Оптоэлектронный аналоговый переключатель
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советскии Социалистическии Республик(45) Дата опубликования опнсання 21.07.77(51) М, Кл,еН 03 К 17/56 Н 03 К 17/78 Государственный комитет Совета Министров СССР оа делам изааретений и открытий(54) ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ Изобретение относится к области авто-матики, измерительной и вычислительной техники ь может быть использовано, например,в модуляторах или коммутаторах двуполярных аналоговых сигналов. 5Известны аналоговые переключатели двуполярных сигналов, состояшие из полевоготранзистора и цепей управления, содержащихбиполярные транзисторы и источники смещения 1. 10Недостатки известных переключателейзаключаются в необходимости сравнительновысоких управляюших напряжений и отсутствии,гальванической развязки,С целью устранения указанных недостат- Пков в предлагаемый оптоэлектронный аналоговый переключатель, содержащий полевойтранзистор и цепи управления, введен второй полевой транзистор, истоки и подложкиполевых транзисторов объединены и соедииены с затворами через две встречно-параллельно включенные цепочки фотодиодов,которые оптически связаны со светодиода.ми, соединенными соответственно с прямыми инверсным ыходами пепи управления. Ж На чертеже представлена схема предлагаемого оптоэлектронного аналогового переключателяя.Переключатель содержит два последовательно соединенных полевых транзистора 1 и 2, истоки и подложки которых объединены и соединены с затворами через две встречно-параллельно включенные цепочки фотодиодов 3 и 4, которые оптически связаны со светодиодами 5 и 6. Светодиоды 5 соединены с выходом генератора 7 управляющих сигналов непосредственно, а светодиоды 6 - через инвертор 8, Источник 9 двуполярных сигналов и нагрузка 10 соединены со стоками транзисторов 1 и 2, В качестве полевых транзисторов могут быть использованы МДП - транзисторы со встроенным или индивидуальным каналом или полевые транзисторы с управляюшим р-М -переходом.При подаче управляющего сигнала от генератора 7 светодиоды 5 генерируют световое излучение, под воздействием которого в фотодиодах 3 возникает фотоэ,д,собеспечиваюшая переключение транзисторов 1. Шекм 1421/109 Тираж 1065 НИИПИ Государственного комитета по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушПодписноеСовета Минист открытий ская наб.,ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектнв и 2 в проводящее состояние, В этом положении сигналы от источника 9 поступаютна нагрузку 10, После окончания управляющего сигнала от генератора 7 выключаются ряетодиоды В и включаются светодиоды6. Возникающая в фотодиодах 4 фотоэ.д.с.ускоряет рассарывание носителей заряда вцепочке фотодиодов 3 и переключений транзисторов 1 и 2 в закрытое состояние. формула изобретения Оптоэлектронный аналоговый переключатель, содержащий полевой транзистор и це 5Фпи управления о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью снижения величины управляющего напряжения и обеспечения галъванической развязки, в него введен второй полевой транзисчар, истоки и подложки полевых транзисторов объединены и соединеныс затворами через две встречно-параллельно включенные цепочки фотодиодов, которыеоптически связаны сосветодиодами, соединенными соответственно с прямым и инверсным выходами цепи управления,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1 МаОоюа 6 бетп 1 соедосо Солраа.ъ 1 ол, Ьюеа Зайеда а 1 еЮ,С 1 со 15 972,р 381,
СмотретьЗаявка
1956359, 10.08.1973
ВОЙСКОВАЯ ЧАСТЬ 67947, ВСЕСОЮЗНЫЙ ЗАОЧНЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ СВЯЗИ, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5594
ГОРОХОВ ВАДИМ АЛЕКСЕЕВИЧ, ДМИТРИЕВ ВИКТОР ПЕТРОВИЧ, НОСОВ ЮРИЙ РОМАНОВИЧ, БЕР АЛЕКСАНДР ЮЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 17/56
Метки: аналоговый, оптоэлектронный, переключатель
Опубликовано: 25.05.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-559391-optoehlektronnyjj-analogovyjj-pereklyuchatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Оптоэлектронный аналоговый переключатель</a>
Предыдущий патент: Устройство реверсирования тока
Следующий патент: Устройство для свертки сверхвысокочастотных сигналов
Случайный патент: Устройство для измерения распределенияэлектрического потенциала нафотодиэлектрическом слое