Способ измерения радиуса кривизны цилиндрической поверхности

Номер патента: 1632648

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Велиев, Иванов, Тараненко, Холзунова

МПК: B23C 3/02, B24B 17/02

Метки: выполненной, деталях, поверхностью, радиусу, фасок

...на кронштейне 43 на станине. Фиксирующие планки 44 служат для опоры и удерживания заготовок 45Обойма 46 служит для подвода СОЖ в зону резания,Устройство работает следующим образом.Обрабатываемая деталь из бункера попадает в щель между корпусом план- шайбы 22 и крышкой 32 и удерживается Фиксирующими планками 44. В моментзагрузки детали ползунок 36 находитсяв приподнятом верхнем положении (в вертикальном) и контактирует с копиром 38. В этот момент он отводит ловители, освобождая место для детали, При последующем повороте планшайбы 22 ползунок 36 выходит из контакта с копиром 38 и пружина 37 возвращает ловители 35 в исходное положение. Вэтот момент нижний ловитель 35 (фиг. 1; входит в отверстие детали 45 и фиксирует ее. Верхний...

Номер патента: 1086999

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических

...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...

Номер патента: 1389606

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: большей, гетеропереходах, емкости, запрещенной, зоны, мдп-структурах, шириной

...при С =С н =и С=С ; ы, - значение чаетотымодуляции, выше которого величины .дч и ЛЧ не изменяют своего значеф,ния, 20П р и м е р. Способ используютдля определения емкости материала сбольшей шириной запрещенной зоныА 1 Са,Ая в гетеропереходе СаАзА 1 СаАя(Е=Е а,Аз=1,8 эВ, Е= 26=Е=1,43 эВ) с толщиной слояА 1 Са,.Аз2 мкм.ИсследуемыГ образец включают в измерительную схему последовательно семкостной нагрузкой С=С (фиг. 1) 301и освещают модулированным по интенсивности светом с энергией квантовР(М (Е)со стороны материала сбольшей шириной запрещенной зоны,При таком освещении свет поглощается только в материале с меньшей шириной запрещенной зоны.Освещение производят со стороныА 1 Са,Ая модулированным по интенсивности светом с энергией...

Номер патента: 1562691

Опубликовано: 07.05.1990

Автор: Парняков

МПК: G01B 11/255, G01B 9/08

Метки: кривизны, поверхностей, радиусов, сферических

...объективов 43 и 43 и в которой проектируются два иэображениямарки 37. При наведении проекционныхсистем на контролируемую поверхностьточка пересечения осей этих системсовмещается с вершиной О сферической поверхности, При отражении отнее оба пучка лучей света проходят вобратном ходе оптические элементыпроекционных систем и с помощью светоделительного зеркала 40 направляются в линзу 45 приемной оптическойсистемы. С помощью линзы 45 и кубпризмы 49 с полупрозрачной гипотенузной гранью два изображения марки проектируются в плоскости марки 50, наблюдаемой через окуляр 51, в плоскости диафрагмы 47, расположенной перед фотоприемником 48. На фиг.2 показан в качестве примера двухэлементный фотоприемник, но вместо него возможно,...

Номер патента: 1747881

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Курибко, Селезнев

МПК: G01B 11/24

Метки: кривизны, оптических, поверхностей, радиуса, сферических

...симметричных порядках дифракции голограммы соответственно,Кроме того, с целью повышения точности контроля выпуклых поверхностей об разцовая осевая голограмма выполнена в виде двух соосно размещенных на одной подложке голограмм; а вершину и цЕнтр кривизны контролируемой поверхности совмещают соответственно с иэображениями 30 светящейся точки от каждой из двух голограмм.На фиг, 1 - 3 приведены схемы для реализации предлагаемого способа. На фиг. 1 приняты следующие обозначения: 1- светя щаяся точка (точечный источник); 2 - контролируемая вогнутая оптическая :- поверхность с радиусом кривизны Р; 3. -"йропускающая образцовая осевая голо"граФЬ, 4- объектив; 5 - коллимированный 40"мойохроматический пучок света, освещающий голограмму 3; 6-...