Способ электронно-лучевой обра-ботки материалов

Номер патента: 1053328

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Бриль, Кривопуск

МПК: H04N 5/34

Метки: автоматической, луча, лучевой, трубки, фокусировки, электронно

...приращения диаметра электронного пятна при расфокусировке его пробным им пульсом 6 д их Х 2 Ппр + Хл пир (й) где К - масштабный коэффициент,Таким образом, если для нормальной работы устройства нужна такая 15 расфокусировка пятна .пробными импульсами в центре экрана ЭЛТ, которая приводит к увеличению его диаметра примерно на 20 - 40, то при этом точечная цель, находящаяся на 20 краю экрана ЭЛТ, смещается от своего истинного значения на расстояние, соответствующее 10 - 30 диаметрам электронного пятна в зависимости от конструкции ЭЛТ. Это приводит к су,щественным искажениям изображения на краях экрана ЭЛТ.Цель изобретения - уменьшение искажений на краях экрана ЭЛТ при одновременном повышении быстродействия.поставленная црль достигается...

Номер патента: 559460

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Винцловас, Гуя, Мешкаускас

МПК: H04N 9/62

Метки: лучей, многолучевой, несведения, остаточного, приемной, трубке, цветной, электронно-лучевой

...4,5 б,7 тока, соответствующиевходы которых соединены между со.бой, а входы питания соединены с соответствующими выходами источника 8 постоянного тока, при этом выход первого управляемого формирова. геля 4 тока соединен со вторым входом блока 2 коммутаца кадров, выход второго управляемого формирователя 5 тока соединен со вторым входом блока 3 коммутации строк, выход третьего формирователя б тока соединен с первым входом магнитной системы 9 сведения электронных лучей, со вторым входом которой соединен вьгход четверто го управляемого формирователя 7 тока, а выход бло ка 2 коммутации кадров и блока 3 коммутации строк соединены соответственно с первым н вторым входом магнитной отклоняющей системы 1 О.Устройство работает следующим...

Номер патента: 2004031

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Алексеев, Романуша

МПК: H01J 25/00

Метки: генерации, колебаний, усиления, электромагнитных, электронно-вакуумное

...эле рона; го электриче) и отверстии перемен стии 4 (и ля электромагнитного колебания и незначительно изменяет добротность резонансной структуры. Для повышения электронного КПД устройства или расширения рабочей полосы частот на поверхности активного зеркала 1 может быть выполнено несколько канавок с одинаковой или различной глубиной и с отверстиями в стенках для транспортировки электронного потока через все зазоры взаимодействия, Ширина каждой канавки зависит от выбранных значений характеристик и режимов работы устройства и определяется на основе нижеприведенных формул. Длина канавки выбирается такой, чтобы ее торцовые участки были вне переменного поля электродинамической структуры,Диафрагмы с отверстиями 4 и 5 обрезают адиабатически...

Номер патента: 34033

Опубликовано: 31.01.1934

Автор: Минц

МПК: H03C 1/00

Метки: высокочастотных, колебаний, модуляции

...течение которой действует некоторое значение параметра цепи,С в некотор постоянная (коэфи-,циент Фропорццональности),т - произвольное число,О - круговая частота модулирующего колебания,А и В - постоянные,определяемыефор-мой кривой модулирующего колебания.,Некоторое упрощение способа получается, в томслучае, если одно иззначений управляемой величины сделать .равным нулю, Тогда воздействие на модулируемое колебание будет, вообще,иметь место только в течение некоторой,;,доли периода (полупериода), в течениеже прочей части периода модуляция,вообще, не будет иметь места.Такое прерывное управление само;:по себе известно и применяется в ион.ных преобразователях для техническихчастот (преобразование постоянного, тока,в переменный 25, 50 или бО...

Номер патента: 121857

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Григулис

МПК: G01R 33/02

Метки: глубины, металл, поля, проникновения, электромагнитного

...из различных материалов.Определение глубины проникновения неравномерного электромагнитного поля (специальной формы) производится не по измерению величины проникшего поля, а по прекращению изменения электрических свойств излучателя при увеличении толщины изучаемого слоя или. фольги: толщина слоя меняется от толщин меньших глубины проникновения до толщин больших ее.Для производства измерений глубины проникновения поля датчика создается система (например, Т-образный мостик), определяющая его свойства, и снимаются кривые зависимости комплексных свойств датчика от толщины фольг из различных материалов (например, Сц, А 1, Хп, латуни и Яп). Из кривых (фиг. 1) видно, что при достижении некоторой толщины фольги, полное сопротивление Х...