Хасапов

Номер патента: 949463

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Буров, Егоров, Нориков, Покровская, Салуквадзе, Силахтарян, Хасапов

МПК: G01N 27/02

Метки: детектор, полупроводниковый

...по схеме с подачей постоянного напряжения смещения на среднюю область трехслойной полупроводниновой структуры - базу транзистора, а также облучением чувствительного элемента видимым светом во время детектирования.На чертеже изображено предлага емое устройство.Устройство состоит из корпуса 1, с кварцевым окном для подсветки 2, в котором находится чувствительныйэлемент 3, В ячейку 4 по патрубку 15 ввода 5 поступают исследуемые вещества после их разделения на хроматографической колонке. На чувствительный элемент 3, выполненный в виде транзистора, нанесен слой 6 комп лексообразователя, вещества, взаимодействующего с анализируемым компонентом. Этим веществом является феррицианид металла. Транзистор включенв цепь постоянного тока, содержащую...