Способ герметизации микроизделий радиоэлектронной аппаратуры

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 25. 12. 79(21) 2859936/23-05 Союз СоветскикСоциалистическнкРеспублик п 11973575 Щ М, Кп,з С 08 Ь 63/00 Н 01 Ь 23/28 с присоединением заявки М 9 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения В.П. Кошель, И.А. Мандзюк, Я. ф. Стадник, Н. Н, КоФиюк,- В.Т. Бабич, Я. Н, Эль горт и А. Я. Стадник Хмельницкий технологический институт бытового обслуживания(54) СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ МИКРОИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫИэоьретение относится к гермети- зации элементов, узлов, блоков радиоэлектронной аппаратуры способом заливки в корпусах, в частности к 5 способам образования отвержденной пленки на поверхности эпоксидных композиций, улучшающих технологичность процесса герметизации и возможность его автоматизации. 10В настоящее время герметизацию плоских микромодулей, гибридных интегральных схем, микротрансформаторов, диодных матриц производят в корпусах с последующей заливкой герметиэирующей эпоксидной композицией,Известен способ герметизации гибридных микросхем, заключающийся в том, что в корпус на 2/3 объема заливают эпоксидную композицию. Затем помещают в корпус изделие и дозаливают до необходимого уровня композицией (1) .Недостатки данного способа заключаются в малой производительности труда, так как операции по заливке осуществляются вручную. При транспортировке иэделий от участка заливки до участка полимеризации происходит нарушение верхнего уровня жидкой ком позиции иэ-за перекоса или опрокиды- . З 0 вания изделий, При этом корпус и вы. воды иэделий загрязняются композици 4 ей, это и является одной из причин брака.Строго регламентированные требования к толщине верхнего над иэделием слоя герметика затрудняют осуществление активного контроля уровня заливаемой в корпус композиции при наличии жидкой поверхности (поскольку струя, вытесненная из сопла обычных пневмодатчиков, деформирует поверхность ниэковязкой композиции). Таким образом, при использовании данного способа герметизации затруднена автоматизация процесса.Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому является способ получения наружной оболочки радиоиэ- делий с использованием синтетичес-. ких смол. Согласно этому способу иэ делие помещают в корпус, заливают эпоксидным герметиком, сверху закры. вают полимерной крышкой и отверждают поверхностный слой жидкого герметика Уф излучением. Толщина отвержденного слоя достигает нескольких мкм. Окончательное отверждение производят при нагревании, Преимущест,973575 Формула изобретения 40 45 Составитель Н.КосмачеваРедактор И,Касарда Техред И.Гайду Корректор О. Билак Заказ 8611/27 Тираж 514ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, москва, ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Филиал ППП Патентф, г.Ужгород, ул.Проектная, 4 вами данного способа являются сокра.щение затрат времени на отверждение смолы и повышение производительности труда (21.Недостатками этого способа являются дополнительные операции по изготовлению полимерной крышки и ее фиксации в корпусе необходимость синтеза эпоксидных смол или введение в их состав соединений с реакционноф способными группами, инициирование котсрых осуществляется УФ излучением; изменение параметров некоторых герметизируемых изделий под действием УФ излучения.Цель изобретения - повышение производительности процесса.Эта цель достигается тем, что сог" ласно способу, включающему установку микроизделия в капсулу, заливку его эпоксидным компаундом и последующее термоотверждение, после операции заливки на жидкую поверхность композиции напыляют порошковый наполнитель с предварительно адсорбированным на нем иэоцианатом с числом изоцианатных групп1В качестве порошкообразного наполнителя используют вещества с плот" ностью, меньшей или равной плотности композиции. В ином случае происходит оседание (седиментация) порошка и нарушение оплошности отвержденной пленки. Порошкообразный материал распыляют в непосредственной близости от ж.едкой поверхности композиции.В течение нескольких секунд происходит образование отвержденной пленки на поверхности композиции.При этом не происходит загрязнения выводов и корпуса изделия. Доотверждение внутреннего слоя герметизирующей композиции производится при 60 + 5 С в течение 2 ч.П р и м е р. В металлический кор" пус иэделия - плоского микромодуля (ПММ) заливают на 1/2 объема эпок сидную композицию, вставляют плату с распаянньми элементами и производят дозаливку до необходимого уровня.Над верхней поверхностью жидкой герметиэирующей композиции распыляют по .рошок-сажу с предварительно адоорбированным на ней полиизоцианатом. На:внешней поверхности ПММ образуетсяотвержденная пленка.В дальнейшем иэ.делив поступает на позицию контроляверхнего уровня композиции в корпусес помощью стандартных,пневмодатчиков5 а затем транспортируется в печь по:лимериэации.Адсорбцию изоцианата на поверхности порошкообраэных материалов прово,пяМ; иэ 10-го раствора иэоцианата в10 органическом растворителе. Процессадсорбции на основании кинетическихкривых заканчивается через 10-40 мин,в зависимости от активности поверхности порошка. Раствор отфильтровы 5 вают и порошок сушат до постоянноговеса,Использование предлагаемого способа образования технологическойпленки на поверхности эпоксидных20 композиций обеспечивает по сравнениюс,существующими способами осущест-.вление активного контроля уровня заливаемой в корпус герметизируемойкомпозиции; снижение числа бракованных иэделий; дает возможность автоматизировать процесс герметизации взамен ручных операций, в связи с чемповышается производительность трудаи улучшается культура производства.30 Способ герметизации микроизделий радиоэлектронной аппаратуры, включающий установку микроизделия в капсу,пу, заливку его эпоксидным компаундом и последующее термоотверждение,отличающий с я тем, что, сцелью повышенйя производительностипроцесса, после операции заливки нажидкую поверхность композиции напыляют порошкообраэный наполнитель спредварительно .адсорбированным нанем изоцианатом с числом изоцианатных групп ),1 Источники информации принятые во внимание при экспертизе 1. Патент Японии 9 50-8495,кл. 5964, опублик. 1975,2. Патент Японии и 53-3069,кл. 59 Е 102, опублик. 1978,