,С целью обеспечения возможности формирования ступенчатого напряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов в предлагаемом генераторе между входом запускающих импульсов и базой транзистора первогоключа введен дополнительный транзистор,коллектор которого заземлен, а эмиттерподключен к коллектору транзистора первогоключа, к которому через резисторы подключены коллекторы транзисторов всех последующих ключевых каскадов.На фиг, 1 приведена принципиальная схема описываемого генератора импульсной последовательности; на фиг. 2 - его временная 25диаграмма,Эмиттер транзистора 1, база которключена к источнику отрицательногония через делитель на резисторах 2источнику входных сигналов через конденса- ЗО тор 4, связан с коллектором транзистора 5 а к его эмцттеру подключен катод диода б г накоплением заряда (анод последнего подсое динен к общей шцце) и блок 7 импульсногс питания диода.Коллектор транзистора 5 через резистор 8 соединен с источником положительного постоянного напряжения, через резистор 9 - с коллектором транзистора 10, к эмпттеру которого подключен катод диода П с накоплением заряда (анод последнего подсоединен к общей шине) и блок 12 импульсного питания. Аналогичным образом коллектор транзистора 5 соединен с коллекторами транзисторов последующих каскадов,Величина сопротивлений, включенных между коллектором транзистора 5 и коллекторами транзисторов последующих каскадов, растет от каскада к каскаду. Так, например, сопротивление резистора 13, включенного между коллектором первого каскада (транзистор 5) и коллектором транзистора последнего каскада (транзистор 14) намного превышает сопротивление резистора 9.База транзистора 5 через делитель на резисторах 15 и 1 б подключена к источнику отрицательного смещения, а через конденсатор 17 - к источнику входных сигналов, База транзистора 10 связана с источником отрицательцого смещения через делитель ца резисторах 18 и 19 и через конденсатор 20 и линию задержки 21 - с источником входных сигналов. Таким же образом базы транзисторов в последующих каскадах связаны с источником отрицательного смещения и источником входных сигналов, при этом перед каждым последующим каскадом включается дополнительно линия задержки, например, между источником входных сигналов и базой транзистора п-го каскада включается (и - 1) линия задержки.В исходном состоянии транзистор 1 типа р - п - р открыт за счет отрицательного смещения на базе, транзистор 5 типа п - р - и, транзистор 10 типа и - р - и и транзистор 14 типа и - р - и закрыты. Через диоды б, 11 и 22 с накоплением заряда протекают прямые токи, обуславливаемые источниками импульсного питания 7, 12 и 23 соответственно (применение импульсного питания диода с накоплением заряда улучшает характеристики сигнала на выходе схемы).С приходом запускающего сигнала положительной полярности транзистор 1 закрывается, одновременно выключается блок 7 импульсного питания диода б с накоплением заряда и открывается транзистор 5 на время, равное длительности фазы высокой обратной проводимости диода 6,В этот период напряжение на коллекторе транзистора 5 равно сумме падений напряжений на диоде 5 и транзисторе 5 и пренебрежимо мало (У на фиг. 2).Одновременно запускающий перепад, р аспространяясь через линию задержки 21, включает следующий каскад на транзисторе 10 и диоде 11 с накоплением заряда, выключая блок 12 импульсного питания диода 11.По окончании длительности фазы высокой обратной проводимости диода б (при соответствующем подборе длины линии задержки 21) начинается фаза высокой обратной проводимости диода 11, при этом перепад напряжения на коллекторе транзистора 5 определяется делителем, образованным резистором 8 и суммой сопротивлений резистора 9, насыщенного(открытого) транзистора 10 и диода 11 (Кна фиг, 2),Таким же образом последовательно вклю 5 чаются в работу отдельные каскады. На выходе формируются перепады напряжения большей величины, соответствующие большим значением сопротивлений резисторов, включенныхмежду коллектором транзистора 5 и коллек 10 торами транзисторов в последующих каскадах.При окончании положительного перепадана входе транзистор 1 снова открывается,шунтируя коллектор транзистора 5, Напряже 15 ние на выходе резко падает (фиг, 2). Схемаснова готова к работе.Изменяя сопротивления резисторов 9, 13и т. д., можно регулировать величину соответствующей ступеньки напряжения (У 2, Уз, У20 на фиг. 2), изменяя длительности фазы высокой обратной проводимости диодов б, 11, 22и т. д., изменением величины прямого тока,протекающего через них; синхронно с изменением времени задержки срабатывания соот 25 ветствующих каскадов можно регулироватьдлительность любой ступеньки напряжения(Ть Т, Тз, Т 4 на фиг. 2). Количество формируемых на выходе ступенек напряжения определяется числом каскадов предлагаемого30 устройства. Предмет изобретенияГенератор импульсной последовательности З 5 по авт. св. М 347899, отличающийся тем, что,с целью обеспечения возможности формирования ступенчатого напряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов, между входом запускающих импульсов и базой транзи стора первого ключа введен дополнительныйтранзистор, коллектор которого заземлен, а эмиттер подключен к коллектору транзистора первого ключа, к которому через резисторы подключены коллекторы транзисторов всех 45 последующих ключевых каскадов.369688 Йод 4 иг. едактор М. Афанась Заказ 1127/11 Изд.1276 Тираж 780 Подписно ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5