Способ металлизации неорганического диэлектрика

Номер патента: 617444

Автор: Семенов

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е п 617444ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советския Социалистических Реслублииприсоединением заявкиГосударственный комнте овета Министров СССР ло делам изобретений и открытий(45) Дата опубликования описания 19.07.78(088,8) ЕТАЛЛИЗА ДИЭЛЕК 4) СПОС НЕОРГАНИЧЕСКОГОА Изобретение радиотехническ отраслям пром способам получ таллизационны ких диэлектрик нее 15 - 20 мкм и также требует предварительной шлифовки диэлектрика.Цель изобретения - получение металлпзационного покрытия толщиной 0,1 - 1 мкм.Достигается это за счет того, что по предлагаемому способу метализации неорганического диэлектрика путем обжига его в контакте с металлизационной лентой, в качестве последней используют металлическую ленту, которую предварительно окисляют на глубину 0,1 - 1 мкм, а обжи осуществляют при температуре на 50 - 100 С выше температуры размягчения диэлектрика, после чего ленту отслаивают, а диэлектрик подвергают термообработке в востаповительной среде при температуре на 150 - 200 С ниже температуры его размягчения,электроннои, отехнической частности к еночных менеорганичес относится к й и электр шленности, в ения тонкопл покрытий на Окисление поверхност ческой фольги создает с физико-химической свя термообработки узла пр элементов окисла мета причем, за счет встр структурную решетку о образуется связь более окисел в мета, что поз вании металлической ф отрыв именно по зоне м нои злой сзью.оисходлла ваиванкислапрочнволяеольгиеталл 2,Способ обеспечив ационного слоя р ысокую производ озволяет получить ает получение метал вномерной толщины ггельность, однако толщину покрытия ме Известен способ тонкопленочной металлизации путем термического испарения металла в вакууме 111.10Этот способ трудоемок, требует сложного оборудования, а также применения диэлектрических подложек с чистотой обработки поверхности по 14 классу точности.Наиболее близким техническим решени ем к изобретению является способ металлизации неорганических диэлектриков с помощью металлизационной ленты, который состоит в том, что металлизационную ленту, выполненную из суспензии металличес ких порошков с органической связкой и пластификатором на органической пленке, приводят в контакт с диэлектриком, пленку отслаивают, а покрытие подвергают термообработке до вжигания в диэлектрик 25 оны металлиослабленнойВ процессе ит диффузия диэлектрикия окисла в диэлектрика ая, чем связь т при отслаипроизводить - окисел,617444 Формула изобретения Составитель Н. Соболева Техред О, Тюрина Редактор А, Соловьева Корректоры: О. Тюрина и Т. Добровольская Заказ 1361/8 Изд. Мв 503 Тираж 763 11 ПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 Термообработка при температуре на 50 - 100 С выше температуры размягчения диэлектрика обеспечивает достаточную диффузию ионов и прочную связь металл - диэлектрик, повторная термообработка после отрыва фольги обеспечивает восстановление окисной пленки до металла без деформации диэлектрика.П р и м е р. Молибденовую ленту толщиной 0,15 мм окисляют на глубину 0,5 мкм, приводят в соприкосновение с изделием из кристаллизующегося стекла и нагревают узел в азотной атмосфере до 1000 С, выдерживают при этой температуре 15 мин, после чего снижают температуру до 900 С, выдерживают 4,ч и охлаждают до комнатной температДЙ.Щр,чибденбаут ленту отслаивают от закрисаллизщщрщго материала, Образец подвергают -тдЪмообработке при 700 С в атмосфере щфруед й охлаждают, Получеуая таким образом пленка на поверхностиФдиэлектрика имеет толщину 0,5 мкм, удельщг электросопротивление при 20 С 0,05 Ом мм/м и еллопроводность 0,347 кал/см с град.П р и м е р 2. Никелевую ленту толщиной 0,2 мм, окисленную на глубину 0,3 мкм, приводят в соприкосновение со стеклом С-1 и нагревают в атмосфере азота до 650 С, выдерживают при этой температуре 15 мин и охлаждают.Никелевую ленту отслаивают от образца, который затем подвергают термообработке при 400 С в атмосфере водорода и охлаждают, Никелевая пленка на поверхности стекла имеет толщину 0,3 мкм, удельное электрическое сопротивление при 20 С 0,08 ом мм 2/м и теплопроводность 0,2 кал/ /см с град,П р и м е р 3. Ленту из ферроникелевогосплава толщиной 0,1 мм, окисленную на глубину 0,5 мкм приводят в соприкосновение со стеклом С-1 и нагревают до 600 С, выдерживают 10 мин и охлаждают.Ленту отслаивают, а образец подвергают термообработке при 350 С в атмосфере водорода и охлаждают, Полученная пленка имеет толщину 0,5 мкм и удельное элек трическое сопротивление при 20 С 0,4 Оммм 1 м.Данный способ позволяет получать металлизационные покрытия толщиной 1000 о15А - 1 мкм, не требуя предварительной механической обработки. Способ металлизации неорганического20 диэлектрика путем обжига его в контактес металлизационной лентой, о т л и ч а ющи й ся тем, что, с целью получения металлизационного слоя толщиной 0,1 - 1 мкм,в качестве металлизационной ленты исполь 25 зуют металлическую, которую предварительно окисляют на глубину 0,1 - 1 мкм, аобжиг осуществляют при температуре, на50 - 100 С превышающей температуру размягчения диэлектрика, после чего ленту30 отслаивают, а диэлектрик подвергают термообработке в восстановительной средепри температуре на 150 - 200 С ниже температуры его размягчения.Источники информации,35 принятые во внимание при экспертизе1. Сергеев В. С. и Волжин И. И. Интегральные гибридные схемы. М., Советскоерадио, 1973, с. 22 - 25, 42 - 43.2. Авторское свидетельство СССР40 Мо 165106, кл, С 04 В 41/14, 1962,

Смотреть

Заявка

2092731, 03.01.1975

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5263

СЕМЕНОВ ЕВГЕНИЙ НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: C04B 41/14

Метки: диэлектрика, металлизации, неорганического

Опубликовано: 30.07.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-617444-sposob-metallizacii-neorganicheskogo-diehlektrika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ металлизации неорганического диэлектрика</a>

Похожие патенты