Темирязев
Свч линия задержки
Номер патента: 1152078
Опубликовано: 23.04.1985
Авторы: Гуляев, Зильберман, Огрин, Темирязев, Шимко
МПК: H03H 7/30
...1. Другая поверхность монокристаллической подложки Э выполнена в виде двух полированных. плоскостей 5 и 6, пересекающихся под тупым двухгранным углом у . Линия 7 пересечения двух полированных плоскостей 5 и 6 параллельна продольной оси микрополоскового преобразователя 4 и расположена с ней в одной плоскости 8, Плоскость 8 делит тупой двухгранный уголпополам. Торцовые поверхности 9 и 10 монокристаллической подложки 3 выполняются поглощающими или шероховатыми.СВЧ линия задержки работает следующим образом.Ферритовая пленка 1 на монокристаллической подложке 3 помещается в магнитное поле Н, которое насыщает ферритовую пленку 1. При подаче на микрополосковый преобразователь 4 радиоимпульса с частотой ы и с длительностьюв ферритовой пленке 1...