Номер патента: 651420

Авторы: Беккер, Платонов

ZIP архив

Текст

ИЕ Союз Советсиин Социалистических Респубпннооударотвеииый комитет ессеи по делам изобретений и открытий(71) Заявитель 54) РБ ЗИСТОР конструиростабиль пользоважвщий наоснование в виде спл нтактные о термос виде наподложку и контакт териала ван влюМи л ности й диаиаИзобретение относится к ванию и изготовлению высок ных резисторов, может быть но в линиях задержки,Известен резистор, содер несенное на диэлектрическое электропроводящее покрытие ва нескольких металлов и ко площадки 1,Этот резистор недоствточ Известен также резистор внесенного на диэлектрическуюэлектропроводящего покрытияных площадок, В качестве маконтактных площадок использоний 121.Данный резистор наиболеепредлагаемому по техническойи достигаемому эффекту.У этого резистора ограничпазон сопротивлений,Цель изобретения - расщирназона номиналов резистора,Указанная цель достигается тем, чтов резисторерыполненйом, в виде нанесенного на диэлектрическую подложку электропроводящего покрытия и контактных площадок,электропроводящее покрытие выполнено5 из феррита,Конструкция описываемого резистораизображена на чертеже,Резистор содержит диэлектрическуюподложку 1, например из ситалла, элекО тропроводящее покрытие 2 из феррнтв,обогащенного кислородом, например,(ММп ) Ге О + ", контактные площадки 3 из алюминия и стабилизирующий переходной слой 4 из окисла алюминия -А 0 ОЗферритовое покрытие (пленку) синтезируют на диэлектрической подложкеиз поликристаллических материалов,например, способом газотранспортных химических реакций в парах соляной кислоты НСВс небольшим содержанием воды В зависимости от условий синтеза получаютполикристаллические пленки с различ.У;цМФм." ,Д, ,651420 фе мюе аэ:лиым удельным сопротивлением и создают Вследствие твердофазных процессов, текстуру, обеспечивающую анизотропию протекающих в приконтактных зонах, электропроводности пленки. поверхностное сопротивление резистораСопротивление резистора Я обуслов- в делом стабилизируется. лено сопротивлением ферритного покрытия 3Й, и сопротивлением контактных переходов Я и, т, е ЯЯ ф В . Формула изобретения Составитель В, КуликовРедактор В. Федотов Техред И. Асталош Корректор И. Коваль Заказ 816/8 0Ц Тираж 922 НИИПИ Государственного по делам изобретений 35, Москва, Ж, РаушПодписноекомитета СССРоткрытийская наб, д 4 13 ал ППП Патент",Ужг Проектная, 4 Величина % может в завйсимости от условий синтеза и последующей тех- О нологичесКой обработки изменяться в широком диапазоне (до десятков Мом).Термостабилнзация сопротивления происходит за счет величины Ккоторая превосходит % . Повьшение ф я достигается путем образования в: Эойе контактного перехода феррит-алюминий тонкого слоя окиси алюминия Я О ., Необходимым условием образованна Д 9 0 является получение феррито-йа 3"вой пленки, обогащенной кислородом, и возможность протекания твердофазовой окислительной реакции между кислородом феррнта и алюминием. Резистор, выполненный в виде нанесенного на диэлектрическую подложкуэлектроцроводящего покрытия и контактных площадок, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с пелью расширения дианазона номиналов резистора, электропроводящее покрытие выполнено из феррита,Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1. Патент СШД % 3833410,кл. 117-227, 1974,2, Микроэлектроника. Теория, конструирование и производство. Под ред,Н, П, Богородицкого МфСов, радиоф,1966, с, 246-247,

Смотреть

Заявка

2540433, 25.10.1977

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5308

БЕККЕР ЯКОВ МИХАЙЛОВИЧ, ПЛАТОНОВ БОРИС ДМИТРИЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор

Опубликовано: 05.03.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-651420-rezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистор</a>

Похожие патенты