Полупроводниковый детектор

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоциалистическихРеспубликп 1)949463(23) ПриоритетОпубликовано 0708.82. Бюллетень М 9 29 51 М.Кл з С 01 И 27/02 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытийДата опубликования описания 07,0882Ф(54 ОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕК э п Изобретение относится к аналитической технике, в частности хроматографии и предназначено для количественного анализа компонентов смесей.Известно устройство, осуществляющее полупроводниковое детектированиедля газовой хроматографии, состоящее из полупроводникового детектирующего элемента, который являетсякатализатором для реакции взаимодействия анализируемого вещества сгазом-носителем, Детектирование осуществляют по изменению электрофиэических свойств 11,Недостатком этого устройства является низкая чувствительность,Известен полупроводниковый детектор для хроматографии, состоящийиэ корпуса, патрубка для ввода потока газов и чувствительного элемента,представляющего собой пленки каталиаторов 2 пО и Т 102Электрофизическиеараметры указанных пленок меняютсяв процессе каталитической реакции 121.Однако известное устройство не 25обладает высокой чувствительностьюи может быть применено только длятех веществ, которые вступают в ка-,талитическую реакцию с газом-носителем в приссутствии полупроводникового катализатора, что ограничивает область его применения.Наиболее близким техническим решением к изобретению является полупроводниковый детектор, например, для хроматографа, содержащий корпус в котором размещен подключенный к источнику тока и включенный в измерительную схему транзистор, покрытый веществом, взаимодействующим с анализируемым компонентом (3)Это устройство не обладает также достаточной чувствительностью.Цель изобретения - повышение чувствительности, а также расширение спектра детектируемых соединений,Поставленная цель достигается тем, что в полупроводниковом детекторе, например, для хроматографа, содержащем корпус, в котором размещен подключенный к источнику тока и включенный в измерительную схему транзистор, покрытый веществом, взаимодействующим с анализируемым компонентом, в качестве вещества, взаимодействующего с анализируемым компонентом, использован феррицианид металла. Проводимость трехслойной полупроводниковой структуры резко меняется под влиянием адсорбции.949463 Формула изобретения Дополнительное увеличение чувствительности детектора достигается тем, что чувствительный элемент включается по схеме с подачей постоянного напряжения смещения на среднюю область трехслойной полупроводниновой структуры - базу транзистора, а также облучением чувствительного элемента видимым светом во время детектирования.На чертеже изображено предлага емое устройство.Устройство состоит из корпуса 1, с кварцевым окном для подсветки 2, в котором находится чувствительныйэлемент 3, В ячейку 4 по патрубку 15 ввода 5 поступают исследуемые вещества после их разделения на хроматографической колонке. На чувствительный элемент 3, выполненный в виде транзистора, нанесен слой 6 комп лексообразователя, вещества, взаимодействующего с анализируемым компонентом. Этим веществом является феррицианид металла. Транзистор включенв цепь постоянного тока, содержащую источник 7 напряжения, Дополнительное повышение чувствительности детектора для анализа следовых количеств примесей достигается путем подачи постоянного напряжения смещения на среднюю область чувствительного эле мента с помощью дополнительного источника 8 постоянного напряжения. Изменения проводимости чувствительного элемента в результате адсорбции анализируемого вещества фиксируются измерительной схемой 9.Устройство работает следующим образом.Анализируемое вещество в виде раствора или газа поступает через 40 патрубок 5 в ячейку 4, в которой .находится чувствительный элемент 3. При взаимодействии адсорбента с структурой, проводимость последней изменяется от уровни, соответствую щего растворителю, до уровня, соответствующего взятой концентрации исследуемого вещества. Сигнал снимаетсяпо изменению проводимости с помощью измерительнай схемы 9 и регистрируется самопишущим прибором.Для получения количественного результата чувствительный элемент градуируется путем введения известныхконцентраций веществ,Данный детектор характеризуетсячувствительностью до 10 об. вслучае, например, гидроперекисей углеводородов и значительно большейобластью линейности.Это позволяет количественно анализировать следовые количества различных веществ в газовых и жидкостных смесях до 10 об., а также производить измерения концентраций газов, растворенных в жидкостях, вшироком диапазоне,Использование предлагаемого детектора для хроматографии чрезвычайно перспективно вследствие высокой чувствительности, простотынедеструктивного характера анализакомпонентов смесей, возможности эксплуатации в практически любых средах, жидких и газовых, в широком диапазоне температур от -60 до +150 С. Полупроводниковый детектор, например, для хроматографа, содержащий корпус, в котором размещен под-.ключенный к источнику тока ивключенный в измерительную схемутранзистор, покрытый веществом, взаимодействующим с анализируемым компонентом, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения чувствительности детектора, в качествевещества, взаимодействующего санализируемым компонентом, использован феррицианид металла.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент франции 9 2098575,кл. 6 01 Н 27/00, опублик.1960.2, Авторское свидетельство СССР9 238871, кл, С 01 К 31/08, 1966.3. Патент Японии 9 50-10756,кл. С 01 Б 27/02, опублик.1975 (прототип). ВНИИПИ Заказ 5735/3 Тираж 887 Подписное филиал ППП "Патент",г. Ужгород,ул.Проектная.4