Способ шагового перемещения ленточного носителя информации

Номер патента: 1509159

Опубликовано: 23.09.1989

Автор: Парусников

МПК: B21D 43/00, B21F 23/00

Метки: зону, ленты, подачи, проволоки

...в ней 30с возможностью вертикального возвратнопоступательного перемещения прижима 12,контактирующего с прижимным винтом 13на рычаге 9, и из опорной пластины 14,Приводная каретка 8 снабжена гибкимиэлементами 15 и 16, выполненными в виде 35лент, Концы лент 15 и 16 закреплены наваликах 17, жестко установленных на каретке по обе стороны от торцов направляющей 11 и опорной 14 пластин зажима. Ленты 15 и 16 натянуты на опорные ролики 18, расположенные на передней 1 и задней 4 стойках устройства. Привод подачиосуществляется при помощи кулачка 19с расположенным на его торцовой сторонеприводным роликом 20, рабочей поверхностью взаимодействующего с роликом 6 45планки 5. На конце плеча качающейсяпланки 5 расположен регулируемый винт...

Номер патента: 1662729

Опубликовано: 15.07.1991

Автор: Парусников

МПК: B21D 43/00

Метки: зону, ленты, подачи, проволоки

...выполнения каретки из двух элементов и зубчато-реечной их связи увеличивается шаг подачи материала без увеличения размеров кулачка привода 19. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. ного. захвата (не показан), размещенного в стойке 1. Во избежание прогиба материала устройство снабжено гибкими лентами 27 и 28, охватывающими ролики 29, при этом концы лент закреплены тягами 30, а их обращенные друг к другу плоскости образуют проходное сечение для материала 31, На торцовой стороне кулачка 19 установлен приводной ролик 32, контактирующий с рабочей поверхностью элемента 12 каретки, Ведомый элемент 7 каретки снабжен возвратной пружиной 33.Устройство работает следующим образом,После ручной заправки проталкиванием материала 31 в устройство до фиксации его штоком...

Номер патента: 1274821

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Капустник, Кокорев, Павлов, Суярко

МПК: B21D 43/00, G05B 19/00

Метки: длинномерного, зону, обрабатывающей, перемещения, рабочую, регулятор, цифровой

...выбрано большим, чем сопротивление резистора 27(п - 1). Это приводит к дальнейшему увеличению темпа замедления привода подачи в конце трегьего цикла.Форсировка темпа замедления производится до тех пор, пока на выходе нуль-органа 15 (в конце цикла) формируется логическая единица, вызывающая увеличение числа, содержащегося в дополнительном реверсивном счетчике 23, что приводит к увеличению общего сопротиг,леция резисторов в цепи отрицательной обратной связи усилителя 25.Если на выходе нуль-органа 15 по истечении а циклов формируется логический нуль, свидетельствующий о недопустимых тепловых потерях в двигателе, на выходе инвертора 17 формируется логическая единица, которая через элемент 2 И 19 поступает на вычитаюший вход...

Номер патента: 950813

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Краснов, Парфенов, Ястремский

МПК: D01D 5/38

Метки: жидкой, зоны, перехода, полимерного, положения, производстве, твердую, фазы

...изменения прозрачности материала от фильеры.Пленку 1 формуют путем продавливания жидкого полимера 2 через фильеру 3. При движении полимера 2 в потоке охладителя 4 он остывает и образмет пленк . Физико-механические показатели формуемой пленки в значительной мере зависят от стабильности положения зоны фазового перехода. Миграция положения зоны фазового перехода вызывает неровноту свойств пленки, в частности, по ширине и толщине. Позицией 5 обозначен датчик прозрачности.Способ реализуют следующим образом.Измеряют прозрачность или коэффициент поглощения свежссформованной пленки по направлению ес движения, для чего датчик 5 помещают на расстоянии 20 - 30 см от фильеры, и перемегцая датчик 5 вдоль пленки от фильеры по ходу ее дви/ Ъ 4 , //ы...

Номер патента: 1086999

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических

...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...