Пьезоэлектрический керамический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 747839
Авторы: Барчуков, Голямина, Сергеева, Спиренкова, Угрюмова
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскик Социалистическив Республик(22) Заявлено 140478 (21) 2603827/29-33 с присоединением заявки йо Государственный комнтет СССР но лелам изобретений н отнрытнй(088. 8) Дать опубликования описания 150780 М. А. Угрюмова, И, П. Голямина, М. В. Сергеева,В. К, Барчуков и В. И. Спиренкова(54) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИИ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Изобретение относится к области получения пьезоэлектрических материалов и может быть использовано для изготовления пьезоэлементов для 5 электромеханических преобразователей различного назначения.Известны пьезоэлектрические керамические материалы на основе твердых растворов титана - цирконата свинца со сложными свинцовыми перевскитами 1.Недостатком таких материалов являются значительный разброс параметров внутри одной партии и от партии к партии.Наиболее близким техническим решением к изобретению является керамический материал систеью твердых раст")(т ) (п п 0 (,11 11 ц 1 э Этот материал обладает недостаточно высокими значениями диэлектрической проницаемости с и пьеэоэлектрическо го модуля с 1Целью изобретения является повышение пьезоэлектрического модуля и диэлектрической проницаемости, а также уменьшение разброса параметров. Цель достигается тем, что пьезоэлектрический керамический материал на основе РЫЛО,482.) д 1 (хп 1 йЬз) 4 дополнительно содержит Сдоб ИЬОз и Та Ов при следуюцем соотношении компонентов,вес.ЪгРЬ(ТЬ; ) ап мЬойдо фь 11 1 ъо 1498 50 99 0.о З СаобВЬОЗ,0,50-0,75ТаОв , 0,50-0, 75Уменьшение разброса параметров достигается путем расширения области фазового перехода (морфотропной области). Состав становится менее критичным, например к потерям свинца, обжи- ге керамики. Кроме того, расширение об-, ласти фазового перехода повышает воспроизводимость свойств при поляризации..При изготовлении керамики после смешивания в вибромельнице и сепарирования прессуют брикеты и проводят предварительнцй обжиг при 950 С. Брикеты измельчают в вибромельнице, сепарируют, прессуют заготовки и обжигают в тунельной печи при температуре 1200 фС в течение 1 ч.П р и м е р . Диэлектрические и пьезоэлектрические характеристики марффи". - . - . ", . "-:"-. -:747839 3600 - 3700 и пьезомолуля д- (290 в , 300) " 10 1 к/н,В таблице приведены свойства неко-торых составов,ПьеэодульЙ.хх 10,к/н Температура КюреТКС Состав Диэлектрическаяпроницаемость СкоростьзвукаСзв,м/сек РЫТ 1 1"о 4 о)о ЕьЮСд ЯЬ Р НЪ, ) 4 иЬЬоОз-аДдй 4 3"Фэ: :. к . "-г Ф .: :- % ."-- "Ф "а 98,8 0,60 0,60 3600 1,5-2 2800 300 67 270 2 2800 298 0,50 0,50 99,0 66 270 3570 о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения пьезоэлектрическогбмодуля и диэлектрической проницаемости, а такжеуменьшения разброса параметров, он дополнительно содержитСдо ИК) и ТаО при следующем соотношении компонентов, вес.:РЫТофо 2 о 4 О о 5 ь(7 п,ЯМЪгз)о 14"Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1. К.Окадзаки. Технология керамических диэлектриков, М Энергия,1976, с. 244.2. Патент Японии Р 10236,кл. 62 С 23, 1969. Составитель Н. ФельдманТехред М. Петко Корректор В. Путят а"Редактор О.Торгашева Эаказ 4172/14 Тираж 671ЦНИИПИ Государсттвейного- комитета СССРпо"делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ПодписноеФФилиал ППП1 Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 териала определяли -на изделиях диамет-,ром 12 йчтолщнной 2 мм. Йспйтаниякерамических образцов показали, чтоони имеют высокие значения диэлектрической проницаемости Е /Ес,Разброс значений в одной партии пьезоэлементов диэлектрической прони- цаемости Е /Ео = 3600 т 100, а пье-. зомьдуля с 1= (300 + 10)10-1 к/н ,(приведены максимальные отклонения. из среднего значения). Разброс характеристик для образцов, относящихся к разным партиям, не превышает максимального разброса внутри партии. При этом коэффициент электромеханической связи КР равен 65; сйорость 40 звука 2,8 10 см/сек, тангенс угла диэлектрических потерь 1-1,5, точка Кюри 27 С.форжула изобретенияПьеЗоэлектРический "керамйческий материал на основеРЬТОо 2 Г 4 О 1)оР" ЪЦъо 14мКЬ 1,С) Тангенс угла диэ- лект- ри- ческихпотерь 1 д;
СмотретьЗаявка
2603827, 14.04.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1687, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8941
УГРЮМОВА МАРИЯ АЛЕКСАНДРОВНА, ГОЛЯМИНА ИРИНА ПЕТРОВНА, СЕРГЕЕВА МАРИНА ВАСИЛЬЕВНА, БАРЧУКОВ ВЛАДИМИР КОНСТАНТИНОВИЧ, СПИРЕНКОВА ВАЛЕНТИНА ИЛЬИНИЧНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/00
Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический
Опубликовано: 15.07.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-747839-pezoehlektricheskijj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Пьезоэлектрический керамический материал</a>
Способ измерения параметров области полупроводникового слоя
Номер патента: 1068847
Опубликовано: 23.01.1984
Авторы: Гулидов, Овчаренко, Панасюк, Смирнов
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: области, параметров, полупроводникового, слоя
...области измерений, а такжевременная зависимость 13 толщины неравновесной области пространственного заряда.МДП-структура включает также скрытый слой 14, контактное окно 15 дляподключения вольтметра, контактнуюплощадку 16 - МДП-структура на внешней области полупроводникового слоя,контактную площадку 17 - МДП-струк-,тура на контролируемой области полупроводникового слоя,Электрическую изоляцию контролируемой области от остальной частислоя структуры на. время измеренияосуществляют не с помощью разрушающих структуру технологических операций, а путем йодачи на ограничивающую размеры контролируемой области по поверхности слоя замкнутуюМДП-структуру импульса напряжениятакой полярности, при которой происходит обеднение слоя полупроводника...
Шихта для изготовления керамического диэлектрического материала
Номер патента: 1106806
Опубликовано: 07.08.1984
Авторы: Кравчик, Лискер, Слатинская, Шуршалова
МПК: C04B 35/486
Метки: диэлектрического, керамического, шихта
...0,5 ч. Осадок отфильтровывают,шихту прокаливают при 1250 С в течение б ч. В полученную таким образомоснову вводят 0,62 г бората кальцияи 1,25 г огнеупорной глины, смешивают в течение 1-1,5 ч и спекают керамику в атмосфере водорода при 13701430 С в печи с силитовыми нагревателями или при 1450-1550 С в печис молибденовыми нагревателями. Привсех условиях керамика получаетсяплохо спеченной (пористость более 57), на нее нельзя нанести электроды и измерить электрофизическиесвойства.Состав шихты при введенном количестве минерализатора следующий,мас. 7:Диоксид циркония 37,8Оксид стронция 37,4Пентоксид тантала 24,1Борат кальция 0,2Огнеупорная глина 0,5П р и м е р 2. Получение материала состава 0,15 Бгта 206 -0,85 БгЕгоэ(основа) с 1,57...
Термокомпенсированный диэлектрический материал
Номер патента: 697474
Опубликовано: 15.11.1979
Авторы: Белоус, Веневцев, Политова, Поплавко, Цыкалов
МПК: B32B 15/00, C04B 35/46
Метки: диэлектрический, материал, термокомпенсированный
...эффективности диэлектрической проиицаемости термокомпенсированного диэлектрического материала, включающего слой рутила, склеенный со слоем ниобата лития.Целью изобретения является увеличение эффективной диэлектрической проницаемости.Цель достигается тем, что в качестве мате. риала с положительным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости ис. пользован кобальт-теллурат свинца,Кобальт.теллурат свинца имеет в СВЧ ди. апаэоне (10 Гц) высокие значения диэлектрической проницаемости (е =110 Ф/м) и низкие диэлектрические потери (тф= 8 10 ).697474 Составитель Е. ХвощеваРедактор И, Шубина Техред Л. Алферова Корректор М. Пожо Заказ 6869/18 Тираж 702 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и...
Резонаторный способ измерения температурной зависимости диэлектрической проницаемости материала
Номер патента: 1777064
Опубликовано: 23.11.1992
МПК: G01N 27/22
Метки: диэлектрической, зависимости, проницаемости, резонаторный, температурной
...температурной зависимости диэлектрической проницаемости в рабочей области температур.Наиболее существенное дополнительное влияние на собственные высокотемпературные характеристики ячейки в присутствии образца оказывают пары испы-. туемого материала, наполняющие внутренний объем и приводящие к изменению химического состава, электропроводности квазинейтральной парогазофазной среды резонатора за счет механизма транспортировки электрических зарядов и столкновительных процессов в среде заполнения.Для учета влияния образца испытуемого материала на изменение электрофизических свойств пространства внутри ячейки измерения калибровочных собственных характеристик ячейки проводят в присутствии паров испытуемого материала с упругостью,...
Диэлектрический материал
Номер патента: 446910
Опубликовано: 15.10.1974
Авторы: Афонская, Илькевич, Каплий, Кондратов, Корякова, Краснов, Мелешко, Николаенко, Федина, Хрящева
МПК: H01B 3/12
Метки: диэлектрический, материал
...раствор 1,аАЮ, - СаТЮ,Сополимер петрафторэтилена с гексафторпропиленомвердый раствор 1.аА 10, - СаТ 10,40 60 50 50 ГоликарбонатТвердый раствор 1.аА 10, - СаТ 10,20 15 60 ПолитетрафторэтиленСополимер тетрафторэтилена с гексафторпропиленомТвердый раствор 1.аАЮ, - СаТ 10 з 20 80 Поли в метилпентен - 1Твердый растораА 10, - СаТ 10 э Зл 70 Тетрафторхлорэтилен модифицированныйТвердый раствор .аАЮз - СаТ 10,Полинина (полипиромеллитимид на основе 4,4 - диаминочвЧенилового эфира)Твердый раствор 1 аАЮ, - СаТ 10,90 8, Полиарилат (на основе фенолфталеина и дихлораигидрида терефталевой кислоты)Твердый раствор .аА 10 з - СаТ 10 З 10 Предмет изобретения 0,0005609,85 - 10,1 электрический материал на основе сополиме 30 ра...
Предыдущий патент: Огнеупорная бетонная смесь
Следующий патент: Способ получения пенокварцевой керамики
Случайный патент: Флотационная машина