Стекло и способ его получения

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 09) (11) Озсз ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ/9 ОПИСА ОБРЕТ ИЯ Н АВТОРСК(54) СТЕКЛО И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ(57) 1. Стекло, включающее Ч 05,ЕпО, ВаО, В О, о т л и ч а ю щ ес я тем, что, с целью повьппениядиэлектрической проницаемости, онсодеряят укаэанные компоненты при ошении, ма 51 в 20 525 9,96-10,2 20 ь 12 2017 16,54-18,4 дую и со пОаО203 чени сисекла н ВаО п в сре т л и Способ пол Ч,О- В,О его при 1 рода и ныр йся тетеме варк кисл Еп 100-12е ботки, очто, с еской пр ботникова а -оныю щ юен ницаемости, ие расплава диэлектри тнляют ба осущ едут токеЯ м, а ныр ифугирон екла кисларо ливкой с цен откунием ислорода1203041 Таблица 2 ФизикохимичесПоказатели кие иэлектрофизическиесвойства 60 70 70 480 4803, 1 1 3, 12 лщНО,% 52 4,0 5,0 20 Ь Рхоо 6 2 6,8 6,2 Т а б л и ц а 1 Компоненты 52,02 51120 52,50 10,16 10,20 20,24 20,76 18,40 16,54 9,96 2 п О 20,12 17,90 ВаО ВО 1%Изобретение относится к материаповедению электронного приборостроения и может быть использовано при получении гомогенных стекловидных материалов для изготовления конденсаторов и компонентов межслойной изоляции больших гибридных схем,В радиоэлектронике для изготовления стеклокерамических конденсаторов и компонентов межслойной изоляции больших гибридных схем применяются легкоплавкие боратные и боросиликатные стекла, содержащие оксиды свинца, меди, щелочноземельных элементов, как матричные материалы,Увеличение значений диэлектрической проницаемости в конденсаторныхматериалах, а также получение высокой проводимости резисторов добиваются снижением содержания стекла (снйзкой Е ) в составе материала. Повышение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрическихпотерь достигается введением в стекло полидисперсных оксидных Фаз 3070%, что приводит к ухудшению технологических характеристик, удорожанию технологического процесса и нестабильности свойств указанных композиционных материалов в условияхэксплуатации. Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости,1(онкретные составы стекол даныЪв табл. 1; основные свойства стекол - в табл. 2. Содержание компонентов, мас.% 63 ( 44 ) 65Т, С 48015 й, г/см 3, 09 Из табл. 2 следует что предлагаемые стекла обладают повышенной ди 25 электрической проницаемостью ( с =60-70),П р и м е р. Синтез проводят валундовых или корундовых тигляхемкостью до 0,5 л, Шихту засыпаютв тигель, прогретый до 500-550 С,при этой температуре тигель помещается в печь и температура в рабочей полости печи поднимается до600-650 С, при этой температуре делается выдержка 30 мин. При 500 С35в рабочую полость печи подают аргон,т.е. для предотвращения переходаЧ -л. Ч в твердой фазе реакционного процесса стеклования, до появления расплава. После 30 мин выдержкитемпература поднимается от 600650 до 1150 С и в печь подаетсякислород. Через 20 мин после образования расплава в тигель с расплаВом опускают алундовую трубку с прорезями и через нее в течение 30 минв расплав уже с целью барботажападают кислород при расходе 15 -20 л/ч. Выработку производят в устройстветипа центрифуги на вращающеесяо роторное тело с перфорированной насадкой (скорость вращения роторного тела 5000 об/мин). В рабочее пространство центрифуги подают кислород при расходе 30 л/ч. В результате выработки на поддоне центрифуги образуется гранулят, легко удаляезмый из поддона. Диаметр шариковстекла 1-2 мм,Составитель Г.БуровцеваРедактор Н.Гунько Техред И.Асталош Корректор В. Бутяга Заказ 8380/28 Тираж 456 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Полученное таким способом стекло перерабатывают различными приемами в изделия нужной конфигурации и размеров.Предлагаемое стекло при применении обеспечивает повыпение стабильности свойств (в процессе синтеза состав стабилен)и,физико"химичес 1203041 4ких параметров материала в процессеэксплуатации,Полученный гомогенный стеклообраьный материал для конденсаторов диэлектрической проницаемостью Е == 60-70, обеспечивает стабильнуювоспроизводимость свойств, т.е.решается важнейшая для микроэлектроники .технологическая задача кон структивной проработки узлов и деталей современных приборов.