Способ изготовления углеродистых резисторов

) 56 О 54 О Союз Советских Соиалистичяских Республик(33) ФРГ Государстве 55 вк каиитет Совета Ыииистров СССР по лелач изобретеиийи отковтий ликовано 30.05.7 53) УДх 621.396.69-18(ФРГ) Иностранная фирма Сименс АГтсо Штевер ьф 71) ЗаявТель)КИВНИа Тсоедстьа на5 0 НОШС 5 25Схемафторировственногствие с)30 схема (1 к подаче перд началом соос. Сщс в отсутглсроживания, , когда во врсреакц 5 и анного у науглс.)с ственного ) К 2 С 2 Етс(5.) СПОСОБ ИЗГОТОЯДЕЯИ Изобретение относится к способу изготовления рсзисторов в виде проводящего слоя, состоящего из элемснтарпого углерода, оса)кдснного на подг 5 ожк из неорганГческого изолирующего и крсмиийсодержащего материала.Известен спосоо изготовленя у:ле 1)одистых резисторов, преимущественно на подложках из кремнийсодержащей керамики, включающий операции очистки подложки травлением, осаждения пленки элементарного углерода методом пиролиза и формирования выводов.Однако при этом способе с трудом достигается равномерное воздействие протравления на всю поверхность керамической подложки одной партии, часто наступает перетравление, которое ведет к ухудшению временной характеристики слоев сопротивлений при высоких температурах и нагрузке; керамическая подло)кка )5 е)кду Оабоч 5 х 5 и п 1)оцессаъ 5 П претерт 5 евает непреодолимые загрязнения и даже инактивацию поверхности, поскольку различная обработка водной плавиковой кислотой влияет на свойства поверхности подложки и этим на скорость пиролпза, а так)ке на равномерность толщины образующегося угольного слоя.С целью обеспечсния равномерности толщины резистивного слоя, повышения стабильности резисторов по предлагаемому способу травление подложки осуществляют газообразным фторуглеродным соединением, например АЕРОДИСТЫХ РЕЗИСТОР перфторгексаном, причсм данную опсрацшо и последую:цсс осажденпс плс:5:.и элсмснтарпо-О Гг.с)Ода проводят в бсск 55 сл,500 дО срсдс.П,)е 5 м; 5 цсство) этого спосо )2 яв,)5 ется то, д то 001)200 тка подло)кки тр 5 в.)сПсаОсажден 5 с с,)оя с гс)с 1)ода )50 г т п 1)оисхсдть нспосредствснно друг 32 друОъ В Одчом 5 то) ),е реакционно)м сосуде. Таким ооразом, отпадают дополнительные расходы, возПка)о)цие прп 10 раздельном рабое., процсссе по иззестномуспособу.Травление водной плавиковой кислотой заменяется травлением пиролитически расщепленным фторированным углеродом, произве денны) 55 епос 1)едствс 55 о перед начало) Наугс)сроживанпя. В к 25 сствс:СходнОГО х 2 те")нала служит, напримс 1), фтороуглсрод псрфорГексан (СвГ), При этом реакции, имеющие место при температуре науглсрож:вания 900 - 0 1000"С, протека;от ио следующим схемам:55 Ое+2 С,Г 5ЬР +10.О+2 СО;, (1)СвГ), - ,-С,Нв 5 Г+560540 С 1)с яство трав;гсии я газОООГ)азиос жидкое Из отдзльных сосудов в управляемой послсдо- ватсльггости Из отдельных сосудов в управлясмой последовательности Примср; СН, и С,Рг 4 (В", ) Пример: С,Н,и СР 4 (В,У,5// Средство травлен я в нсооходимомколичестве вводится с помощью срсдства иауглсроживания, затсм средство травления трансиортируегся защитным газомПример: СгНг, СР 4 М 2 (й/У) Как смссь с устойчивой концентрациейГ 1 ример: изопропанол с 10 об, ОСР(О, 5) Как смесь с повышенной отдачей средстватравления при использовании разрывов смешиваемости, спец. вес. и/или азеотропная перегонкаПример; изопропанол с 10 об. О/о С,Р (й) Из отдельных сосудов в тправляемой последовательности Г 1 ример; пропав с СР, (У) Из отдельных сосудов в управляемои последо- вательности Пример; пропан и С,Рг 4 (й/7, 5//) Средство науглероживаиия вводится с помощьюнеобходимого количества средства травления, и последнее транспортируется в камеру пиролизаПример: пропан и С;Рг 4 (й/У) ф (О) - напыление из присмного сосуда. гг (5) - впрыскивание в камеру пиролиза посредством насоса.мг 4 (У) - введение газов из сборников под избыточным давлением. Формула изобретения ЦНИИПИ Заказ 1384/18 Изд. Ъо 488 Тираж 995 Подписное Тиг 10 графигп пр. Саи)новг, 2 мя травления углерод (например, пропан) уже присутствует.Предлагаемый спосоо имеет следующие преимущества: процесс травления объединяется с процессом науглероживания и вызывает дополнительные затраты лишь па средства травления; процесс травления самоуправляется: достаточно протравленные, т. е. активированные места поверхности, покрытые прочным слоем угля, в дальнейшем уже не поддаются травлению (этим исключается перетравление), что ведет к улучшению временной характеристики и уменьшению разброса параметров; загрязнение, инактивация и смешение рабочих процессов (травление и науглероживание) исключены; точность осаждения науглероживания относительно желаемого сопротивления поверхности не зависит от двух различных и связанных неопределенным образом рабочих этапов и поэтому может быть значительно улучшена.Изготовление резисторов отличается только способом предварительной обработки перед науглероживанием.Наряду с названным соединением могут применяться и другие фторуглеродные соединения, например С,Гг 4 или СзРш. Примеры практического осуществления способа приведены в таблице. Способ может осуществляться как при нормальном давлении в сосуде науглероживания (так называемое 40 нормальное давление науглерожпвания), так ипри избыточном давлении в сосуде науглероживания, преимущественно от 10 -до 10+ торр. Когда об этом специально не упоминается, в качестве газа-носителя (инертно го газа) может применяться азот. Спосоо изготовления углеродистых резисто ров, преимущественно на подложках из кремнпйсодержащей керамики, включающий операции очистки подложки травлением, осаждения пленки элементарного углерода методом пиролиза и формирования выводов, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью обеспечения равномерности толщины резистивного слоя, повышения стабильности резисторов, травление подложки осуществляют газообразным фторуглеродным соединением, например перфтор гексаном, причем данную операцию и последующее осажденпе пленки элементарного углерода проводят в оескислородной среде.