Способ ультразвукового контроля крупнозернистых и крупнодендритных материалов

Номер патента: 1436061

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Афонин, Гончаров, Ермаков, Кузнецов, Мысенко, Сумец

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектов, теневой, ультразвуковой

...1 о) - К(1 д - 1 о) 40 где К, и К - расстояния между преобразователями до ипосле перемещения приемного преобразователя 451, и 1 - интенсивность принятыхколебаний, прошедшихчерез иэделие с дефектом, до н послеперемещения;Е - интенсивность принятых50колебаний, прошедгяхчерез изделие беэ дефекта.УЗ теневой способ контроля дефектов изделий реализуется следующим образом.Излучающий 1 и приемный 2 преобразователи устанавливают соосно в промежуточной среде, например нмме- сионной жидкости, на расстоянии Ки К друг от друга. Между преобразователями 1 и 2 располагают контролируемое многослойное иэделие 3 и сканируют его. В ходе сканирования излучают преобразователем 1 и принимают преобразователем 2 УЗ колебания, прошедшие через изделие 3, и...

Номер патента: 1619166

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Ермаков, Ещенко, Кавешников, Сумец

МПК: G01N 29/08

Метки: дефектов, теневой, ультразвуковой

...При обнаружении дефекта 4 по уменьшению интенсивности, фиксируют значение 11 последней и перемещают приемный преобразователь 2 вдоль нап равления распространения УЗК тэк, чтобы расстояние между преобразователями 1 и 2 становилось равным 112. Измеряют интенсивность 12 УЗК, прошедших через изделие 3. на таком расстоянии и определяют первоначальное расстояние х между преобразователем 1 и дефектом 4 иэ выра- жения1619166 После этого приемный преобразователь 2 возвращают на исходную позицию на расстояние В от излучающего преобразователя 1. Затем после определения первоначального расстояния х до дефекта в 5 процессе продольного сканирования изделия 3 измеряют изменение Ь интенсивности ультразвуковых колебаний при смещении иэделия 3...

Номер патента: 1640631

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Зорин, Качанов, Мозговой, Рапопорт, Соколов

МПК: G01N 29/10

Метки: дефектов, изделия, ультразвуковой

...по которым определяют наличие или отсутствие дефекта в изделии,УЗ способ контроля дефектов изделия реализуют следующим образом.В изделии 11 с помощью механического ударнмка 1 возбуждают мощную сферическую УЗ волну частотой Е, которая при взаимодействии с дефектом 12 изменяет его некоторые акустические характеристики, в частности акустическую прозрачность, за счет периодического соединения и разъединения противолежащих поверхностей,де 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 фекта 12. При ударном возбуждении до 95 энергии удара сосредотачивается в основном лепестке спектра, положение которого на оси частот, изменяя геометрию ударника 1, его материал, скорость движения варьируют в пределах от сотен герц до десятков килогерц, Возбужденные в изделии...

Номер патента: 1208507

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Бондарь, Говоруха, Никушин, Яшбулатов

МПК: G01N 29/04

Метки: кольцевых, сварных, ультразвукового, швов

...шов присоединения сварного элемента 21 к контролируемому изделию 20, позицией 23 обозначен выступ внутри кругового контролируемого сварного шва 22 для крепления к нему с помощью хомута 19 Г-образного переходника 5. Вместо выступа 23 может располагаться отверстие (не обозначено) также для крепления Г-образного переходника 5.Устройство для ультразвукового контроля сварных кольцевых швов изделий работает следующим образом,11 еред началом контроля устройство для ультразвукового контроля сварных кольцевых швов изделий устанавливается на контролируемое изделие 20 путем прикрепления 1-образного переходника 5 с помощью хомута 19 к выступу 23 (вместо него может быть отверстие - (не обозначено) таким образом, чтобы ось штанги 6 совпала с центром...

Номер патента: 1004847

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Белокур, Владыченский, Гаврилин, Луфт, Марченко, Плинингер

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных, подповерхностных

...чтобы уменьшить количества переданного вглубь заготовки тепла при дальнейшем нагреве, при предварительной стадии ее нагревают на большую глубину, чем глубина пре имущественного залегания дефектов.Частота тока следующей стадии нагрева заготовки, имеющей магнитную проницаемость 1 ед составляет 5-30 мГц и определяется глубиной преимущественного залегания дефектов, которая, как уже было сказано, 25 равна 0,5-3 мм. На чертеже изображена установка, с помощью которой реализуется предлагаемый способ (вариант) .Установка для обнаружения поверхностных и подповерхностных дефектов изделий включает транспортный роль- ганг 2, по. которому может перемещаться заготовка 1. Над заготовкой по 35 ходу ее перемещения расположены пирометр 3,...