Система дистанционного управления двигателем

Номер патента: 1221506

Опубликовано: 30.03.1986

Автор: Сукач

МПК: G01J 1/04

Метки: вещества, концентрации, материалом, основным, связанного

...носителей токапротекающего через магнитодиодо12, на одну из боковых граней, перпендикулярных направлениям как В,так и 3 . Прк этом обе эти граниможно с елать как одинаковыми с точки зрения генерационно-рекомбинационной способности (одинаковая скорость поверхностной рекомбинации Бна обеих гранях), так к разными (разные величины Б и Б ), В случае ББ ток магнитодиода не зависит атнаправления магнятного поля (векторВ). При этом к величинам токов )1 и3 не предъявляется никаких ограничивающих условий: их разность 3может быть как больше, так и ъОменьше нуля. В этом случае расширяется диапазон измерений в 2 раза.В случае же разных (но известных)величин б, и 5 необходимо, чтобывыполнялось одно из условий: кпи3 1 О, илк 3, - Д гО.Сднаков этом...

Номер патента: 1260692

Опубликовано: 30.09.1986

Автор: Сукач

МПК: G01J 1/04

Метки: вещества, концентрации, материалом, основным, связанного

...(светоизлучаюц ий диод 7 и фото прием пик 5 должны находиться в одинаковых температурных условиях, что зачастую в условиях промышленных и лабораторных измерений выполняется само собой без особых трудностей, наблюдается близкий к экспонецциальному рост темнового типа фотоприемника 5 (крИвая 10) и подобное ему уменьшение интенсивности излучения, прошедшего через фильтры 8 и 9, а значит и наводимого этим излучением фототока фотоприемника 5 (кривая 11),С ростом температуры в излучении светодиода наблюдаются две особенности;уменьшение интенсивности (моцгпости) излучения светодиода со скоростьюЯ на 1 С и сдвиг максимума полосы излучения. в сторонубольших длин волн, обусловленный уменьшением ширины запрещенной зоны полупроводника. Поскольку...

Номер патента: 11911

Опубликовано: 30.09.1929

Автор: Соловьев

МПК: F16C 17/00, G08B 23/00

Метки: выключения, двигателя, нагреве, подачи, подшипника, сигнала, чрезмерном

...прп своем перемещении, выключать двигатель путем соответствующих приспособлений и подавать сигнал при чрезмерном нагреве подшипника, при котором происходит выплавление легкоплавкого сплава, открытие отверстия 4, выпуск сжатого воздуха из трубки 3 и цилиндра 4 и опускание поршня 5, влекущее за собою вышеупомянутое перемещение кулака 7. атенту И, И, Соловьева. заВ предлагаемом устройстве, предназняченном для выключеняя двигателя и подачи сигнала прп чрезмерном нагреве подшипника, применена закрытая с одного конца трубка, вставленная между телом подшипника и вкладышем н сообщающаяся другим концом с цплпндром, в котором находнтся сжатый поршнем воздух; в стенке трубки имеется отверстие, запаиваемое легкоплавким сплавом,...

Номер патента: 1241135

Опубликовано: 30.06.1986

Автор: Лозинский

МПК: G01R 19/165

Метки: базисного, команды, корректором, сигнала, формирователь, хроматографа

...разбаланс весьмазначительный, в результате чего навход устройства поступает напряжение. базисного сигнала, намного превьппающего уровень, необходимый для нормальной работы измерительной схемыхроматографа.Поскольку в этот периодвремени на корректор базисного сигнала поступает сигнал команды разрешения коррекции, напряжение базисного сигнала хроматографа падает,стремясь к нулевому потенциалу. Когда величина этого напряжения достигаетзоны допустимых потенциалов, срабатывает двухпороговый компаратор 1.Аналогичным образом срабатывает. двухпороговый компаратор 2, когда напряжение сигнала первой производной, вырабатываемое дифференциатором. 6, достигает зоны допустимых потенциалов,установленной на указанном комнарато"ре. При...

Номер патента: 1509683

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Жих, Каландадзе, Малинко, Ружинский, Сукач

МПК: G01N 21/25

Метки: вещества, концентрации, материалом, основным, связанного

...результате становится возможным поглощение квантов излучения,энергия которых меньше ширины запрещенной зоны полупроводника Е навеличину 1 Е, Зная, что гран наядлина волны Ъ, и Е связаны зависимостью Ъ1,24/Е, можно отметить, что , должна быть не больше величины 1/(Е- Ь Е)Указанный эффект франца-Келдыша;проявляется в сдвиге края оптического поглощения полупроводника в сторону более длинных волн по мере увеличения напряжения, приложенного к нему.Таким образом, при приложении кмодулирующему р-и-переходу 2 электрического поля (напряжения источника1 О питания) излучение с длиной волны%, не проходит через материал элемента 2, а значит попадает на фоторезистор 3При этом сопротивление Фоторезистора 3 резко увеличивается(время переключения...