Вибропреобразователь

Номер патента: 433570

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Митрофанов, Смирнов, Чеховской

МПК: H01L 21/304

Метки: выступающих, дефектов, поверхности, слоев, удаления, эпитаксиальных

...удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию...

Номер патента: 1123949

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Галяткин, Краснов, Кривенко, Трофимов

МПК: B65C 1/00

Метки: имеющие, нанесения, плоскую, поверхность, предметы, этикеток

...- кривая, описываемая присоской без этикетки при закрытой ограничителем короткой ветви копирного пазаУстройство состоит из вертикально расположенного магазина 1 для этикеток, привода 2, шток 3 которого через шарнир 4 соединен с тягой 5 механизма 6 переноса этикеток, копира 7 с образованными в нем фигурным, пазом 8, имеющим длинный икороткий65 зиной 16, втягиваются в короткийучасток фигурного паза 8, в резульучастки, смонтированного в последнем ограничителя 9,постоянно отжато.го вниз пружиной 10, укрепленной намеханизме б присоски 11, клеенаносящего механизма 12, механизма 13прижатия этикеток, перемещающегосяв направляющей 14, на которой крепится кронштейн 15 для натяженияпружины 16 при этом на механизмах би 13 жестко укреплены...

Номер патента: 1183205

Опубликовано: 07.10.1985

Авторы: Трофимов, Хорошун

МПК: B08B 3/04

Метки: имеющих, поверхность, цилиндрическую

...передачу вращения за счет сил трения.Изобретение относится к технике очистки и мойки изделий, имеющих цилиндрическую поверхность.Целью изобретения является повышение производительности устройства.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство для очистки деталей, вид сверху; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1; на фиг. 2 - узел 1 на фиг. 2.Устройство содержит ванну 1 для моющей жидкости, кассету 2 с гнездами для деталей, причем гнезда расположены в направлении радиусов обода 3 для передачи вращения от обода 3 к деталям в каждом ряду за счет сил трения; кольцевую направляющую 4, в которой размещен обод 3, привод 5, осуществляющий вращение обода 3 через ременную передачу 6, держатель 7 кассеты, патрубок 8, через который осуществляется...

Номер патента: 969370

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Киприн, Потулов, Расторгуев

МПК: B21D 22/04

Метки: имеющих, плоских, поверхность, рельефную

...путем вытяжки до получения полуфабриката сферической Формы с площадью поверхности, соответствующей площади поверхности готовой детали, в, штампов-. ку производят с одновременной пере- формовкой сферического полуфабриката в плоский.На фйг. 1 изображена плоская заготовка; на фиг. 2 - полуфабрикат сферической формы; на фиг. 3 - готовая детапь, разрез; на фиг. 4 в .то же, вид сверху,1 на Фиг. 5 - узел 1 на Фиг. 3Способ осуществляют следующим образом.Из листового металла вырезают круглую заготовку 1 диаметром Эо, йоторую подвергают предварительному деформированию путем вытяжки до получения полуфабриката 2 сферической Формы. Радиус й сферы выбирают та969370 иа кнм, чтобы площадь поверхности полуфабриката 2 соответствовала...

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...