Способ формирования в сверхпроводящей пленке нелинейности, пригодной для смешения сверхвысокочастотных сигналов

Номер патента: 864206

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Маслов, Сбитнев, Снегирев, Чернокоз

МПК: G01R 33/05

Метки: металлической, немагнитной, пленок, поверхности, свойств, ферромагнитных

...магнитопровод 1 с противоположно ориентированными зазорами и намагничивающей обмоткой 2, измерительную обмотку 3, компенсационную обмотку 4, генератор переменного напряжения 5, источник гармонических составляющих напряжения перемагничивания б, блок 7 регулировки амплитуд и фаз, блок компексации 8,элемент начальной балансировки 9и образец 10. Выход блока компенсации 8 является выходом устройства поиндукции.Работает устройство следующимобразом. При перемагничивакии магнитопрово,.: 1 полем переменного тока в оботкр 2, в измерительной обмотке 3 и компенсационной обмотке 4 наводятся при отсутствии образца примерно одинаковые напряжения, так как магнитопровод выполнен симметричным, и на входе блока компенсации 8 присутствует...

Номер патента: 1030380

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Евменов, Егоренков, Кузавков

МПК: C08J 7/12

Метки: модификации, пленок, полимерных

...их термостабиль- Введение стабилизатора в поверхность в 2-3 раза по сравнению с не- .ностный слой полимерной пленки, адгестабилизированным2 ), зионно связанной с подложкой, можноВыдержка в среде стабилизатора осуществлять как при температуреи последующая термообработка изделий. 50 ниже температуры плавления полимера,не изменяют их адгезию. Однако, ши- так и при температуре выше его темроко применяемые для изделий полиме пературы плавления,.например, исры (,полиэтилен, пентапласт н др.), пользуя.растворители с температуройобладают низкой адгезией к различным кипения, превышающей температуруподложкам. Поэтому после обработки плавления полимера. В последнем слупо известному способу они имеют низ- чае процесс стабилизации...

Номер патента: 1297504

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Колесов, Сейдман

МПК: C23C 14/36

Метки: пленок, соединений, химических

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ, включающий распыление металлической или полупроводниковой мишени в смеси инертного и активного газов плазмой разряда, имеющего вольт-амперную характеристику с динамическим сопротивлением, большим статического при стабилизации тока и напряжения разряда в процессе распыления, причем один из параметров стабилизируют источником питания, а другой - посредством регулировки потока активного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости свойств пленок за счет повышения устойчивости режима разряда, источником питания стабилизируют ток разряда, а регулировкой потока активного газа - напряжение разряда, при этом в процессе распыления поток инертного газа поддерживают постоянным.

Номер патента: 737183

Опубликовано: 30.05.1980

Автор: Николаев

МПК: B23P 1/00

Метки: импульсов, нагрузке, нелинейной, формирования

...отключают от источникащ и накопителя, напряжения которых контролируют соответственно блоки 5 и 6.В связй с тем, что энергия, отдаваемая конденсатором во время егоперезарядавдвое превышает энергиюу 5- отФаваеМую им прн разрядке, а энергия, выделяющаяся в ЭП, равна сумме ке формируется разрядный импульсэнергий источника и НК, емкость на- тока, конденсатор перезаряжается,копителя при рассмотренном способецо окончании перезаряда тиристор 9формирования разрядных имйульсов то- гаснет. После этого импульса кондеяка в нагрузке в 4 раза меньше емкос- сатоо 3 через диод 7 снова перети одиночно разряжаемого конденса заряжается, в результате чего онтора - накопителя, не:использующего . оказывается заряженным до амплитудэнергию ИПТ при формировании...

Номер патента: 995702

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Герд, Герхард, Хартмут

МПК: B29D 7/02

Метки: выдувания, методом, пленки, толщины, установке, экструдером

...Х на кольце сопел.При переносе данных на линию окружности, охватывающую 360 , эначе"фния, поступающие для проведения вычислений, анализируются в безразмерном виде следующим образом,При объемном анализе можно обнаружить, что линии 26,26 диаграммы, которые разграничивают кор- .ректирующие секторы Х или проходятпо их середине, в области распределения толщины для толстых участков про"ходят как конвергированные линии 27,а в месте расположения на диаграмметонких участков " как дивергированныелинии 28 (фиг. 3) при приведении .единому диаметру пленки, .В области,нулевых отклонений толщин пленки этилинии представлены в виде параллельных линий 29, которые из-за соседних .толстых и тонких участков проходят снаклоном.Пленочные секторы с...