Способ получения электрографи-ческих слоев

Сефз Сфветскнх Сфцнайнстнчвскнк РеспубликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКМУ СВИ ВПЛЬСТВУ щ 807201(р)м. (д.з 0 03 6 5/02 Гесуяарстаекиый кемнтет СССР яв ямам изабретеяяй н еткрмтий(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКИХ СЛОЕВ1Изобретение относится к электрографии и может быть использовано впроизводстве электроФотограФических цилиндров, пластин и лент электроФотоаппаратов.В современных электроФотоаппаратах в качестве Фоточувствительныхэлементов широко используются селеновые слои, нанесенные на цилиндры,пластины и ленты путем термическогоиспарения в вакууме,Известен способ получения электрограФических слоев, заключающийсяв нагреве подложки до 120-150 еС, выдержке при этой теьеературе 40-:60 мин, охлаждении подложки до 75-80 оС, нанесении селена термическимиспарением в вакууме прн этой температуре к резком охлаждении сжатымвоздужом нлн водой прн температурене веаяе 15 вС за 1-2 мин,Этот способ позволяет получатьэлектрограФические слои, обладаощиесветочувствнтельностью при обеихзнаках полярности поверхностногозаряда 1.Однако это способ характеризует"ся критичным температурно-временнымрежимом, допускаккккм разброс темпе,ратуры на подложке во время испаре 2нйя не более +2,5 С. Размеры применяемых в серййных электроФотоаппаратах цилиндров и пластин сравнительно велики (до 1 а 104 см), вслед ствне чего трудно выдержать температуру с указанной точностью по всейплощади в течение времени нанесенияселена (20-40 мин). Выход температу 1 и подложки за пределы 75-80 оС во 10 время процесса испарения приводит кухудшению параметров электрограФических слоев для одной из полярностей поверхностного заряда и уменьшает выход слоев, удовлетворяющих тех ническим условиям. При выходе эаверхний предел. температурного интервала образуется прослойка кристаллического селена на границе аморфногоселенового слоя с подложкой, снижаю щаяначальную напряженность электрического поля при отрицательном поверхностном заряде, Выход за нижнююграницу температурного. интервалаприводит к ухудшению светочувстви тельности слоя при положительномповерхностном заряде.Цель изобретения - повышение светочувствительности слоя.Поставленная цель достигается 31)тем, что в способе получения электТираж 517 Подписное ВНиИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, РаУшскаЯ наб., д,4/5Эаказ 280/69 Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул,Проектная, 4 рографических слоев селен наносят ;со скоростью 25-80 мкм/мин одновременно с. нагревом подложки, при этом нанесение селена начинают при температуре подложки 45-65 ОС, а заканчивают при 80-95 С.При таком способе получения селе- нового слоя, в отличие от известного, кристаллическая Фаза селена не образует сплыной прослойки на границе селена с подложкой, а диспергирована в объеме аморфного селена, Образование подобной структуры селенового слоя обусловлено тем,что температура подложки в момент начала нанесения селена .сравнительно низка (45"65 оС) и только к концу 15 процесса нанесения селена достигает своего максимального значения (80- 95 С) . Увеличение скорости конденсации селена до 25-80 мкм/мин приводит к значительному сокращению вре мени пребывания слоя при повышенных температурах при одновременном расщирении температурного интервала процесса изготовления слоев, Такой режим упрощает операцию нанесения селена на подложку и увеличивает выход годных слоев, позволяя получать высокие значения напряженности поля и светочувствительности при положительном и отрицательном знаке поверх- О ностного заряда слоя. П р и м е р . Проводится термическое испарение в вакууме навески селена марки СВЧГОСТ 6738-71, обеспечивающей получение слоя толщины 80 мкм, Цилиндр-подложка иэ дюраля, оксидированный, разогревается до 55 С, после чего начинается испарение селена, пары которого ковдемсируются на подложку со сковостью 25 мкм/мин, В процессе испарения подложка продолжает разогреваться, и к моменту окончания испарения ее температура достигает 82 С. Полученный электрографический слой резко охлаждается до комнатной температуры. со скоростью 15-60 град/мин путем быстрого напуска воздуха в вакуумную установку и последующего охлаждения его сжатым воздухом со стороны подложки.Слой имеет следующие параметры: Г 32 В/мкмжд Ро 27 В/мкм) Я+ 1,57Ф ои Я 0,8 (где Г, и Р - начальная наопряженность электрического поля при положительном и отрицательном заряде; Я+ и Я - светочувствительность по критерию 4 Р 10 В/мкм при цветовой температуре источника света Т,4 2850 К)у время темнового полуспада при обеих полярностях поверхнсстного заряда 1-2 мин,Использование предлагаемого способа получения электрографического слоя обеспечивает повьаоение таких электрографических параметров слоя как светочувствительность и начальная напряженность поля и увеличает выход годных слоев в 1,5-2 раза по сравнению с известным способом за счет снижения требования к точности поддержания температуры на поверхности подложки. Способ получения электрографи-,ческих слоев, заключающийся в нагреве подложки, нанесении на нее селена путем термического испарения в вакууме и охлаждении подложки, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения светочувствительности слоя, селен наносят со скоростью25-80 мкм/мин одновременно с нагревом подложки, при этом нанесение селена начинают при температуре подложки 45-650 С, а заканчивают при80-950 СИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР9 236245, кл. С 03 С 5/02 1976.