Режущая пластина

Номер патента: 28600

Опубликовано: 31.12.1932

Авторы: Прохорчик, Радостин

МПК: B23K 11/02

Метки: железный, корпус, кромок, наварки, пластин, режущих, стыковой, фрезы, электрической

...а место,подлежащее сварке, несколько выступало бы из них. Второй зажим .источника тока соединяется с зажимными контактами 3, захватывающими привариваеиый зуб 20 и устроенными перемещающимися нормально к рабочей поверхности фрезы. ВО НА ИЗОБРЕТЕНИ ектрической наварки пластинжелезный корпус фрезы.С. С. Радостина, заяелен. М 69668),Для предварительного прогрева свариваемого места служит вспомогательный контакт 4, который может быть зажат перед наваркой зуба между контактом 3 и фрезой. После прогрева контакт 4 убирается, к фрезе приближается контакт 3 с зубом 20 и последний приваривается к корпусу и фиксируется в нужном положении. Затем контакты 3 разжимают и отводят назад, а фрезу поворачивают на нужный угол, отсчитываемый по...

Номер патента: 297452

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Чудин

МПК: B23K 31/02, B23K 35/24

Метки: инструмент, напайки, пластин, припой, режущий, твердосплавных

...инстру- твердот изобретения ред Припой для н стин на режущи медную стружку 25 - 30%, буру о тем, что, с цель припоя и повыш ного инструмент ристыи натрии в кислота 3%, прпрут в количест Изобретение относится к области пайки, в частности к составам припоя для напайки твердосплавных пластин на режущий инструмент.Известен припой для напайки твердосплавных пластин на режущий инструмент, содержащий стальную стружку 25 - 30%, медную стружку 38 - 45% и буру обезвоженную.Однако известный припой не обеспечивает необходимую прочность пайки титанокарбид ных твердосплавных пластин на державки ввиду того, что флюсующая активность буры недостаточна для раскисления поверхности пластин, Поэтому растекаемость припоя плохая, и при незначительной...

Номер патента: 459818

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Блинов, Козырь, Яловега

МПК: H01L 7/68

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

...самоуравновешивания подвешены к станине 13 на двойномшарнире Гука 14.Работает устройство следующим образом.1 О В гнезда ротора 2 закладывают полупроводниковые пластины и поджимают их сверху с помощью пневмопривода 5 крышкой 4 с усилием, гарантирующим давление на поверхность ротора 4 - 15 кг/см, Затем в полость 15 между ротором 2 и крышкой 4 из резервуара6 под давлением подают нагретую до температуры 80 - 90 С смесь особо чистой воды с растворенным в ней кислородом. Когда в магистрали подачи воды давление возрастает до 20 появления тонкого слоя жидкости, истекающей по кольцевому зазору, включают центрифугу 1. По окончании процесса очистки выключают центрифугу, прекращают подачу смеси, поднимают крышку и освобождают ротор 25 от очищенных...

Номер патента: 1217185

Опубликовано: 10.05.1996

Автор: Чесноков

МПК: H01L 21/268

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий их помещение в нейтральную среду или вакуум и последующее испарение загрязняющих частиц путем облучения поверхности лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, используют излучение с длиной волны, меньшей среднего размера поперечника удаляемых частиц.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют излучение с длительностью импульсов не более 10-10с.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерный луч направляют на поверхность наклонно к ней.

Номер патента: 1409863

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Гоман, Чухлиб, Шестаков, Юдицкий

МПК: G01B 11/24

Метки: геометрических, параметров, пластин, поверхности, полупроводниковых

...1 Формируется фокусирующей системой 2 в пучок, который направляется зеркалами 3 и 4 на сканаторы 5 и б. При вращении сканаторов 5 и б пучок смещается параллельно своей оптической оси. Такимобразом, на выходе сканатора б формируется развертка в плоскости, перпендикулярной оси распространенияпучка,Пройдя сканатор б,пучок попадаетна третье зеркало 7 и направляетсяим на отрицательную сферическую линзу 8 и далее на конденсорную линзу 9.На выходе линзы 9 пучок отклоняетсяот оптической оси, попадает либо наполупроводниковую пластину 11 либона калибровочное кольцо 12 и отражается от них, Отразившись от пластины, пучок проходит линзы 9 и 8,зеркало 7, сканаторы б и 5, отраженный пучок смещается к оси распространения падающего пучка, однако...