Способ электрохимической обра-ботки

Номер патента: 783372

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Озоль-Калнин, Пурин

МПК: C25D 21/00

Метки: импульсом, обратным, периодическим, током, электрохимической

...растворения инертных электродов.Поставленная цель достигается тем, что инертный электрод электрически разделяют на две секции и каждую секцию подключают к выходной клемме источника переменного тока через выпрямительный элемент, причем выпрямительные элементы включают встречно.На чертеже представлены варианты устройств, поясняющих предложенный способ. содержит источник 1 перегальваническую ванну 2, троп, выполненный в виде изолированных секций 3, 4, через выпрямительные эпепеременные сопротивления выходной клемме источника о тока. Обрабатываемое изючают к другой выходной ника переменного тока.Составитепь Л, РуйневаТехред Ж. Кастепевнч Корректо Мвнврвв ай едакт Тираж 698 ВНЙИПИ Государствен по делам изобретен 113035, Москва, Ж3/32...

Номер патента: 1304757

Опубликовано: 15.04.1987

Автор: Адриен

МПК: G01V 1/04, G01V 1/137

Метки: акустических, генерирования, жидкой, импульсов, пневматически, среде, управляемое

...уменьшается до своего наименьшего объема (фиг.1, 4 и 5), плунжер 43 поднимается и поднимает клапан 42.Таким образом, камера 39 вентилируется в окружающую среду через клапан 42 и канал 41, а нижняя камера 51 клапана 18 тоже вентилируется, в окружающую среду через трубопровод 40, вентиляционную камеру 39, клапан 49 и канал 41, Камера 31 постоянно соединена с каналами 4 1 че 57 4рез проточное отверстие 62 над поршнем 25 (фиг,2)Цпя подгбтовки генератора к выстрелу сжатый воздух подается в линию 37, проходы 57, 56; 55 и камеры29 и 53. Сердечник 52 под приложенным сверху давлением занимает крайнее нижнее положение, чем подключает возвратную камеру 38 к окружающейсреде через проход 58, камеру 48 ивентиляционную трубку 61.Устройство работает...

Номер патента: 1583267

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Гордейчук, Кондратюк, Лебедюк, Мороз

МПК: B24B 31/05

Метки: гранулированной, отделки, поверхности, средой

...25, В желобе 24 ус.тановлен транспортер 26, служащий 40для передачи рабочей среды при повторном использовании в загрузочныйлоток 27, По бокам ветвей 4 и 5 размещены стенки 28 и 29,- 45Устройство работает следующим образом,В исходном положении верхняяветвь 4 нижнего транспортера 6 и нижняя ветвь 5 верхнего транспортера 7образуют зону обработки рабочей камеры 1, В передней части рабочее пространство камеры 1 замыкает откиднаястенка 8. Через лоток 27 в зону обработки подается рабочая среда и об 55рабатываемые детали, При этом верхняя ветвь 4 нижнего транспортера 6движется против часовой стрелки,транспортируя среду к откидной стенке 8, а нижняя ветвь 5 верхнего транспортера 7 движется в противоположном направлении, возвращая рабочую...

Номер патента: 1126401

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Благодарский, Лапидес, Фиолетов

МПК: B23P 1/04

Метки: газа, газожидкостной, размерной, смешения, среде, электролитом, электрохимической

...в МЭП, а такжеот величины МЭЗ. Таким образом, дляповышения точности копирования приРЭХО в ГЖС необходимо обеспечить содержание в ГЖС одинаковых по размерупузырей воздуха, диаметр которых(до их деформации в МЭП) должен бытьв 5-8 раз больше величины МЭЗ. Приизменении величины МЭЗ необходимо из-щ,менять соответственно размер пузырей,Кроме того, необходимо поддерживатьотношение объемных расходов газа иэлектролита равным 3-5 в зависимостиот формы обрабатываемой полости, 25Установка и поддержание задаваемого отношения объемных расходов газаи электролита не требует дополнительных устройств в станке; Указанное отношение можно устанавливать, например, с помощью вентилей нли редукторов газа и электролита, а контролировать с помощью...

Номер патента: 261082

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гурвич, Ерусалимчик, Ефимов, Игнатьев, Кочеткова, Кривенко, Моталева, Таразанов, Хохлов

МПК: B23H 7/26

Метки: поверхностей, электрохимической

...быть использован при электрохимической обработке поверхностей токопроводящих пластин, в частности полупроводниковых.Известны способы и установки для электролитического полирования полупроводниковых ,пластин с опорными дисками. Процесс обработки пластин по этим способам осуществляется в слое электролита.Описываемый способ электрохимической обработки поверхностей отличается тем, что полупроводниковые пластины обрабатывают в свободно-плавающем состоянии, причем величину межэлектродного зазора поддерживают путем корреляции между удельным весом электролита и объемным весом анодного диска. Такой способ позволяет обеспечить анодное растворение микронеровностей, превышающих 0,05 - 0,1 мк, посредством ведения процесса на зазоре не более 100...