Свч линия задержки

СОЮЗ СО 8 ЕТСКИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИКН 03 Н 7/30 ЕНИЯ ТЕЛЬСТВУ оеналвый АДЕРЖКИ,нку., нане монокрис рополоск татическ оверхнос и Зн четале О 8 ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫИ КОМИТЕТ СССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ ОПИСАНИЕ АВТОРСКОМУ С(71) Ордена Трудового Красного амени институт радиотехники и электроники АН СССР(56) 1 Патент Англии Р 1573171, кл. Н 03 Н 9/22, опублик. 20,08.80.2Андреев А.С., Зильберман П.Е., Кравченко В.Б. и др. ЭфФекты взаимодействия магнитостатических и упругих волн в структурах с касательно намагниченной пленкой железоиттриевого граната субмикронной толщины; Письма в ЖТФ. 1984, т. 10, В 2, с, 90-94 (прототип) . о ддауд.(54) (57) 1, СВЧ ЛИНИЯ 3сдержащая ферритовую пле сную на одну поверхность тлической подложки и мик опреобразоваетль.магнитос ихволн, расположенный на п тферритовой пленки, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью увелиния времени задержки и уменьшениятерь, другая поверхность монокрислической подложки выполнена в виддвух полированных плоскостей, персекающихся под тупым двухграннымлом (, причем линия пересеченияполированных плоскостей параллелпродольной оси микрополоскового пробразователя и расположена с нейодной плоскости, делящей тупой дгранный уголпополам.1152078 2. СВЧ линия задержки по и, 1, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью получения задержанного сигнала в виде одного импульса, величина ту пого двухгранного углавыбрана из условия ц. 47где К . - пространственный декрементмагнитостатической волныК - волновое число ультразвукав подложке на частоте магнитостатической волны.Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использованодля задержки сигналов в антенно-фидерных системах и системах аналоговойобработки сигналов. 5Известна СВЧ линия задержки, содержащая монокристаллическую подложкуна края которой нанесены ферритовыепленки, и преобразователи магнитостатических волн, размещенные на по Оверхности Ферритовых пленок Я .Недостатками данной линии задержки являются малое время задержки,/относительно большие потери и невоз -можность регулирования времени задержки.Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности являетсяСВЧ линия задержки, содержащая Ферритовую пленку, нанесенную на одну по- щверхность монокристаллической подложки, и микрополосковый преобразователь магнитостатических волн, расположенный на поверхности ферритовойпленки 21 .25Недостатками известной СВЧ линиизадержки также являются малоевремязадержки и относительно большие потери,Цель изобретения - увеличение времени задержки и уменьшение потерь.Поставленная цель достигается тем,что в СВЧ линии задержки, содержащейФерритовую плбнку, нанесенную наодну поверхность монокристаллическойподложки, и микрополосковый преобразователь магнитостатических волн,расположенный на поверхности ферритовой пленки, другая поверхность моно- -кристаллической подложки выполнена ввиде двух полированных плоскостей,пересекающихся под тупым двухгранным углом ,причем линияпересечения полирован.ных плоскостей параллельна продольной оси микрополоскового преобразователя и расположена с ней в одной плоскости, делящей тупой двухгранный угол с пополам.С целью получения задержанного сигнала в виде одного импульса, величина тупого двухгранного угла с выбрана из условиягде К" - пространственный декрементмагнитостатической волны,Кз - волновое число ультразвукав подложке на частоте магнитостатической волны.На чертеже изображена СВЧ линия задержки.СВЧ линия задержки содержит Ферритовую пленку 1, нанесенную на поверхность 2 монокристаллической подложки 3, и микрополосковый преобразователь 4 магнитостатических волн, расположенный на поверхности ферритовой пленки 1. Другая поверхность монокристаллической подложки Э выполнена в виде двух полированных. плоскостей 5 и 6, пересекающихся под тупым двухгранным углом у . Линия 7 пересечения двух полированных плоскостей 5 и 6 параллельна продольной оси микрополоскового преобразователя 4 и расположена с ней в одной плоскости 8, Плоскость 8 делит тупой двухгранный уголпополам. Торцовые поверхности 9 и 10 монокристаллической подложки 3 выполняются поглощающими или шероховатыми.СВЧ линия задержки работает следующим образом.Ферритовая пленка 1 на монокристаллической подложке 3 помещается в магнитное поле Н, которое насыщает ферритовую пленку 1. При подаче на микрополосковый преобразователь 4 радиоимпульса с частотой ы и с длительностьюв ферритовой пленке 1 возбуждаются импульсы магнитостатических волн, которые распространяются от микрополоскового преобразователя 4 влево и вправо (стрелками указаны направления распространения). Вследствие эффекта магнитострикиии 10 импульсы магнитостатических волн изЛучают в ферритовую пленку 1 и в моно- кристаллическую подложку 3 импульсы ультразвуковых волн, которые имеют ту же частоту у , что и магнитостати ческие волны, При этом составляющие волновых векторов 1 К магнитостатических и ультразвуковых волн паралельные поверхности 2 ферритовой пленки 1, одинаковы и зависят от час тоты Ж и магнитного поля Н. Поскольку полный волновой вектор ультразвуковых волн в монокристаллической подложке 3 имеет длину К .= - гдеИу У525 У - скорость звука, то ультразвуковые волны излучаются в монокристаллическую подложку 3 в направлениях, которые составляют с нормалью к ферритовой пленке 1 углы, равные агсгя ( - ) .30 Ультразвуковые волны доходят до двух полированных плоскостей 5 и б монокристаллической подложки 3, отражаются от них и возвращаются к плоскости ферритовой пленки 1. Поскольку две полированные плоскости 5 и б и поверхность 2 непараллельны, то углы падения на поверхность 2 40 ультразвуковых волн, отраженных от обеих полированных плоскостей 5 и б, отличаются от углов к . Вследствие этого составляющие волновых векторов отраженных ультразвуковых волн па- .45 , раллельиые поверхности 2, также отли- ;чаются от первоначальных своих значений фК. После,а отражений эти составляющие волновых векторов ультразвуковых волн становятся равными50К, (т) = й К+пк,(",-Ч)и после т отражений где во 1 е ,р. равными нулю, т.е. после и отражений ультразвуковые волны падают на поверхность 2 нормально, Такие ультразву ковые волны после отражения от поверхности 2 пойдут по тем же лучам, но в обратном направлении. (Ход ультразвуковых волн в монокристаллической подложке 3 показан ломаными линиями, причем стрелками указаны направления распространения. Видно,что после щ отражений ультразвуковые волны начинают возвращаться к микро- полосковому преобразователю 4),Пока ультразвуковые волны удаляют от микрополоскового преобразователя 4, т.е. при вв , они при каждом отражении от поверхности 2 излучают магнитостатические волны, которые также удаляются от микрополоскового преобразователя 4 и не принимаются им, а поглощаются нли рассеиваются на торцовых поверхностях 9 и 10. После того, как число отражений превысит щ ., ультразвуковые волны пойдут в обратном направлении и при каждом отражении от поверхности 2 станут излучать импульс магнитостатических волн,Р который принимается микрополосковым преобразователем 4. Таким образом, возникает серия импульсов магннтостатических волн, задержанных относительно поданного радиоимпульса. длительность задержки Г равна вреЭмени, необходимому для того, чтобы ультразвуковые волны могли испытать 1 п отражений, т.е.Я 133 где о - толщина монокристаллическойподложки.Наиболее интенсивный импульс магнитостатических волн соответствует числу отражений ультразвуковых волн, равному 2 в, так как при этом составляющие волновых векторов ультразвуковых, волн и магнитостатических волн, направленные вдоль поверхности 2, равны, Затухание магнитостатических волн, характеризующиеся пространственным декрементом К , позволяет сформиро йвать задержанный сигнал в виде одного импульса магнитостатических волн, если выбрать тупой двухгранный уголлиз условия сс -" /с временем ва держки4,2ъ Ч са 71- ср 1Предлагаемая СВЧ линия задержки по сравнению с известными СВЧ линиями задержки на магнитостатических волнах обеспечивает в 30-50 раз большее время задержки и на 10-20 дБ меньшее затухание.