Ультразвуковой теневой способ контроля дефектов изделий

(51)5 ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯРИ ГКНТ СССР 1 11 У":; Т.; ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Авторское свидетельство СССРЬ 1436061, кл. 6 01 1 ч 29/04, 1987.(54) УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ТЕНЕВОЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ ИЗДЕЛИЙ(57) Изобретение относится к неразрушающим ультразвуковым методам контроля дефектов изделий. Цель изобретения -повышение точности определения расстояИзобретение относится к акустическим методам неразрушэющего контроля и является усовершенствованием изобретения по авт.св. 1 Ф 1436061.Целью изобретения является повышение точности определения расстояния до дефектов, плоскость которых неперпендикулярна оси прозвучивания.На чертеже показана схема контроля дефектов в изделии в соответствии с предлагаемым способом.На схеме показаны излучающий преобразователь 1 и установленный с ним соосно приемный преобразователь 2, между которыми размещено контролируемое изделие 3 с дефектом 4, плоскость которого неперпендикулярна оси прозвучивания. Блок 5 регистрации подключен к приемному преобразователю 2.Способ осуществляютследующим образом, В изделие 3 в процессе сканирования вводят ультразвуковые колебания (УЗК) с ния до дефектов, плоскость которых неперпендикулярна оси прозвучивания, В иэделии возбуждают ультоаэвуковые колебания, принимают прошедшие изделие колебания, измеряют величины интенсивности прошедших колебаний при двух различных расстояниях между излучающим и приемным преобразователями, определяют первоначальное расстояние до дефекта, э затем в процессе сканирования изделия определяют изменение интенсивности ультразвуковых колебаний и по расчетной формуле вычисляют изменение расстояния до дефекта, с учетом которого определяют истинное расстояние до дефекта. 1 ил. помощью излучающего преобразователя 1 находящегося первоначально нэ расстоянии Я 1 от приемного преобразователя 2, и принимают последним 2 УЗК, прошедшие через изделие 3, измеряют их интенсивность 1 О с помощью блока 5 регистрации. При обнаружении дефекта 4 по уменьшению интенсивности, фиксируют значение 11 последней и перемещают приемный преобразователь 2 вдоль нап равления распространения УЗК тэк, чтобы расстояние между преобразователями 1 и 2 становилось равным 112. Измеряют интенсивность 12 УЗК, прошедших через изделие 3. на таком расстоянии и определяют первоначальное расстояние х между преобразователем 1 и дефектом 4 иэ выра- жения1619166 После этого приемный преобразователь 2 возвращают на исходную позицию на расстояние В от излучающего преобразователя 1. Затем после определения первоначального расстояния х до дефекта в 5 процессе продольного сканирования изделия 3 измеряют изменение Ь интенсивности ультразвуковых колебаний при смещении иэделия 3 относительно излучающего 1 и приемного 2 преобразователей 10 на некоторое расстояние и рассчитывают изменение Ь х расстояния до дефекта по формуле 5 Ь Ьх где В - первоначальное расстояние между излучающим и приемным преобразователями: о - интенсивность принятых ко лебаний, прошедших через изделие без дефекта; 2 - интенсивность принятых колебаний при первоначальном расстоянии х до дефекта,Истинное расстояние 1 до дефекта с учерассчитанного изменения Ьх определяпо формуле Ьх = Ь,том ется расстояние между преобразователянятых колебаний, е без дефекта; 2 - х колебаний при ии х до дефекта. где й - первоначальное излучающим и приемным 0 ми; о-интенсивностьприпрошедших через иэдели интенсивность приняты первоначальном расстоян х+Ьх. Если в процессе сканирования изделия 3 определить расстояние 1 до дефекта, то можно определить пространственное положение этого дефекта и его размеры в контролируемом изделии 3.Ф ор мул а из об ретен ия Ультразвуковой теневой способ контроля дефектов иэделий по авт.св. М 1436061, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности определения расстояния дефектов, плоскость которых неперпендикулярна оси прозвучивания, после определения первоначального расстояния х до дефекта в процессе продольного сканирования изделий дополнительно определяют изменение Ьинтенсивности ультразвуковых колебаний и изменение Ьх расстояния до дефекта, вызванные относительным продольным перемещением иэделия и преобразователей в результате его сканирования, расстояние Хдо дефекта определяют по формуле1=х+Ьх,изменениеьх расстояния по формуле1619166 ктор С.Шекма Редактор И.Горная Заказ 43 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раущская наб., 4/5 агарина, 101 зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужго Й 77 гВЧЕРОЛ 7 ОР УЗ -кОл 86 Оииц Составитель С,ВолковТехред М.Моргентал 8 леюие оОижещяОЗОВОПВЛЕУ ОРНОСЦО иЛУГЛиа ление ОЬвкенця илВлиеОтЕВЬНОпРЕОбРОЗОба