Преобразователь “аналог-частота

Номер патента: 1580548

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Ручин

МПК: H03K 19/094

Метки: кмдп-транзисторах, преобразования, уровней

...установившееся под воздействием уровня напряжения на входе 25, совпадающего с напряжением на шине 23 опорного напряжения. При этом напряжения в узлах следующие: в узле 26, образованном стоками транзисторов 1,2 и 17 и затвором транзистора 3, уровень напряжения совпадает с напряжением в первой шине 21 питания, в узле 27, образованном стоками транзисторов 9,10,11 и затвором транзистора 12, уровень напряжения совпадает с напряжением на второй шине 22 питания, в узле 28, образованном стоками тран 48 6зисторов 3,4,12,)3 н затворами транзисторов 5, 14 1 и 10, уровень напряжения совпадает с напряжением на первой шине питания 21, в узле 29, образованном стоками транзисторов 5 и 14, затворами транзисторов 6 и 5, выходом 19, уровень...

Номер патента: 434395

Опубликовано: 30.06.1974

Автор: Темрезов

МПК: G05F 1/56

Метки: импульсные, импульсный, постоянного, проводимости,уз, различного, регулирующий, содержащие, составной, стабилизатор, стабилизаторы, типа, тока1из1вестны, транзистор, транзисторах

...делителем в цепи коллектора и резпстивцый делитель смещения составного транзистора, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и упрощения, в стабилизатор до полнительно введены два конденсатора, одиниз которых включен между отводом рсзцстив ного делителя смещения и эмпттером состав ного транзистора, другой - ,между базой составного транзистора и отводом резистпвцого 0 делителя в цепи коллектора коммутирующеготранзистора. Известны импульсные стабилизаторы напряжения постоянного тока, содержащие составной регулирующиц транзистор па транзисторах различного типа проводимости, узел управления, коммутирующий транзистор с резистивньом делителем в цепи коллектора и резистивный делитель смещения составного...

Номер патента: 741473

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков

МПК: H03K 19/40

Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим

...принципиальная схема инвертора, в котором четыре полевых транзистора 1 - 4 с управляющим переходом и с чередующимися типами проводимости каналов попарно образуютпервый А-транзистор 5, включенныймежду выходной шиной 6 и общей шиной 7 и второй Х -транзистор 8 дополняющего типа, включенный между шинойпитания 9 и выходной шиной. Затворы транзисторов 1 и 4 подключены,квыходной шине, затвор транзистора 2 щчерез А-диод 10 в обратном включении и затвор транзистора 3 через)-диод 11 в прямом включении подключены к входной шине 12.На Фиг. 2 представлены вольтамперные характеристики А -транзисторов 5 (сплошными линиями) и 8(пунктирными линиями),Инвертор работает следующим образом.ЗОВ исходном состоянии сигнал нашину 12 не поступает, ее...

Номер патента: 1112533

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Глоба, Головченко, Рогозов, Срывкин

МПК: H03K 3/286

Метки: двоичный, делитель, типа, частоты

...р-п-р. транзисторов соединены соответственнос базами третьего н второго и-р 4-транзисторов, база третьего п-р-п-транзистора подключена к первому коллектору второго п-р-п-транзистора, второй коллектор которого соединен с базой четвертого п-р-п-транзистора, первый коллектор которого соединен с эмиттером перво.го р-п-р-транзнстора, эмиттер инжек тирующего р-п-р-транзистора соединен с шиной питания, а его соответствующие коллекторы - соответственно с эмиттерами р-п-р-транэисторов и базой первого п-р-и- транзистора,базы всех р-и-р- и эмиттеры п-р-п- транзисторов соединены с обшей шиной, второй коллектор четвертого и-р-птранзистора - с выходом устройства, введен пятый п-р-н-транзистор, база которого соединена с третьим коллектором...

Номер патента: 117319

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Собенин

МПК: H03K 5/00, H03K 7/00

Метки: импульсов, импульсы, модулятор, неизменной, несущей, переменного, подавления, полярности, постоянного, преобразования, частоты

...как напряжение импульсов постоянного тока, по. даваемое на диоды, управляло бы их сопротивлением в пределах квадратичной характеристики.На чертеже показана принципиальная схема модулятора.Особой точности подбора характеристики диодов Д 1 и Д 2 не требует ся. Для получения возможно большей линейности амплитудной характеристики модулятора сопротивление нагрузки Яи,внутреннее сопротивление Л, генератора несущей частоты Гдолжны быть достаточно малыми, э,д.с. Егенератора несущей частоты тоже должна быть малой, а сопротивление г должно быть возможно большимПредложенный модулятор, составленный из Р=Р, =300 ом, при Е 100 мв, г=0,5 мгом собран на диодах Д 1 и Д типа КД=.1 и обеспечивает линейность амплитудной характеристики с отклонением +0,5...