Фиксатор уровня сигнала

Номер патента: 133954

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Курносов, Сидоров, Сущик

МПК: H01L 21/24

Метки: базы, тонкой

...примеси, например силумина, и пластину 3, выполненную из кремния п-типа, Полученную структуру помешают в печь с заданным температурным градиентом (Т 1 ) Т,), направленным в сторону пластинки 3 из кремния и-типа (фиг, 1 а), Зная из опыта или соответствующего расчета скорость движения зоны при заданном градиенте, процесс ведут до тех пор, пока зона ра; плава не подойдет на необходимое расстояние (где д - толщина базы) к границе пластинки 3 из кремния и-типа. Зз133954тем, не охлаждая композиции ннжеточки звтектики ( - Ь 77), во избежание появления трещин в кремнии при малых величинах д, изменяют направление температурного градиента на обратное (Т 2) Т,) и отводят зону расплава в обратном направлении от полученной базы (фиг. 1,б) .Для...

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...

Номер патента: 546015

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Андрейцев, Воронцов, Грызлов, Доценко

МПК: G11C 11/4063, G11C 7/00

Метки: запоминающего, мдп-транзисторах, накопителя, потенциалов, устройства, формирователь

...10 открыт и насыщен, поэтомутранзисторы 6 и 1 закрыты, ток в коллекторе транзистора 1 не протекает и вне зависимости от наличия сигнала в первой входнойшине 4 на резисторе 15 отсутствует падениенапряжения, т. е. на выходе формирователян а пряжение равно +Е.Во время прихода сигнала Выборка Хпо входной шине 4 транзистор 10 закрывается, и через резистор 18 и диод 9 в эмиттертранзистора 6 задается ток, определяемыйнапряжением в точке соединения резистора17 и диода 13 и величиной сопротивлений резистора 18. Так как транзистор 6 является 15 2 О 25 30 35 40 45 50 55 60 б 5 повторителем тока, то в его коллекторе протекает практически такой же ток, как и в эмиттере, Этот ток вызывает падение напряжения на цепочке: диод 7 - резистор 8. В...

Номер патента: 888271

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Анисимов, Сергеев, Тихомиров

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, коллектора, нагрузкой, транзистора, цепи

...коллектора, дополнительный транзистор 3 и резисторы5, образующие ограничитель тока, резистор 6, диод 7, диодная цепочка 8 и резистор 6, образующие диодный переключатель, с помощью которого осуществляется защита по мощности. В нормальном режиме при наличии входного сигнала напряжение на резисторе 5 недостаточно для отпира888271 Формула изобретения аж 678 Подписное аз 10737/ ВНИИП ПП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Фили ния транзистора 3, При закорачивании нагрузки 2 растет ток через транзистор 1 и при достижении им заданного значения отпирается транзистор 3, шунтируя вход транзистора 1. При повышении напряжения на транзист торе 1 при закорачивании его нагрузки в отсутствие входного сигнала транзистор 3 открывается через...

Номер патента: 1084709

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Горин, Малашихин, Мирошник, Нуров, Шкурина

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, рассеяния, транзисторов

...собранный на основе переключателя 34 с контактами 35-38 и переключателя 39 с контактами 40-43, усилитель 19 в составе входного каскада на полевом транзисторе 44 с нагрузкой 45 в цепи истока и конденсатором 46, включенным параллельно его входу, усилительного каскада на микросхеме 47 типа операционный усилитель и элементах, обеспечивающих режим микросхемы 47, а имен но резисторах 48 - 50, конденсаторах 51 и 52 и диодах(стабилитронах) 53 и 54, и составного эмиттерного повторителя на транзисторах 55 и 56, и резисторах 57 и 58; высокоомный делитель напряжения на резисторах 20 и 21 в цепи сравнения схемы стабилизации коллекторного напряжения; высокочастотные гнезда 59 для подключения опорного и 60 для измерительного канала векторного...