826265
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
, Сфциапиетичеекил Республик ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пц 826265не делан нзабретеннй н вткрытнй(088.8) Н, М. Гальвидис, И, И, Жилевич и В. Г. Чепейког3 ,)ч;Научно-исследовательский институт э ктрографии и Специальное конструкторское бюро гтехй)щи;:;.с(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОфОТОГРАФИЧЕСКОЙПЛАСТИНЫ Изобретение относится к электрофотографии, в частности для изготовления селе новых эпектрофотографических пластин.Наиболее близким к предлагаемому яв ляется способ изготовления сененовых электрорентгеновских пластин, который5 заключается в том, что подложку из алюминиевого сплава после механической и химической подготовки прижимают к рабо-.чей поверхности термостата и осуществпято ют вакуумное напыление сепена на подложку при 75-100 С до образования напыленного слоя толщиной 300-500 мкм 1Недостатком известного способа изготовления пластин является слабая прочность селенового слоя, который из-за меньшей, чем у подложки, температурной усадки оказывается в напряженном состоянии при снижении температуры пластины до нормальной. дальнейшее понижение температуры (хранение нли тоанспортировка при низких температурах) приводит к необратимым остаточным деформациям слоя и его порче,Цель изобретения - улучшение качества пластины путем повышения прочности селенового покрытия при низких температурах.Указанная цель достигается тем, что во время вакуумного напыления селена на подложку из алюминиевого сплава, ее под вергают упругой деформации путем прижима к выпуклой сферической поверхности термос тата. Сепеновые апек трофотографические пластины изготавливают следующим образом.Лист из алюминиевого сплава после механической и химической подготовки иэгибают путем прижима к выпуклой сферической поверхности термостата вакуумной камеры, нагревают подложку до 70-90 Со и наносят селеновый слой испарением в вакууме со скоростью 3-с мкмУмин, дово дят толщину слоя до 350-450 мкм при расстоянии от испарителя, движущегося со скоростью 0,2-0,5 смlс, до подложки 20 см. После завершения напыления селеХ. Способ изготовпения електрофотографической пластины, включающий поджа. тие подложки из алюминиевого сплава к рабочей поверхности термостате с последующим вакуумным напылением селена на 15 3 826265 4нового; слоя пластину снимают и охдаж- подложку, о т л и ч а ю щ и й с я тем,дают до нормальной температуры. что, с целью улучшения качества ппастиИзготовленные предплагаемым способом ны путем повышения прочности сепеновоелектрографические ппастины обладают го покрытия при низких температурах, воповышенной хоподопрочностью, обеспечи время напыления подложку подвергают уп,5ваюшей возможность транспортированияругой деформации изгиба,при резких изменениях температуры ок,Способпоп, 1, отличаюружающей среды, щ и й с я тем, что упругую деформациюФормула изобрететенияпластины осуществляют путем прижима ее10 к выпуклой сферической поверхности термостата.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРМ 484789, кл. б 03 Я 7/00, 1972.Составитель И; Аксенов редактор Е, Личинская ТехредТ.Маточка Корректор М. Шароши Заказ2374/34 Тираж. 506 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Фипиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
2806034, 01.08.1979
ГАЛЬВИДИС НОРОЕРТАС МИХАЙЛОВИЧ, ЖИЛЕВИЧ ИВАН ИОСОФОВИЧ, ЧЕПЕНКО ВИКТОР ГРИГОРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G03G 5/00
Метки: 826265
Опубликовано: 30.04.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-826265-826265.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">826265</a>
Следующий патент: Yctpcrfictbo для проявления скрытого электростатического изображения
Случайный патент: Устройство для измерения малых емкостей