Патенты с меткой «магниторезистивным»

Номер патента: 1081576

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Лукашевич, Стельмах

МПК: G01R 33/02

Метки: датчиком, магнитного, магниторезистивным, поля

...изменения сопротивления датчика в магнитном поле .при меньшем и при большем значениях напряжения запитки, 60Увеличение чувствительности в предлагаемом способе объясняется тем, что величина и характер измеиения сопротивления магниторезистивного датчика при низких температурах в магнитном поле зависит от величины приложенного к датчику электрического поля, а именно в слабом электрическом поле, меньшем поля низкотемпературного примесного пробоя, сопротивление датчика в магнитном поле уменьшается (отрицательный магниторезистивный эфФект), а в большем поле пробоя - увеличивается (положительный магниторезистивный эффект).Граница подаваемого на датчик напряжения меньше на 30 напряжения примесного пробоя обусловлена уменьшением...