Свч-фазовращатель

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 19) Ш 51)4 Н 01 Р 1/ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СВИДЕТЕЛЬСТВ Н ДВТОРСН полос форму Поверхность 4 ДВ 3 имеисываемую уравнением:г кН, +(б )1 н /Нк+1 б (и-к 1 Е1=е(л .) -и(. ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(57) Изобретение относится к техникеСВЧ, Улучшается согласование при повышении диапазона регулирования фазы, Фазовращатель содержит отрезоксимметричной линии передачи, междузаземляющими пластинами 1 и,централь"ным проводником (ЦП) 2 которой установлена без зазора диэлектрическаявставка (ДВ) 3, ДВ 3, пластины 1 установлены с возможностью перемещенияперпендикулярно относительно продольной оси ЦП 2, ЦП 2 выполнен в виде где Н - величина зазора между пластинами 1 вне ДВ 3; с относительная диэлектрическая проницаемость ДВ 3; К - порядковый номер дискрета перемещения ДВ 3; и - число дискретов; Н к - высота ДВ 3 на К ом дискрете перемещения;- индекс переменного суммирования ( = 1, 2,1 с),) Исполь" зование ДВ 3 данной формы приводит Ж к улучшению согласования при ее пере мещении. ДВ 3 может быть выполнена из материала с более высокой , за счет чего повышается диапазон регулирования фазы без ухудшения согласова- ф ния. 1 ил.Изобретение относится к технике СВЧ и предназначено для изменения фазы электромагнитной волны в радиотехнических устройствах.Целью изобретения является улучшение согласования при повьппении диапазона регулирования фазы.На чертеже изображен фазовращатель СВ 1, поперечный разрез.Фазовращатель СВЧ содержит отре 1 О зок симметричной линии передачи, между заземляющими пластинами 1 и центральным проводником 2, которой .установлена без зазора диэлектрическая вставка 3, Диэлектрическая встав 15 ка 3 и заземляющие пластины 1 установлены с возможностью совместного перемещения перпендикулярно относительно продольной оси центрального проводника 2. Центральный проводник 20 2 выполнен в виде полоска. Поверх ность 4 диэлектрическойвставки 3, соприкасающаяся с заземляющими пластинами 1, имеет форму, описываемую уравнениемНо Е+1 Н,- + - (ис) Е - +Н Е Н),30и - ):) - ищ О,где Н - величина зазора между зазем"Оляющими пластинами 1 внедиэлектрической вставки 3, 35Е - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрической вставки 3;- порядковый номер дискретаперемещения диэлектрической 40вставки 3;- индекс переменного суммирования (д = 1 2 е Ии - общее число дискретов;Н - высота диэлектрической вставкки 3 на К-м дискрете перемещения.Фазовращатель СВЧ работает следующим образом.При перемещении диэлектрической 50 вставки 3 с заземляющими пластинами 1 перпендикулярно относительно продольной оси центрального проводника 2, в направдении к нему, фазовая скорость волны, распространяющейся, по 55 симметричой линии передачи, уменьшается. При полном введении диэлектрической вставки 3 фазовая скорость волны минимальна. Для сохранения неизменной величины волнового сопротивления симметричной линии передачи необходимо поддерживать неизменной ве 2личину произведения С Са = С , гдеСх - погонная емкость на Е-м дискретеперемещения диэлектрической вставки3; Са - то же, при условии удалениядиэлектрика; Со - начальная погоннаяемкость (в случае выведенной диэлектрической вставки 3).Выбирая С из условия обеспечениятребуемого волнового сопротивления иучитывая погонные емкости С и С,определяемые как сумма емкостей плоских конденсаторов, получаем уравнение,определяющее форму поверхности 4 диэлектрической вставки 3, Использование диэлектрической вставки 3 даннойформы приводит к улучшению согласования при ее перемещении совместно сзаземляющими пластинами 1. Форма поверхности 4, описываемая укаэаннымуравнением, применима и для несимметричной полосковой линии передачи, Вэтом случае величина Н равняетсяорасстоянию между заземляющим основанием и полосковым проводником.В предлагаемом фазовращателе СВЧдиэлектрическая вставка 3 может бытьвыполнена из материала с более высокой относительной диэлектрическойпроницаемостью, эа счет чего повышается диапазон регулирования фазыбез ухудшения согласования,1Выбирая число п достаточно большим, можно аппроксимировать зависимость, описывающую форму поверхности.4, В результате получают поверхность 4 диэлектрической вставки 3не ступенчатую, а плавную как этопоказано на чертеже,Формула изобретенияСВЧ-фазовращатель, содержащий отрезок симметричной линии передачи, диэлектрическую вставку, установленную без зазора между заземляющими пластинами и центральным проводником симметричной линии передачи, причем диэлектрическая вставка и заземляющие пластины установлены с возможностью совместного перемещения перпендикулярно относительно продольной оси центрального проводника, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения согласования при повышении1243048 Н высота диэлектрической Квставки на К м дискрете перемещения; 10- индекс переменного суммиро вания ( = 1,2К),Составитель В. КурьяновРедактор А. Ворович Техред Л.Олейник Корректор А. Зимокосов Заказ 3713/53. Тираж 597 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 диапазона регулирования фазы, центральный проводник выполнен в видеполоски, а поверхность диэлектрической вставки, соприкасающаяся с заземляющими пластинами, имеет форму,описываемую уравнениемс к Нф 1к Н+ - (ис)-+кН Нк- Ь-ц = огде Н, - величина зазора между заземляющими пластинами вне диэлектрической вставки; относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрической вставки;порядковый номер дискретаперемещения диэлектрическойвставкиобщее число дискретов;