Номер патента: 579570

Авторы: Любкин, Мишин, Пулавский

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Сецианистичесиих Республик7/ вв 1 аврвтввввмй ававтвВвввтв Мввавтрвв 1 ВВРвв аваев аввврвтваааа втаритва ита(45) дата опубликования описания 28117(72) Авторы изобретения Мишин и А.М. Пулавск) ДАТЧИК ПАРОВ РТУТ м образомпробыру с чувадают на находящеожке 1. Изобретение относится к датчикаманализаторов состава газов, выполненным в виде полупроводниковых чувствительных элементов, меняющих своеэлектросопротивление при взаимодействии с анализируемым компонентом.Оно предназначено для определенияконцентрации паров ртути в воздухепроизводственных помещений.Известны Фотометрические датчикидля определения паров ртути, содержа"щие чувствительные элементы на парыртути 1 В.Недостатком датчиков является ихсложность,Известны анализаторы или сигналиэаторы ртути, определяющие наличиертути по изменению проводимости чувствительного элемента. Наиболее близким техническим решением к йредложенному является датчик для определенияпаров ртути в воздухе, содержащийдиэлектрическую подложку, на которуюнанесен чувствительный сорбционнодесорбционный токопроводящий слой изселена)2),Чувствительные слои из селена обладают существенным недостатком, Привзаимодействии с парами ртути селенобразует сравнительно прочное соеди 3нение - селенид ртути. В таком чувствительном слое исходная проводимостьвосстанавливается не ранее, чемчерез 3-4 час после продувки его чисб тым воздухоме Кроме тогоу чувствительность элемента сравнительно невеликаи для его применения необходимо накопительное сорбционно-десорбционновустройство.1 Целью изобретения является повиаение чувствительности измерения,Цель достигается тем, что чувствительнъа токопроводящнй слой выполнениэ амфорно-кристаллического теллура,б причем размер частиц теллура уменьшается от поверхности слоя к подложкеЧувствительная пленка наноситсяпутем химического осаждения теллураиз раствора.30 На чертеже схематично показан предложенный датчик, содержащий диэлектрическую подложку 1 слой 2 теллура(толщиной 1000-2000 А) с переменнойструктурой, тоководы 3,И Датчик работает следующиИз устройства подготовкипары ртути поступают в камествительным элементом и попповерхность слоя 2 теллура,80 гося на диэлектрической подл

Смотреть

Заявка

2387523, 23.07.1976

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6900

ЛЮБКИН АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ, МИШИН ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, ПУЛАВСКИЙ АНАТОЛИЙ МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01N 27/02

Метки: датчик, паров, ртути

Опубликовано: 05.11.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-579570-datchik-parov-rtuti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик паров ртути</a>

Похожие патенты