Способ изготовления биполярногоэлектрофотографического носителяизображения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 828159
Автор: Ислямов
Текст
О П И С А Н И Е ( ) 82859ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(45) Дата опубликования описания 22.05,81 Тосударственныи комитет СССР по делам изобретений и открытий(72) Автор изобретени слямо 71) Заявите ОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГОТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯИЗОБРАЖЕНИЯ Изобретенне относится к электрофотографии, а именно к технологическому процессу изготовления электрофотопрафических слоев методом испарения селина в вакууме.Известен способ изготовления биполяр.ных электрофотографичесиих слоев путем испарения селена в вакууме на подложку с температурой 25 - 30 С, затем слой вместе с подложкой тармообрабатывается в атмосфере воздуха при температу 1 ре 85 С в течевие 30 - 60 мин и быстро (за 1 - 1,5 мин) охлаждается до 20 - 30 С 111.Недостатком этого способа является то, что выход электрофотографических,слоев с высокой светочувств 1 ительностью не очень высок. Это объясняется тем, что при таких условиях термообработюи кристаллизация селена начинается с поверхностей селенового слоя, т. е. с контактов селен-воздух и селен подложка, Это п 1 риводит.к тому, что в получившемся после вакуумного;напыле.ния аморфном селеновом слое в результате термообработии наибольшее число кристаллических вкраплений скапливается в приконтактных областях, а в объеме слоя селен аморфный. С одной стороны, большая концентрация кристаллической фазы селена на контакте селен-подложка приводит к инжекции дырок из подложки в слой, в,результате чего последний перестает заряжаться отрицательным потенциалом (слой становится монополярным). Для уменьшения этого нежелательного эффекта предусматривается быстрое охлаждение слоя . после термообработки, С другой стороны, объем слоя имеет малый процент кристаллических вкраплений. Он состоит в основном, из двух аморфных форм селена с раз личного рода дефектам 1 и структуры. В таком слое содержится большая концентрация глубоких уровней захвата носителей.Это приводит к значительному уменьшению светочувствительности, так как фототенери,рованные носители,при своем дрейфе черезслой на этих уровиях захватываются и перестают участвовать:в разрядке слоя.Целью изобретения является повышениесветочувствительности электрофотографи ческого биполярного носителя.Это достигается тем, что в процессе яапыления осаждающийся слой селена дополнительно нагревают.Таким образом, основное отличие пред лагаеетого способа состоит в том, что нагреву подвергается не подложка,или готовый слой вместе с подложкой, а сам слой в процессе осаждения, Это позволяет регулировать содержание кристаллических ЗО вкраплений в объеме слоя и, при опреде828159 ф о р м у л а и з о бр е т е ии я 50 Составитель Л. ВрублевскаяТехред И, Заболотнова Корректор И. Осиновская 1 едактор Т. Клюкина Заказ 572/511 Изд370 Тираж 530 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К, Раушская наб д. 4/5Тип. Харьк. фил, пред. Патент ленных условиях (80 - 90 С), слой получается свободным от уровней захвата, т. е. обладает, наибольшей светочувствительностью, В то же вовремя, так как температура подложки не превьвшает 75 Сна границе с ней,не образуется сплошной,подслой кристаллического селена, и контакт остается,запорным. Из-за небольшой теплопроводности аморфного селена (0,123 - 0,137 Вт/м град при 25 С) дальнейший,нагрев подложки в процессе напыления селена происходит,слабо. Первые же осевшие на подложку атомы экранируют ее от нагревателей.,можно:производить напыление и,на охлажденную подложку (ниже 20 С), по это приводит лишь к усложнению конструкции, Поэтому предпочтительная температура лежит в,пределах 20 - 75 С.Нагрев непооредственно самого слоя селена в процессе осаждения, например, с помощью излучательных нагревателей," позволяет уже в процессе напыленйя,регулировать его элекпрофотографические параметры, так как становится возможным управлять структурой слоя по глубине. Благодаря этому удается значительно уменьшить,разброс параметров готовых слоев.П ри м е.р, Селеи ГОСТ б 738-71 испаряется в вакууме 1 10 4. Торр на дюралюминиевую подложку толщиной 2 мм со окоростью 3 мкм/мин, Напрев подложки и осаждающегося селенового с,тоя осуществляется с помощью вольфрамовой ленты, расположенной со стороны осаждения слоя па расстоянии 70 мм от подложки, Контроль температуры, подложки и слоя осуществляется двумя тер моп ар ам и, р асположенными ло обеим сторонам подложки. Температуру слоя селена показывает термопа,ра, расположенная на:подложке со стороны осаждения,селена, так как на нее также осаждается селен.Операции производятся в следующем порядке. После достижения необходимого вакуума (1 10- Торр) включается нагреватель (вольфрамовая лента) и темпе.ратура подложки доводится до 70 С (это констатируется термопарой, расположенной с тыльной стороны подложии). ь 1 ерез 1 - 2 мин после начала испарения на подложке (и термопаре, раоположенной со стороны осаждения слоя) осаждается слой селена, толщиной 2 - 5 мкм. К этому времени температура слоя (с помощью нагревателя) доводится до 80 - 90 С и поддерживается в этих пределах до конца;испарения. Тем пература подложки к концу испаренияподнимается до 75 С. Время испарения 25 мин, толщина полученного слоя 70 мкм.Кроме того, были изготовлены слои притемпературе подложечки 20 - 25 С и 50 - 10 53 С (при лрочих равных условиях) . Утрех слоев измерены при обеих полярностях зарядки рабочая напряженность поля, т. е. отношение поверхностного потенциала к толщине слоя, и светочувствительность, 15 измеренная по критерию (Ъ - У) Ю,где У - начальный потенциал слоя,Ъ, - потенциал, оставшийся на слоепосле экспозиции 30 лк с.Напряженность поля у всех трех образ пов составила дри положительной зарядке30 - 35 В/мкм, при отрицательной зарядке 25 В/мкм. Светочувствительность при положительной зарядке 0,83 - 0,87; при отрицательной зарядке 0,8 - 0,83, Светочувст вительность электрофотопрафических слоев,полученных известным способом прои положительной зарядке составляла 0,5; при отрицательной зарядке - 0,7.При использовании предлагаемого спо соба изготовления биполярных электрофотопрафических слоев методом термического испарения селена в вакууме выход биополярных электрофотопрафичесиих слоев с высокой светочувствительностью увеличи вается в 1,5 - 2 раза. Способ изготовления биполярного элект рофототрафического носителя, изображения,включающий нагревание подложкинапыление на нее слоя селена в вакууме,и термообработку, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения светочувствитель ности носителя, в процессе,напыленияосаждающийся слой селена дополнительно нагревают. Источник, информации, принятый во внимание,при экспертизе:1. Авторское свидетельство239037, кл. 6 03 6, 13/02, 19 б 5.
СмотретьЗаявка
2727525, 14.02.1979
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4671
ИСЛЯМОВ ВЛАДИМИР АСАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G03G 5/082
Метки: биполярногоэлектрофотографического, носителяизображения
Опубликовано: 07.05.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-828159-sposob-izgotovleniya-bipolyarnogoehlektrofotograficheskogo-nositelyaizobrazheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления биполярногоэлектрофотографического носителяизображения</a>
Предыдущий патент: Композиция для стабилизации фотогра-фического изображения
Следующий патент: Способ усиления электрофотографи-ческого изображения
Случайный патент: Щелевой расходомер для измерения весового расхода жидкости