Номер патента: 645991

Авторы: Барабус, Бушин, Ваграмян, Кудрявцев, Полещук, Хина

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ц 645991 Своз Советеккк Социалистических Республик(51) М, Кл. С 25 Р 3/22 Государственный комитет сссР о делам изобретений и открытий(72) Авторыизобретения Н,Т. Кудрявцев, Т.А, Ваграмян, В.Г, Бушин,М.Л, Хина, К.Ф, Барабус и Е.И. Полещук Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени(54) ЭЛЕКТРОЛИТ ЦИНКОВАНИЯ И 1= 111 (11,Изобретение относится к электроосаждению металлических покрытий,в частности к электролитам для осаждения цинковых покрытий,Известен электролит цинкованияна основе окиси цинка и едкого натрас добавками алканоламина, ароматического альдегида, коллоидных веществ, аминобензальдегида и стабилизатора, например полиэтиленполиамина 1Однако известный электролит позволяет получать качественные покрытия при плотностях тока не более5 А/дм 2,Наиболее близким к изобретениюпо составу компонентов и достигаемомурезультату является электролит цинкования, содержаший окись цинка,едкий натр, полиэтиленимин, а такжеорганическую добавку, в качестве которой могут быть использованы ненасыщенные алифатические углеводороды,и ряд.других компонентов 2 1. Однако 25известный электролит не позволяетполучать покрытия при плотностях тока более 10 А/дм -,С целью повышения допустимых плотностей тока в качестве органической добавки предлагаемый электролит содер. жит 4,4 диаминостильбен - 2,2 дисульфокислоту при следующем соотношении компонентов, г/л:Окись цинка 8 -20Едкий натр 80 -200Полиэтиленимин 0,1 -5,04,4 диаминостильбен 2,2 дисульфокислота 0,01-0,1Электролит позволяет получать блестящие цинковые покрытия при плотностях тока до 15 А/дм2Электролит готовят следующим образом,Отдельно растворяют едкий натр и затем в раствор небольшими порциями вводят окись цинка. После полного растворения окиси цинка к раствору добавляют полиэтиленимин (молекулярный вес 600-60000) и 4,4 диаминостильбен - 2,2 дисульфокислоту. Вводимая в электролит органическая добавка 4,4 диаминостильбен,2 дисульфокислота структурной Фор- мулы/г Лл - 20МаОН Полиэтиленимин- -5 (моль-вес.20000) 4,4 ди- аминостильбен,2 дисульфокислота - 0,1 130 Еп - 8 НаОН )олиэтиле 0,1 (моль 2000) 4,4 аминостил -2,2 дису кислота -ниминвес. ьбен- льфо 0,01 5,.0 85 Лп - 10МоОНПолиэтиленимин(моль вес. 5000) 4,4-диаминостиль бен,2 дисульфо кислота - 0,05 30 б сцеплеас с це жмых плоти )ганическодиаминос ри следующ тов, г/л: стей тодобавки ильбен, ем соотая в ще ми пара- пирина 8 в О80 -200 0,1 - 5,0 0,01 - 0,1принятыезеьство СССР22, 1971,00 ф етения Электролкись цинка мин и орга т цинкования, с едкий натр, по ическую добавкуЦНИИПИ Зака ержащии этилено т л и 63/20 ал ППП Патент, г.ужгород, ул,Проектна выпускается промышленностью по МРТУ6-09-78-62. Совместное присутствиев электролите полиэтиленимина и указанной органической добавки даетвозможность получать покрытия состепенью блеска 80-90 по отношению к серебряному зеркалу в интерваПолучаемые покрытия хорошоны с основой. Равномерность р пределения металла, измереннлевой ячейке с геометрически.Метрами: ширина щели 2 мм,катодного пространства 35 мм, длина 100 мм составляет 20-25. Выход Во току в интервале 0,5-15 А/дм составляет 90-58. Корректирование содержания 4,4 диаминостильбен,2 дисульфокислоты в электролите осуЩествляют через каждые 100 А .час/л . ле 0,5-15 А/дм при температуре15-60 С,Указанные пределы концентрацийкомпонентов в электролите обеспечивают получение покрытий со стабильными свойствами и высоким блеском,как это показано в таблице,чающий с ятем,чповышения допустка. в качестве о 180 он содержит 4,4дисульфокислоту гношении компоненОкись цинкаЕдкий натр55 Полиэтиленимин4,4-диаминостильбен,2 дисульфокислотаИсточники информацииво внимание при эксперт1. Авторское свидетеМ 320557, кл. С 25 П 32. Патент фРГ М 1232кл, 48 а 5/10, 1967.тираж 719 Подписное,

Смотреть

Заявка

2460529, 10.03.1977

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ХИМИКОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ Д. И. МЕНДЕЛЕЕВА, АВТОМОБИЛЬНЫЙ ЗАВОД ИМЕНИ ЛЕНИНСКОГО КОМСОМОЛА

КУДРЯВЦЕВ НИКОЛАЙ ТИХОНОВИЧ, ВАГРАМЯН ТИГРАН АШОТОВИЧ, БУШИН ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ, ХИНА МИХАИЛ ЛЬВОВИЧ, БАРАБУС КЛАРА ФЕДОРОВНА, ПОЛЕЩУК ЕЛЕНА ИВАНОВНА

МПК / Метки

МПК: C25D 3/22

Метки: цинкования, электролит

Опубликовано: 05.02.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-645991-ehlektrolit-cinkovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электролит цинкования</a>

Похожие патенты