Импульсный модулятор

Номер патента: 1053091

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Карапетьян, Карташян, Кешишян, Мкртчян

МПК: G05F 1/64

Метки: постоянного, стабилизированный

...обкладкеконденсатора сглаживающего Фильтра,средняя точка вторичной обмотки трансформатора подключена к одному выводу дросселя выходного фильтра,.другой вывод которого подключен к другой обкладке конденсатора выходного фильтра, первый измерительныйэлемент, входом подключенный к выход-.ным выводам преобразователя авыходом - к входу первого компаратора, другой вход которого соединенс выходом источника опорного напряжения, выход первого компараторасоединен с первым входом широтноимпульсного модулятора, с другим входом которого соединен выход генератора пилообразного напряжения, входкоторого соединен с выходом задающего генератора, выход широтно-импульсного модулятора подключен к входуформирователя импульсов, выход которого связан с...

Номер патента: 1106007

Опубликовано: 30.07.1984

Автор: Догадкин

МПК: H03K 5/153

Метки: входного, заднему, импульсов, переднему, сигнала, формирователь, фронтам

...элемента 2 ИЛИ 12 и с первым входом четвертого дополнительного элемента 2 ИЛИ13, третья входная шина соединенас вторым входом второго дополнитель20ного элемента 2 ИЛИ 14, четвертаявходная шина соединена с вторым входом пеового дополнительного элемента2 ИЛИ 15, выход четвеотого дополнительного элемента 2 ИЛИ 13 чеоез диФФеоенциоуюший элемент 16 соединен свторым входом втооого пополиительногоэлемента 2 ИЛИ 14, первую - четвертую входные шины 17"20, первую -третью выходные шины 21 - 23. 30 35 40" + тгде- время задержки импульса припрохождении через последовательное соединение элемента2 И 7 и элемента 2 ИЛИ 2;2 - вРемя пеРеключения двухступенчатого Т-триггера 1.При поступлении заднего фронтаимпульса на первую входную шину формирователя, на...

Номер патента: 1413714

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Кучинский, Лихачев, Урбан, Якушев

МПК: H03K 5/26

Метки: амплитудно-временной, анализатор

...3 и 1 от- сутствуют, генераторы тока 19 и 20 обеспечивают соответственно токи 1 и 1, которые суммируются и протекают на общую шину через открытый ключ 23. На выходе повторителя 21 сигнал отсутствует. Срабатывание порогового элемента 1 по переднему фронту входного сигнала У приводит к закрыванию ключа 23 и заряду конденсатора 22 током 1 + 1. На выходе повторителя 21 возникает пилообразно нарастающее напряжение, пропорциональное сумме токов 1 и 1 . Пересечение передним фронтом входного сигнала 0 порогового уровня 0порогового элемента 25 3 приводит к появлению на его выходе сигнала, поступающего на второй вход генератора 4 и отключающего генератор 19 (точка В или Г на фиг.З). При этом на выходе генератора 4 пилообразного напряжения...

Номер патента: 1645888

Опубликовано: 30.04.1991

Автор: Трошков

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретокового

...и регистр 18 сдвига обнулены, ключ сброса 24 замкнут и шунтирует конденсатор 23 интегратора 22, напряжение навыходе интегратора 22 равно опорномуФлп) и превышает по величине выходное напряжение усилителя 13, В результате на выходе компаратора 15 поддерживается высокий уровень напряженияи схема 16 пропускания открыта дляпрохождения импульсов счета с генератора 25 счетных импульсов на счетчик 17 импульсов. Однако посколькуна входы обнуления счетчика 17 импульсов на данном отрезке временипоступает сигнал установки в нулевоесостояние, счета импульсов не происходит. Временная задержка междумоментом включения устройства и началом счета импульсов необходима дляустановления переходных процессов вблоках устройства,АЦП 12 работает в двух циклах...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...