Раствор для удаления защитных полимерных масок

Номер патента: 540246

Авторы: Новиков, Носков, Петров

ZIP архив

Текст

ЗС 1/68 м заявкиприсоедине осударственнын комктет овета Министров СССР(23) Приорите 71,531(088.8) убликовано 25.12,76. Бюллетеньпо делам изобретен и открытий описания 11.02.7 ата опубликопаии 2) Авторы изобретен В, В. Новиков, А. И. Носков и С. В. Петров(71) Заявител РАСТВОР ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ЗАШИТНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ МАСОК но для удаления к с поверхности т быть использоения полупроводением фоторезииазидов и фенолзиста.м е р 1, Процесс фотолитографии прона термически окисленных пластинах я марки КДБдиаметром 40 мм, на окисла составляет 0,4 - 0,5 мкм. Для ния защитных полимерных масок исют позитивный фоторезист марки 3, толщина пленки фоторезиста состав - 1,2 мкм.яют защитную полимерную маску пуукратной в течение 10 - 15 мин обработстин в нагретом до 50 - 60 С растворе ющего состава, вес. %;Едкое кали 0,4 Перекись водорода 3,8 Вода 95,8 стины промывают проточной деионизиной водой (удельное сопротивление вомОм см) в течение 10 мин и сушат на ифуге. Плотность кристаллитов ЯО на пластинах после проведения процесса зии сурьмы составляет 1102 - 2 м - 2 ом эффективно стов, следующе 6 - 4 2 - 34 0 - 64 Однако при удалении защитнойаски данный раствор частичнооверхность кремния.Целью изобретения являетсяечивающий высокую чистоту пеизменном ее рельефе.Эта цель достигается тем, чтоочной раствор введена перекисри следующем соотношенииес. %:Щелочь (например, едкое калиПерекись водородаВодаВ предлагаемый раствор перекведена для предотвращения траью кремния. При этом удается полимерной травливает раствор, обесоверхности при рован ды 12 центр этих диффу в водно-щеь водорода компонентов,) 0,4 - 4,02,0 в 1 0,0 Остальное ись водорода вления щелополучить боствор для удаления змасок с поверхностисодержащий воду ис я тем, что, с целью ащитных полимеркремниевых плащелочь, отличаю- повышения чистоных сти щи Изобретение предназначезащитных полимерных масокремниевых пластин и можевано в технологии изготовлниковых приборов с приместов на основе нафтохинондформальдегидных смол.Известен раствор, в которазрушается пленка фоторезго состава 1, вес. %:Едкое калиИзопропиловый спиртВода лее чис фоторе При водят 5 кремни Толщи получе пользу ФП0 ляет О,Удал тем дв ки пла следуоверхность пластин после снят ормула изобретенЗаказ 3024/16 Изд.350 Тираж 575 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 ты поверхности при неизменном ее рельефе, он содержит перекись водорода при следующем соотношении компонентов, вес, /,:Щелочь 0,4 - 4,0 Перекись водорода 2,0 - 10,0 Вода остальное Источник информации, принятый во внимание при экспертизе: 1. Лвторское свидетельство СССР Ма 448253,5 М, Кл. С 2311/00, 08,01.73,

Смотреть

Заявка

2021988, 07.05.1974

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5476

НОВИКОВ ВАЛЕНТИН ВАСИЛЬЕВИЧ, НОСКОВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ, ПЕТРОВ СЕРГЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G03C 1/68

Метки: защитных, масок, полимерных, раствор, удаления

Опубликовано: 25.12.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-540246-rastvor-dlya-udaleniya-zashhitnykh-polimernykh-masok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Раствор для удаления защитных полимерных масок</a>

Похожие патенты