Способ контроля адгезии пленок

,ЯО 12296 Ю 4 С 01 М 19 04 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН СТВУ АВТОРСКОМУ СВИ(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ (57) Изобретение отно тельной технике, а им контроля адгезии плен АДГЕЗИИ ПЛЕНОК ится к испытанно к способам к, и позволяет ГОСУДАРСТВЕККЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(56) Авторское свидетельство СССР9 395750, кл, С 01 Б 19/04, 1971.Заводская лаборатория, 1979,У 5, с. 457-458. расширить функциональные возможности1путем обеспечения приложения разруЦ1 шающей нагрузки на участках протяженностью не более 100 мкм и ускорить контроль адгезии пленок к подложке. Воздействуют на пленку с помощью не менее двух одинаковых источников разрушения в виде лазеров, расположенных один от другого на расстоянии 1, определяемом из условия 1 3 а 1, где а - коэффициент теплопроводности материала подложки;- длительность воздействия источников разрушения. Размещение источников разрушения на заданном расстоянии один от другого позволяет контролировать качество адгезии одновременно в разных местах поверхности испытуемых образцов б э расплавления пленки. 1 з.п. ф-лы.6 3 а 1. 4 С 45 5 С 55 Изобретение относится к испытательной технике, а именно к способамконтроля адгезии пленок,Цель изобретения - расширениеФункциональных возможностей путемобеспечения приложения разрушающейьагрузки на участках протяженностьюне более 100 мкм и ускорение контроля адгезии пленок.Способ осуществляют следующимобразом.На подложку наносят испытуемуюпленку одним из известных способови доводят ее до отверждения. Послеотверждения пленки воздействуют нанее разрушающей нагрузкой с помощьюне менее двух одинаковых источниковразрушения в виде лазеров, При этоминтенсивность источников разрушениявыбирают превышающей пороговую интен"сивность разрушения пленки,Источники разрушения располагаютодин от другого на расстоянии 1, определяемом из условия где а - коэффициент теплопроводностиматериала подложки;- длительность воздействия источников разрушения,Использование не менее двух одинаковых источников разрушения обуславливает образование нескольких зон разрушения в пленке одновременно и ускорение процесса контроля адгезии на одном образце. Минимальная площадь разрушения пленки от одного источника разрушения определяется его интенсивностью, а максимальная площадь разрушения пленки на одном образце выбирается из условия одновременного размещения источников разрушения на расстоянии 1=Гай . В случае размещения источников разрушения на расстоянии 1 меньше указанного, пленка. расплавляется при наложении импульсов один на другой иэ-за отсутствия достаточного теплоотвода в материал. подложки. Максимальное расстояние между источниками разрушения ограничивают исходя из размеров контролируемой площади образца не более 100 мкм.Чем меньше величина адгезии пленки к подложке, тем значительнее роль гидродинамических эффектов в процессе разрушения пленки и ниже порог их разрушения из-за возрастания внутрен них напряжений, приводящих к увели 10 15 20 25 30 35 ченню размеров зоны разрушения, При воздействии на пленку лазером на ее поверхности разрушение начинает развиваться в местах максимальных интенсивностей источников разрушения,Расплав пленки начинает стягивать" ся под действием сил поверхностного натяжения к краям эоны разрушения. В случае хорошей адгеэии пленки к подложке разрушить всю пленку между максимумами источников разрушения невозможно, не доведя ее до температуры испарения. Температура нагрева пленки зависит от теплопроводности материала подложки, качества сцепления пленки с подложкой и длительности воздействия источников разрушения на пленку, Для тонких пленок характерно неравномерное распределение адгезии, поэтому следует более тщательно подготовить поверхность подложки для нанесения на нее пленок. После воздействия на пленку источниками разрушения определяют площадь разрушения пленки, по величине которой судят об адгезии пленок к подложке. Для количественной оценки величины адгезии используют косвенный метод измерения, заключающийся в сравнении минимального расстояния, при котором разрушается область пленки между двумя источниками разрушения с градуировочной кривой зависимости силы адгезии от расстояния между источниками разрушения, определяемой каким-либо известным методомФормула изобретенияСпособ контроля адгезии пленок при котором пленку наносят на подложку, воздействуют на нее разрушающей нагрузкой и по площади разрушения судят об адгезии, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью расширения его Функциональных возможностей путем обеспечения приложения разрушающей нагрузки на участках протяженностью це более 100 мкм и ускорения контроля, воздействие на пленку осуществляют с помощью не менее двух одинаковых источников разрушения, интенсивность которых превышает пороговую интенсивность разрушения пленки и которые располагают один от другого на расстоянии 1, определяемом из условияХат,1229656 Составитель В. СвиридовТехред В,Кадар Редактор Е. Папп Корректор А. Тяско Заказ 2445/44 Тираж 778 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам. изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раущская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическоепредприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 где а - коэФфициент теплопроводности материала подложки; С - длительность воздействия иск точников разрушения, 42. Способ по.п.1, о т л и ч а в - щ и й с я тем, что н качестве источников разруаения используют лазеры.