Силахтарян

Номер патента: 949463

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Буров, Егоров, Нориков, Покровская, Салуквадзе, Силахтарян, Хасапов

МПК: G01N 27/02

Метки: детектор, полупроводниковый

...по схеме с подачей постоянного напряжения смещения на среднюю область трехслойной полупроводниновой структуры - базу транзистора, а также облучением чувствительного элемента видимым светом во время детектирования.На чертеже изображено предлага емое устройство.Устройство состоит из корпуса 1, с кварцевым окном для подсветки 2, в котором находится чувствительныйэлемент 3, В ячейку 4 по патрубку 15 ввода 5 поступают исследуемые вещества после их разделения на хроматографической колонке. На чувствительный элемент 3, выполненный в виде транзистора, нанесен слой 6 комп лексообразователя, вещества, взаимодействующего с анализируемым компонентом. Этим веществом является феррицианид металла. Транзистор включенв цепь постоянного тока, содержащую...

Номер патента: 220242

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Блюмберг, Нориков, Силахтарян, Эмануэль

МПК: C01B 17/82

Метки: кислоты, серной

...- 80 атм. кислы азота смесь в колич кг на 1 т пол Ы е бам зуе- кис 5 я азотАзот-,водятествеучаермула изобретения 15 чениеповышсерноачестванием ер я и Изобретение относится к спосо получения серной кислоты, исполь мой для производства удобрений, лот, пластических масс, в про ности органического синтеза, дл осушки газов и концентрирования ной кислоты.Известен способ получения азотной кислоты путем окисления сернистого газа кислородом воздуха. Осуществление этого процесса в промышленности связано с рядом трудностей вследствие того, что реакция окисления идет очень медленно.Цель изобретения - увели производительности процесса ение концентрации получаемой й кислоты и использование в к е сырья газа с низким содерж с нистого газа.Это...