Устройство для изменения фокусного расстояния

% 38П, Медвидь рудового Красноский институт етепьство С1/29,пьство 1/29,н ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ ОПИСАНИЕ ИЗ МУ СВИДЕТЕПЬСТ 1) 3411024/18 25(71) Рижский ордена Тго Знамени попитехниче% 783744, кп. С) 02 Р05.02.79.2. АвторскоМ 873198, кп25.01.80. 4) (57) УСТРОИСТО ДЛЯ ИЗ)ЕНИЯ ФОКУСНОГО РАССТОЯНИЯ,содержащее полулроводниковую ппасти"ну с контактами, источник эпектрического напряжения и магнит, о т п и ч аю щ е е с я тем, что, с цепью расширения диапазона изменения фокусного раостояния и увепичения точности фокусировки, магнит снабжен средством дпя изменения напряженности магнитного попя,контакты выпопнены такой формы, чторасстояние между ними по топшине ппаотины изменяется по пинейному закону,ппастина содержит обпасти с высокойскоростью рекомбинации на обеих поверхностях, распопоженные межпу эпектроцами паралпепьно магнитным сиповым пи1 10Изобретение относится к оптике, вчастности к устройствам дпя измененияфокусного расстояния оптических сигтем.Известно устройство дпя измененияфокусного расстояния, содержащее.ппоскопараппепьную попупроводниковуюппастину из германия с двумя контактамии обпастями повышенной скорости рекомбинации, помешенну 1 о в струбцину (1Непостатком устройства являетсянизкая точность фокусировки изпучения.Наибопее близким к предлагаемомупо технической сущности и достигаемому эффекту является устройство изменения фокусного расстощ 1 ия содержащее полупроводниковую пластину сконтактами, источник электрическогонапрякения и магнит (2 ,Недостатками устройства являютсяузкии диапазон изменения фокусногорасстояния и низкая точность фокуспров 1 КИ,Цепь изобретения - расширение диапазона изменения фокусного расстоянияи увеличение точности фокусировки.Поставпенная цепь достигается тем,что в устройстве ппя изменения фокусного расстояния, содержащем попупровопниковую ппастину с контактами, источникэлектрического напряжения и магнутмагнит снабкен средством дпя изменениянапряженности магнитного поля, контактывыпопнень 1 такой формы, что расстояниемежду ними изменяетсч цо линейномузакону и пластина соперкит области с высокойскоростью рекомбинации ца обеих йоверх.ностях распопокеннь;е между электро-дами параппепьно магнитным сиповымпиниям,На чертеже показана конструкция устройства.Устройство содержит источник электромагнитного изпучения попупроводвиковую пнастину 1 с эпектрическими контактами 2, магнит 3, Пластина 1 имеетобпасти 4 с повышенной скоростью рекомбинации. Контакты 2 ппастины попк"пючены к источнику 5 электрическогонапряжения.Устройство работает следующим образом,На полупроводниковую ппастину 1 спомощью электрических контактов накладывают градиентное электрическое полеи однородное управляемое магнитное попе, Если поток носителей заряда по направпени 1 о совпапает с возрастанием сипы Лоренца, то наблюдается эффект исто-.щения вследствие того, что на цоситепи заряда действует сила Лоренца,различная по топшице пластинь 1 1, и носители нвходяшиеся в попе действияболее сильной сипы Лоренца быстреепоставляются к поверхности 4 пластины 1и там рекомбинируют, чем носители,находящиеся в попе действия более слабой сипы Лоренца,Если направление носителей зарядане совпадает с направлением увеличения, сипы Лоренца, то вспепствие набеганияэлектронов пруг на друга набпюпаетсяэффект обогапения, которь 1 й уменьшается уменьшением сипы Лоренца, Значитв первом спучае проводимость попупроводниковок пдастины уменьшается, аво втором увеличивается,Таким образом, в результате перераспределения электронно-дырочных пар потолщине пластины 1 возникает градиентконцецтрац 11 и цапрввленный к центрупдастины при обогащении ипи к верхнемуипи нижнему основаниям цри истощении.Изменение концентрации свободных носителей заряда ведет к изменению показателя преломления, т. е. к градиенту показателя предол 1 е 11 ия противоположнонаправленного по сравцецио с градиентом30коцце 11 трэц 11 ц свободных носителей зарядаи:1 с -дгде Е - диэлектрическая проницаемостьполупроводника;- концептрация свободных носи 35 телей заряда;Д - константа, зависяшая от параметров попупроводника и плицы волны электромагнитногоизлучения.40 При пропускании спабопогпошаемогосвета, т. е, такого изучения, энергиякванта которого меньше ширины запрещенной зоны попупроводника, в направпении 02.(см. чертеж), лучи откпоняются45 в направлении роста градиента показателя преломления и, таким образом, фокусируются (при истощении) ипи рассеива 1 отся (при обогащении),Измерения проводят на попупроводяи 50ковой пластине, выполненной из е .Размеры кристалла 8 х = 12 мм,1= 8 мм= 4 мм. Равновеснаяконцентрация эпектронов и дырок 111;3 10 цсм , Температура окружающейсреды Т = ЗОО К,Напряженностр магнитного поля меняется от 0,1 до 1,0 Тп. Источник света С 02 лазер (= 10,6 мкм) мо 1 пТаким образом предложенное устройство ;обпацает бопьшими прецепами измененияфокусного расстояния при высокой точности фокусировки,3 1048448 4ностью 1 Вт, При напряженности магнит- пробою что ограничивает прецепы и точного поля 0,6-0,8 Тп и электрическом ность фокусировки,попе 25 В/см фокусное расстояние составпяет 0,5 м, В то же время цпя постижения такого же расстояния в известныхустройствах требовалось приложить попе 300 В/см, способные привести кЗаказ 7928/53 Тираж 511 Подписное ВИИИПИ Госуцарственного комитета СССР по цепам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб,ц, 4/5 Фипиап ППП фПатент, г. Ужгороц, уп. Проектная, 4