Способ контроля качества поверхности пластин

Союз Советских Социалистических Республик(51)М. Кл.3 а 01 И 13/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий(72) Авторы изобретения Е. А. Бизинская и В. В. Баковец Рт) Заявитель Институт неорганической химии СО АН СССР(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТ ИНИзобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля поверхности полупроводниковых и диэлектрических пластин.Известен способ контроля качества 5 поверхности пластин (1 основанный на наблюдении поверхности пластины с помощью микроскопа. 10Недостатком этого способа является е.о непригодность для выявления загрязнений в результате адсорбции из индустриальной атмосферы и из растворов, в которых производится обработка пластин.Известен также способ контроля качества поверхности пластин по углу смачивания при нанесении на поверхность пластины капли жидкости (2).Недостатком этого способа является то что в процессе контроля исследуемые пластины соприкасаются с индустриальной атмосферой, что приводит к загрязнению пластин. Загрязнение приводит к понижению качества контроля,Целью изобретения является улучшение качества контроля путем исключения загрязнения пластины в процессе контроля, ЗО Поставленная цель достигается тем,что пластину погружают в деионизованную воду и наносят на ее поверхностькаплю диэтилового эфира,П р и м е р. После химико-механической полировки пластины подвергалистандартной технологической обработке:1 перекисная обработка (кипячениев аммиачно"перекисном растворе 5 мин,промывание в деионизованной воде, кипячение в соляноперекисном растворе5 мин, промывание в деионизованнойводе) .2. кистевая мойка.3, сушка в токе азота 2 мин прикомнатной температуре.Затем пластина подавалась в термостатированную кювету (25 + 0,5 аС) дляизмерения уласмачивания. С помощьюкварцевого кайилляра, заполненногодиэтиловым эфиром, наповерхностиконтролируемой пластины Формировалисьтри капли, разнесенные по диаметрупластины. Диаметр капель 1 - 2 мм.Для пластин с одной или разных полировальных головок, прошедших один итот же режим химической обработки исушки, угол смачивания составил157 + Зо, Количество проконтролированных пластин - 25 штук.783653 Стандартная обработка без кистевой мойки Стандартная обработкабез кистевой мойки сизменением временихранения пластин вкассетах в индустри-альной атмосфере Стандартная обработка с изменением времени хранения пластин в кассетах в индустриальной атмос- Фере Р головки Я+разброс,град. 8+ разброс град.Р пластины Р го- ловки времяхранения Р го- ловки 6+разбросград время Р пластины хранения 139+4 О 130+148 О 1 2 ч 143+2 2 24 ч 147+3 3 24 ч 139+3 2 Змин ЗОьин 60 мин 24 ч О 3 146+ 3 148+2 1 142+ 3 138+4 24 ч 24 ч фВеличина углов смачивания для пластин, прошедших обработку без нарушения режима составляет 157 о+Зэ,Источники информации,принятые во внимание при экспертизеВНИИПИ Заказ 8532/45 Тираж 1019 Подписное Филиал ППП "Патент" г. Ужгород, ул. Проектная, 4 для определения чувствительности способа контроля к изменению режима обработки пластин проводилось специальное нарушение технологического процесса. Представленные в таблнце результаты контроля показали, что спосОб выявляет факт нарушения технологического процесса с достаточной на- дйжностьМ, при этом угол смачивания значительно уменьшается.Контроль не изменяет качество поверхности. Последующее окисление и ф измерение порогового напряжения показало, что величина последнего одинакова для пластин, прошедших и не прошЕдших упомянутый контроль.Предлагаемый способ является эффек тивным для контроля качества поверхФормула изобретенияСпособ контроля качества поверхности пластин по углу смачивания при нанесении на поверхность пластины капли жидкости о т л и ч а ю щ и й с я я тем, что, с целью улучшения качества контроля путем исключения загрязнения пластины в процессе контроля, пластину погружают в деиониэованную воду и наносят на ее поверхность каплю диэтилового эфира. ности не толькопластин кремния, но и пластин иэ кварца, окисленного кремния, кремния, покрытого окисью алюминия,Предлагаемый способ позволяет проводить операцию контроля непосредственно после окончательной отмывкипластин в технологическом процессе и испольэовать проточную деиониэованную водуе Использование диэтилового эфира для формирования капли позволяет получить углы смачивания, удобные для измерения и не загрязняет поверхности пластин.Способ может применяться для контроля всех пластин при массовом производстве. 156+ 3 154+ 3 152+ 3 146+2 149+3 149+3 1 Ерусалимчик Н.Г., Никонов А.С.,Старшинов И.П Сонов О.В, Предварительная очистка кремния. Электроннаятехника, сер. 2, вып. 1 (119) 1978,с, 81,2. Патент США Р 3505006, кл. 21-61,опублик 1970. (прототип).