Генератор наносекундных импульсов с электронным управлением частоты

(54) ГЕ 11 ИРАтОР НАНОСЕКУНДНЫХ ИМ С ЭЛЕКТОКЫМ УПРАВЛЕНИЕ Изобретение относится к области наносекуЮной импульсной техники и может быть использовано нри разработке проверочных генерато.ров для автоматизацщ измерений.,Известнь генераторы импульсов, содержащиедва транзистора с емкостной эмиттерной связью,в цепи коллекторов и змиттеров которых вклю.челы резистивные нагрузки 111,Общим недостатком таких геораторов является узкий диапазон регулирования частоты.ОНаиболее близким по своей технической супности к изобретению является генератор им.пульсов с электронным регулировапем частоты,содержащий два транзистора с, перекрестнымиВС - связями между коллекторами и базами, 15резистйвньпаи нагрузками в коллекторах и времяэадиощнм конденсатором в змиттере Щ.Регулирование частоты. в указанном генератореосуществляется изменением напряжения пита.Пя со стороны эмитгера транзистора,20Недостатком известного генератора являетсямалый дапазон регулирования частоть ограниченньй в сторону больших частот,2Цель изобретения - расплрение диапазона:регулирования частоты. в сторону высоких частот.Для достижения постаюенной цели в генераторе на транзисторах с йерекрестными коллек.торно базовыми связями. коллектор одного нзтранзисторов соединен с одной шиной питаниячерез нелинейный элемент, а к месту соединения времязадающего конденсатора и эмиттераэтого транзистора подсоединен коллектор дополнительного транзистора, база которого подсоединена к генератору управляющего напряжения,:.а эмиттер через резистор. к другойдине пи.тания,На чертеже приведена принципиальная ехемапредлагаемого генератора импульсов.Генератор выполнен на транзисторах 1 и 2,охваченных перекрестньвп коллекторно.базовыми ЯС - связями 3 и 4, причем коллектортранзистора 1 через резистор 5 и коллектортранзистора 2 через нелинейный элемент 6 сое.динены с одной пшной питания "+Б", эмитте.ры транзисторов 1 и 2 соединены через время.задаощий конденсатор 7, змиттер транзистораб 63080 ЬЯИИПИ Заказ 2725/5ираж 1059 Подписное Филиал ППП "ПАтент",.Ужгород, ул,Проектная 1 через резистор 8 соедицец с другой шиной питания " - Е", при этом эмиттер трацзистора 2 соединен с коллектором дополнительного трап. зистора 9, база которого соединена с цсточци. ком 10 управляющего напряжения, а эмцттер через резистор 11 с шиной питания ф Ефф,Генератор работает следующим образом, Полный период колебаний генератора состоит иэ двух частей. Первая часть периода колебаний генератора (длительность импульса) опрецеля. ется зарядом конденсатора,7 по цепи; трацэис. ,тор 2 - конденсатор 7 - резистор 8 (трацзис. тор 1 закрыт). Вторая часть периода (интервал между импульсами) определяется разрядом конденсатора 7 по цепи; транзистор 1 - конденсатор 7 - транзистор 9.При максимальном токе через транзистор 2 (и транзистор 9) токи через транзисторы 1 и 2 примерно равны, время заряда и разряда конденсатора 7 минимально, а частота генериро. вания максимальна, При уменьшении тока через транзистор 2 (и 9) обратно пропорционально растет время разряда конденсатора 7, а время заряда постоянно, то.есть при изменении интервала между импульсами в широких пределах длительность импульсов остается неизменной. Гаким образом, изленение второй части периода позволяет значительно менять частоту генерируемых импульсов при сохранении амплитуды и длительностивыходных импульсов.Наличие нелинейного элемента в коллекторной цепи транзистора 2 обеспечивает постоян- . ными режим переключения и амплитуду выход. ных импульсов, практически не зависящими от величины тока через транзисторы 2 и 9, задаваемого источником управляющего напряжения,.ижияя граница час;оты определяется минимзльным током через транзистор 2, еще доста1 очцым для создация ца нелинейном элементе6 импульса напряжения, запирающего транзис.тор 1,,Изобретение позволяет почти на порядокрасширить диапазон регулирования частоты посравнению с известными генераторами при ра.боте в диапазоне сотен МГц,16 Формула изобретения Генератор наносекундных импульсов с элекМ тронным регулированием частоты, содержащийдва транзистора с перекрестными Вс - связями между коллекторами и базами и времяза.дающим конденсатором между эмиттерами,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью2 О расширения диапазона регулирования частотыв сторону высоких частот, коллектор одногоиэ транзисторов соединен с одной шиной питания через нелинейный элемент, а к месту соединения времязадающего конденсатора и эмит 25 тера этого транзистора подсоединен коллектордополнительного транзистора, база которогоподсоедицена к генератору управляющего напрякения, а эмиттер через резистор - к другойппще питания,36 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР У 132735,кл, Н 03 К 3/282.З 5 2. Авторское свидетельство СССР Х 228072,кл, Н 03 К 3/282,