Датчик магнитного поля
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ(652510 Союз Соаетсммх Соцмалмстмцеосмх Испублик23) Приоритет ГааударатаеннаЯ наматет СССР аа делам нзебретеннЯ н аткратнйДата опубликования описания 19,03,79 72) Авторы изобретен ерпак ев, В. В. Мышенко и Е. Кам дена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт физики и электроники ЛН Украинской ССР(54) НАТЧИК МАГНИТНОГО брегения заключ о обнаружейном ения катушки и да, помещенной гный коэффициен на является отр равнигельно бол ициенга в манг ется в ффекге Сущность иэОэксперименгвльнмагнитосопрогивлганинового провоное поле. Магиитивления манганно величиной, Счина этого коэфф ман- магнитсопроине Изобретение относится к области маг- нитных измерений и может быть использовано для измерения напряженности поссгоянного магнитного поля, в частности дпя измерения больших значений напряженности магнитного поля в широком интервале температур,Известны датчики магнитного поля, в которых используется эффект магнитосопротивления. С использованием этого эффекта разработаны датчики на базе сплава п 5)е-И 51 с различной концентрв(- цией легирующей примеси 11.Однако технология изготовления сплава и датчика сложна. Кроме того, в зависимости магнигосопрогивления датчика от магнитного поля наблюдается, в общем случае, скачок.Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является датчик магнитного поля, содержащий катушку из висмуговой проволоки, намотан,ной на сердечник из немагнитного материала Ц . В связи с тем, что проволока из висмута является мягкой, изготовление самой проволоки и намотка катушки представляют собой сложную технологическую операцию.Целью изобретения является упрощение технологии изготовления датчика магниг- НОГО ПоляаЭга цель достигается тем, что в датчике магнитного поля, содержащем сердечник иэ немагнитного материала и катушку иэ провода, электрическое сопротивление которого зависит ог магнитного поля, катушка вйполнена из манганинового провода, имеющего отрицательную величину магнитного коэффициента сопротивления.Заказ 1054/43 Тираж 1089 Подписное БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4 5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 словлена наличием большой концентрациипардмагнитной примеси ( ф 12% Мл), вСОН( где х - 2 Ъ,В качестве примера можно привестиследуютдие параметрь 1 датчика: диаметрсердечника мм, высота катушки; 1 мм,диаметр катушки - 3 мм, провод - МЭМСдиаметром 0,06 мм, сопротивление приоТ = 300 К и Н = 0 - 600 Ом. Чувствительность такого датчика в интервале полей 40-60 кЭ достигает 0,02 Ом на100 Э. Датчик прост в изготовлении, дешев и стабилен по сравнению с известным. Он позволяет измерять сильные магнитные поля в широком температурном интервале (от 150 К до 1,5 К). формула изоб ре тения Датчик магнитного поля, содержащийсердечник из немагнитного материала икатушку из провода, электрическое сопротивление которого зависит от магнитного поля, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью упрощения технологии изготовления, катушка выполнена из манганиф нового провода, имеющего отрицательнуювеличину магнитного коэффициента сопротивления.Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1. Измерительная техника, % 2, 1977,с. 80.2. ТЪе Яечаио 1 бсеьОЬс,)льЬ.оВЕп 129, М 5, р. 349, 1958.
СмотретьЗаявка
2491962, 03.06.1977
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОФИЗИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН УКРАИНСКОЙ ССР
КАМЕНЕВ ЮРИЙ ЕФИМОВИЧ, МЫШЕНКО ВАЛЕРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ЧЕРПАК НИКОЛАЙ ТИМОФЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 33/02
Метки: датчик, магнитного, поля
Опубликовано: 15.03.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-652510-datchik-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик магнитного поля</a>
Датчик напряженности магнитного поля
Номер патента: 295096
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Курило
МПК: G01R 33/02
Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля
...не обеспечивают линейной зависимости выходного напряжения от напряженности магнитного поля в широком диапазоне измеряемой величины. 10Предлагаемый датчик отличается от известных тем, что полупроводниковая пластинка выполнена в виде диска, на противоположных сторонах боковой поверхности которого расположены дугообразные токовые котак ты, причем длина каждой дуги составляет /4 длины окружности.Благодаря такому выполнению датчика повышается линейность его выходной характеристики.20На чертеже изображен предлагаемый датлен тока, с - скорость света, полное сопротивление К датчика, плоскость которого перпендикулярна силовым линиям полл, выражается соотношением откуда Н =- йеггс й=сопз 1 Й,где Я, - сопротивление датчика в отсутствии...
Датчик напряженности магнитного поля
Номер патента: 386352
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: G01R 33/02, G01R 33/035
Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля
...Датчик представляет собой образец, вырезанный из монокристалла бериллия в базисной плоскости и находящийся в ванне из жидкого гелия или водорода. Он помещен в измеряемое (или стабилизируемое) магнитное поле Н так, что его гексагональная ось Се параллельна направлению поля, а измерительный ток У через образец перпендикулярен полю. Напряжение Е, снимаемое с датчика, про порционально его сопротивлению и измеряется обычным потенциометром, например типа Р 308.Магнитное поле при помощи такого датчика измеряют следующим образом. В некото ром, сравнительно небольшом поле Но, осуществляется привязка градуировки, далее прои увеличении магнитного поля измеряется изменение фазы Р осциллирующей части сопротивления. Значение измеряемого магнит ного...
Датчик градиента магнитного поля
Номер патента: 570857
Опубликовано: 30.08.1977
Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене
МПК: G01R 33/02
Метки: градиента, датчик, магнитного, поля
...разрсшающсй способности (пространственной), т. е. при малой базе градиентометра.Цель изобретения - повышение точности 5 и чувствительности измерения.Это достигается тем, что в предлагаемомдатчике градиента магнитного поля две противоположные гранц пластины выполнены с равными скоростями поверхностной рском бинации носителей тока, а к одной из граней, перпендикулярной указанным двум противоположным граням, через слой диэлектрика приложен металлический электрод, кроме того, скорости поверхностной реком бинации носителей тока выбираются из соот- ношенияЗаказ 1928/20 Изд.685 Тираж 1109 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр....
Датчик градиента магнитного поля
Номер патента: 866515
Опубликовано: 23.09.1981
Авторы: Козлов, Персиянов, Рекалова, Санникова, Таирова, Шахов
МПК: G01R 33/022
Метки: градиента, датчик, магнитного, поля
...датчик градиента магнитного поля, общий вид.На поверхности полупроводниковой пластины 1, например кремниевой и типа, по планарной технологии изготовлено пять ,областей противоположного типа проводимостей 2,3,4,5,6 и два омических контакта 7 и 8, которые являются базовыми электродами.Общая для двух полученных магнитотранзисторов область 4 является эмиттером.Каждый магнитотранзистор имеет по два коллектора, соответственно области 2,3,4 и 5.Внешней схемой питания (не показа - нд) на электронно-дырочный переход-область 4, выполняющую функцию эмиттера, подается прямое смешение, а на электронно-дырочные переходы - облас и 2,3,4,5 25 и 6, выполняющие функцию коллекторов - обратное смещение. Омические контакты 7 и 8 служат базовыми...
Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком
Номер патента: 1081576
Опубликовано: 23.03.1984
МПК: G01R 33/02
Метки: датчиком, магнитного, магниторезистивным, поля
...изменения сопротивления датчика в магнитном поле .при меньшем и при большем значениях напряжения запитки, 60Увеличение чувствительности в предлагаемом способе объясняется тем, что величина и характер измеиения сопротивления магниторезистивного датчика при низких температурах в магнитном поле зависит от величины приложенного к датчику электрического поля, а именно в слабом электрическом поле, меньшем поля низкотемпературного примесного пробоя, сопротивление датчика в магнитном поле уменьшается (отрицательный магниторезистивный эфФект), а в большем поле пробоя - увеличивается (положительный магниторезистивный эффект).Граница подаваемого на датчик напряжения меньше на 30 напряжения примесного пробоя обусловлена уменьшением...
Предыдущий патент: Магнитометр
Следующий патент: Способ определения рабочей точки постоянных магнитов
Случайный патент: Устройство для натяжения струн теннисных и других ракеток