Устройство для пикового детекти-рования

Номер патента: 512570

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Андреев, Жуков

МПК: H03K 3/78

Метки: генератор, импульсов, мдп-транзисторах, многоканальный

...цгц"5.:кехцем ца выходе 10 мультивибрато",2, НЯИО 5 жецс ца выходе элемента НЕ - ИЛИ разно г лю цз-за высокого готецциалая сс Входе, подклочегц 10 м к Выходху 32 ОдсЦ,";РДР.1:ТОЛЯ Ц.,ПЛЬСОВ.Б момент запирация усилителя 3 цапрякение ца его входе прцолизцтельцо равно поро- ГОВОМУ ЦаПРЯжЕЦИЮ У ТРЯНЗИСТОР 1, ВРСМЯЗЯ- дающий конде:сатор 9 зарякец до цапряже;ия Е - У;, а времязадающий конденсатор 8 рязр 5 и;Рп. Перспад напряжения запцряция, равьц 1 1:апряжеццо источника питания Е, пас.,пясг че;ез конденсатор 8 ца вход хсцли"ся 5 2 и Отпирает ОГО, 1 ОПВР 1 сатоо 9 Оазочжяеся:срез Выходию цепь открытого .Ри 1 ПТРЛя 2, 00 Ц,О ШИПМ ИСТОЧ,ИКОВ НаПО;1 жеи;я н стоковые р - и-переходы транзисторов 6 ц 7, смещенные В прямох цапОЯВлецци цяпряжением ца...

Номер патента: 333683

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Липовецкий, Проценко, Сивобород, Солод

МПК: H03K 3/33

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...напряжения источника питания на величину, равную двум пороговым напряжениям МОП-транзистора, Кроме того,они имеют большое потребление мощности встатическом режиме.С целью получения амплитуды выходного 15импульса, равной по величине напряжениюисточника питания, и уменьшения потребляемой мощности в статическом режиме в предлагаемом формирователе времязадающий конденсатор включен между истоком транзистора, 20затвор которого соединен со стоком и минусом источника питания, и выходом двухтактного усилителя,На фиг. 1 приведена схема предлагаемогоустройства; на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие работу устройства.Устройство состоит из МОП-транзисторов1 - 5 и конденсатора б.Напряжение, подаваемое на вход транзистора 5 двухтактного...

Номер патента: 493029

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Бочко, Высочина, Мерхалев, Солод, Яровой

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...прнатом в выходной двухтактный усилительвведен транзистор в двухполюсном включеена прннципиальная20редлагаемого устройформироватепь импульсов на МОП-т знсторах содержащих двухчактный усили на транзисторах 1, 2, инвертор с токоНа затворе транзистора 3 потенциалиравен Епып-ОиОргде удар- порогавое напряжение транзистора 5.При уменьшении отрицательного потенци- ала на входе 20 (конец импульса) транзисторы 2 и 4 закрываются, и потенциалына левой обкладке конденсатора 8 й на затворе транзистора 1 повышаются. По . вышение потенциала передается на правук обкладку конденсатора 8, что повышает потенциал нв затворе транзистора 1. Пос дний еще больше открывается. Процесс открывания транзистора 1 протекает лавинообразно до тех пор, пока...

Номер патента: 503353

Опубликовано: 15.02.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 5/02

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...транзисторы 1 и 5, 3 и 9, 7 и 12, при этом потенциалы в точках а, б и в стремятся достигнуть потенциала, равного Е - Уо, где 1.1 о - пороговое напряжение МДП-транзисторов,ираж 1 Изд.11 Заказ 1504 И одписное Типография, пр. Сапунов С приходом на вход положительного перепада и установления на затворах транзисторов 5, 9 и 12 напряжения ниже порогового, последние закрываются и начинает увеличиваться потенциал в точке д, в точке а также возрастает отрицательный потенциал, составляющий сумму из уровня напряжения в точке в (Со) и напряжения на накопительном конденсаторе 2, которое равно Е - Ио, при этом транзистор 1 закрыт, так как напряжение между его затвором и истоком меньше порогового напряжения а= с - Епит - УОПри достижении напряжения в...

Номер патента: 525247

Опубликовано: 15.08.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп, транзисторах, усилитель-формирователь

...подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 заряжается через транзистор 9 до напряжения Епит - 0 о, где Уо - пороговое напряжение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливается потенциал Е - соС приходом на входной вывод 1 импульса открываются транзисторы 3 и 7. На правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаются потенциалы, близкие к нулевому, а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение воз- раСТЯЕТ ДО уроВНя, раВНОГО Увх+Епит - 0 где Увх - амплитуда входных импульсов, при этом напряжение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напряжение питания, благодаря чему накопительный конденсатор 8 заряжается...