Носитель информации

п 1 544980 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик) Заявлено 27.10.72 067 24 с присоединением заявкиГосударственный комите Совета Министров ССС по делам изобретенийи открытий.01,77. Боллетен та опубликования описания 01.03.7(72) Авторы изобретения (71) Заявитель Л. М. Панасюк, П, А, Коваленко и В, Д. Прилепо Кишиневский ордена Трудового Красного Знамен государственный университет им. В. И. ЛенинаНОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено в устройствах регистрации информации.Известен носитель информации, используюющий деформирующуюся среду, на которой изображение создается в виде остаточной деформационной картины и может найти применение в элементах памяти различных устройств, регистрирующих оптическую, звуковую и другие виды деформации.Известен носитель информации для регистрации оптической информации, содержащий термопластический слой и подложку с нанесенными на нее электродом и первым фоточувствительным полупроводниковым слоем. х зон фото слоев разл тически и чувствительныхична.зображен пред 1 выполненной металлический овательно нано и широкозоновых материа- мопластический подложкина, нанесенрый последо первогоупроводникляется тер носител асть чувст ченной с олупрово увствителирение о повыше носителя являют- вительно- пектральдникового ьность. бласти рене инте- информаформаый по- между чувст- ричем оситель ин увствительн оложенный первым фот ым слоем,Недостатками известного ся узкая спектральная обл сти, обусловленная ограни ной чувствительностью п слоя, и низкая световая ч Цель изобретения - расш гистрируемого спектра и гральной чувствительности ции. Это достигается тем, что ции содержит второй фото лупроводниковый слой, рас термопластическим слоем и витсльным полупроводникоширина запрещеннь полупроводниковых На чертеже схем лагаемый носитель. 5 На поверхности из стекла или лавса электрод 2, на кото сят слои узкозонног ного второго 4 пол О лов. Внешним яв. слой 5.Устройство работает следующим образом.Процесс получения изображения на фототермопластическом носителе происходит сле дчощим образом. Одним из известных способов, например коронирующей нитью, на поверхность носителя наносят равномерный заряд. Одновременно или после нанесения заряда проецируется изображение, В местах осве О щения уменьшается сопротивление фоточувствительного слоя, Соответственно происходит перераспределение зарядов в системе полупроводник в диэлектр, приводящее к образованию потенциального рельефа на поверхности -5 термопластического слоя 5, повторяющего проецируемую картину. Нагреванием термопластического слоя потенциальный рельеф преобразуется в деформационную картину.Особенностью механизма образования изобзо ражения является то, что при освещении ин544980 Формула изобретения Составитель Г. НичипоровичТехред А. Камышникова Корректор А. Степанова Редактор В. Зенкевич Заказ 125/17 Изд.137 Тираж 899 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 тегральным светом, включающим широкий спектральный диапазон, поглощение света происходит и в широкозонном 4, и в узкозонном 3 полупроводниковых материалах, образующих гетероструктуру. Поглощение света приводит к зарождению носителей и их разделению контактным полем на границе раздела генероструктуры и, в свою очередь, к резкому увеличению проводимости на освещенных участках гетероструктуры.Таким образом, использование гетероструктуры позволяет значительно расширить регистрируемый диапазон длин волн и за счет более полного спектрального состава света повысить чувствительность фототермопластического носителя. Носитель информации, содержащий термопластический слой и подложку с нанесенными на нее электродом и первым фоточувствительным полупроводниковым слоем, отличающ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности носителя, о содержит второй фоточувствительный полупроводниковый слой, расположенный между термопластическим слоем и первым фоточувствительным полупроводниковым слоем, причем ширина запрещенных зон фоточувствительных полупроводниковых слоев различна.